半导体制程概论萧宏chapter13.ppt

Chapter 13製程整合;目標;簡介;晶圓準備;NMOS 和 CMOS 製程;NMOS;1980年代早期的CMOS;矽磊晶層;矽磊晶層;矽磊晶層;IC製造使用的晶圓;井區形成;單井區;N型井區的形成步驟;帶有P型井區的CMOS;P型基片;自我對準式的雙井區;自我對準式的雙井區;自我對準式的雙井區;自我對準式的雙井區;雙井區;P;絕緣技術;整面全區覆蓋式氧化層;矽局部氧化絕緣的形成;P型基片;襯墊氧化層;襯墊氧化層;襯墊氧化層;矽局部氧化光罩;P型基片;P型基片;氮化矽;氮化矽;氮化矽;氮化矽;P型基片;P型基片;矽局部氧化的問題;矽局部氧化的鳥嘴;多晶矽緩衝層(PBL) LOCOS;多晶矽緩衝層(PBL) LOCOS;淺溝槽絕緣(STI);淺溝槽絕緣和矽局部氧化;淺溝槽絕緣和矽局部氧化;P型基片;襯墊氧化層;襯墊氧化層;襯墊氧化層;早期的STI : STI光罩;P型基片;P型基片;P型基片;氮化矽;P型基片;P型基片;P型基片;P型基片;P型基片;P型基片;P型基片;P型基片;P型基片;P型基片;P型基片;先進STI;先進的STI: 襯墊氧化層和LPCVD氮化矽;先進的STI : STI 光罩;先進的STI : 蝕刻氮化矽,氧化物和矽 以及剝除光阻;先進的STI : 高密度電漿 CVD 沉積USG;先進的STI : CMP USG, 停止於氮化矽;先進的STI : 氮化矽剝除;電晶體的製造;電晶體的製造: 金屬匣極;晶圓清洗, 場區氧化層和光阻塗佈;微影技術和氧化物蝕刻;源極/ 汲極 摻雜和匣極氧化;接觸窗孔, 金屬化和鈍化;自我對準匣極;自我對準匣極;電晶體的製造:自我對準匣極;熱電子效應;熱電子效應;低摻雜汲極形成;低摻雜汲極形成;P型矽;P型矽;P型矽;P型矽;源極 汲極 佈植;P型矽;摻雜物擴散緩衝;摻雜物擴散緩衝;臨界電壓VT 調整佈植;VT調整佈植;抗接面擊穿佈植;抗接面擊穿佈植;大傾角佈植;大傾角佈植;高-k 匣極介電質;金屬匣極;剝除光阻;延伸區離子佈植;氧化層/ 氮化矽回蝕刻;RPCVD 沉積氮化矽;CVD沉積PSG;剝除氮化矽;剝除多晶矽;剝除氧化層;沉積五氧化二鉭 (Ta2O5) 和快速加熱退火;CVD 沉積鎢金屬;CMP 研磨五氧化二鉭層;金屬和高-k 匣極 MOSFET 虛設匣極製程;金屬和高-k 匣極MOSFET傳統製程;連接導線;局部連線;鎢金屬矽化物製程;自我對準金屬矽化物 (Salicide);鈷金屬沉積;鎢金屬局部連線; CMP 研磨PSG;光罩 10: 局部連線;P型磊晶層;P型磊晶層;P型磊晶層;早期的全區導線???接技術; ;多層連接導線;多層連接導線;多層連接導線;PE-TEOS USG 沉積/蝕刻/沉積/CMP;金屬層間接觸窗孔蝕刻, 蝕刻USG ;CVD沉積鎢和 CMP ;金屬層間接觸窗孔蝕刻, 蝕刻USG;蝕刻金屬 2;銅連線;銅連線;銅連線;基本差異;PECVD 氮化矽/USG/氮化矽/USG;金屬窗光罩、蝕刻和光阻剝除;溝槽光罩、蝕刻溝槽、剝除光阻;PVD Ta 和 Cu, ECP 巨量 Cu, 退火;CMP Cu 和 Ta, PECVD 氮化矽;銅金屬製程;銅和低-k介電質;P型磊晶層;PECVD a-CF 和 USG;蝕刻 a-CF 和 氮化矽密封層;PVD Ta, Cu種晶層和ECP Cu;CMP 銅和鉭;銅和低-k介電質;鈍化製程;金屬退火;PECVD 沉積氧化層;PECVD 沉積氮化矽;光阻塗佈;連接墊區光罩曝光和顯影;蝕刻氮化矽和氧化層;剝除光阻;概要;概要