13三极管.ppt

第一章 半导体基础;.1结构及类型;.2 电流分配关系;二、载流子运动;三、电流分配关系;都是直流电流放大关系;四、电流的放大作用;.3特性曲线;二、输出特性曲线;①截止区;②放大区;③饱和区;.4主要参数;.5温度的影响;三极管判别举例;本章习题;第一章 半导体基础;场效应管是利用电场来控制电流，实现能量转换，三极管在工作时，多子＆少子同时参与导电，而场效应管只有多子参与导电，所以FET是单极型晶体管。 要提供控制电流的电场，只要电压，不需要电流，∴FET是电压控制器件，BJT是电流控制器件。;.1 FET的分类·原理;原理说明 对N沟道增强型MOS管，为了形成反型层，UGS0;并且只有当UGS大于某一个电压值时，才能形成导电沟道。这个电压值称为开启电压UGS(th) ∴当uGSUGS(th)时，d、s之间没有沟道，iD＝0，MOS管截止。 当uGSUGS(th)时，d、s之间有沟道，iD≠0，MOS管导通。 ???P沟道增强型MOS管， UGS(th)是小于零的数。如果将实际的电量参考方向单独考虑，与N沟道是相似的。 ;耗尽型MOS管 耗尽型MOS管也有N沟道和P沟道，与增强型的主要区别在于，利用了特殊工艺，使得MOS管不需要外加电压就已经有沟道。 对于N沟道管，当uGS=0时，iD≠0。为了使已有的沟道断开， uGS0,且uGS=UGS(off),UGS(off)称为夹断电压。 对于P沟道管， UGS(off)夹断电压是一个大于零的数，实际的电量参考方向与N沟道管成对偶关系。;结型FET（JFET） 结型管也是耗尽型的，与耗尽型MOS管类似。也存在UGS(th)或 UGS(off)。;.2 MOS管特性曲线;iD与uGS的关系式→在恒流区时 增强型 耗尽型 主要参数 直流参数（P.45） 交流参数（P.45） 低频夸导gm