第三章半导体光电器件精编.ppt

第三章 半导体光电器件;3.1光电导型光电探测器件;一、概述;光电导效应：半导体受到光照射后，其内部产生光生载流子，使半导体中载流子数显著增加,在外电场的作用下，半导体的电流增大，电导增大而电阻减小的现象。;一、概述;二、光敏电阻的结构;三、光敏电阻的工作原理;四、光敏电阻的特性;按灵敏度定义（响应的变化量与输入的变化量之比），可得 其中： g：光电导，单位为西门子 S（Ω-1）。 E：光照度，单位为勒克斯（lx）。 R：单位为西门子/勒克斯（S/lx） A: 光敏面积 :光通量;2、光谱响应特性;各种光敏电阻的光谱特性可查阅有关的手册和产品说明书。;3、光照特性;4、伏安特性;5、响应特性（频率特性）;5、响应特性（频率特性）;6、前历效应;亮态前历效应 光敏电阻测试或工作前已处于亮态，当照度与工作时所要达到的照度不同时，所出现的一种滞后现象。 一般，亮电阻由高照度状态变为低照度状态达到稳定值时所需的时间要比由低照度状态变为高照度状态时短。;7、温度特性;8、暗电阻和亮电阻;9、噪声;五、光敏电阻的特点;六、使用中应注意：;六、使用中应注意：;第三章 半导体光电器件;3.2势垒型光电(光伏) 探测器件;3.2.1概述;3.2.2光电池;一、概述;2CR系列硅光电池是以N型硅为衬底，P型硅为受光面的光电池。受光面上的电极称为前极或上电极，为了减少遮光，前极多作成梳状。衬底方面的电极称为后极或下电极。 为了减少反射光，增加透射光，一般都在受光面上涂有SiO2或MgF2，Si3N4，SiO2－MgF2等材料的防反射膜，同时也可以起到防潮，防腐蚀的保护作用。;目前最受重视的是硅光电池与硒光电池。 硅光电池：硅光电池具有性能稳定，寿命长，光谱响应范围宽，频率特性好和能耐高温等优点。因此硅光电池在光度学、辐射测量、光学精密计量和测试及激光参数测量等方面得到了广泛应用。 硒光电池：光谱响应曲线和人眼的光谱光视效率曲线的形状很相似，其光谱响应峰值波长与人眼的光谱光视效率的峰值相重合，且硒光电池价廉，因而在一些与人眼视觉有关系的光学器件中，在测量与控制应用中，多用硒光电池。但应指出，硒光电池稳定性很差。 ;硅光电池:它是在N型硅片上扩散硼形成P型层，并用电极引线把P型和N型层引出，形成正负电极。SiO2为防止表面反射光，提高转换效率。;二、符号、连接电路、等效电路;三、光电池的特性参数;伏安特性;a、当光电池短路时，即U=0，则 此时I称为短路电流，用 表示。值得注意的是短路电流等于光电流，且与入射光照呈线性关系。;光照特性;光谱特性;频率特性;温度特性;3.2.3光电二极管;一、概述;二、分类;当管子加反偏压时，从前极流出的暗电子流，除了有PN结的反向漏电子流外，还有通过表面感应电子层产生的漏电子流，从而使从前极流出的暗电子流增大。为了减小暗电流，设置一个N+-Si的环把受光面（N-Si）包围起来，并从N+-Si环上引出一条引线（环极），使它接到比前极电位更高的电位上，为表面漏电子流提供一条不经过负载即可达到电源的通路。;因为是以N-Si为衬底，虽然受光面的SiO2防反射膜中也含有少量的正离子，而它的静电感应不会使N-Si表面产生一个和P-Si导电类型相同的导电层，从而也就不可能出现表面漏电流，所以不需要加环极。;三、工作模式;四、表示符号及电路接法;五、工???特性;光照特性;伏安特性;反向偏压进一步加大时，光生载流子的收集已达极限，光电流就趋于饱和，此时光电流与外加反向偏压几乎无关，仅取决于入射光功率。;光谱特性;温度特性;频率特性;噪声;光电二极管的用法;1）光伏探测器加电压使用时，光电结必须加反向电压，即P端与外电源的低电位相接。 2）使用时对入射光强范围的选择应视用途而定。 用于开关电路或逻辑电路时光照可以强些。 用于模拟量测量时，光照不宜过强。因为光照弱些，负载电阻小些，加反偏压使用时，光电线性好，反之则差。;3）?结型器件的响应速度都很快。 4）器件的各种参量差不多都与温度有关，但其中受温度影响最大的是暗电流。除了温度变化，背景光、光反馈、电、磁场干扰可引起电路发生误动作，应设法消除。;本章重点;本章作业