半导体器件物理15研究.pptVIP

第三章 金属－半导体结;由于金属中的自由电子大部分集中在费米能级附近（这是由费米分布所决定的），因而跑出来的电子大部分来自费米能级附近，因此金属的功函数 表示为：;（2）半导体的功函数;N 型半导体在饱和电离情况下，费米能级 可以表示为;2．金属－半导体接触的表面势垒;当它们紧密接触后（忽略间隙），形成了一个统一的电子系统。由于 ，所以半导体的费米能级 大于金属的费米能级 ，即 ，半导体中的电子将向金属流动，使金属表面带负电，半导体表面带正电。它们所带电荷在数值上相等，整个系统仍保持电中性。结果降低了金属的电势，提高了半导体的电势。当它们的电势发生变化时，其内部的所有电子能级及表面处的电子能级都随同发生相应的变化，最后达到平衡状态，金属和半导体的费米能级在同一水平上，这时不再有电子的净的流动。;金属表面的负电荷是多余出来的导电电子，只占据很薄的一层（约 0.5nm）。由于半导体中施主浓度比金属中电子浓度低几个数量级，所以半导体中的正电荷将占据相对较厚的一个薄层，即在半导体表面形成了空间电荷层。和 PN 结一样，空间电荷的电场将阻止半导体中电子流入金属，达到热平衡时形成稳定的自建电场和自建电势，半导体的能带向上弯曲，形成了阻止半导体中电子向金属渡越的势垒，势垒弯曲的高度称为势垒高度。 ;② 从金属方面看，电子的势垒高度为;当金属与半导体接触形成结时，电子将从费米能级高的金属流向费米能级低的半导体，在半导体表面形成负的空间电荷区，其中电场方向由表面指向体内，能带向下弯曲。 半导体表面附近的电子浓度比体内大得多，因而是一个高电导的区域，称之为反阻挡层。 ;（2）金属与 P 型半导体接触;2）当 时;半导体一边的势垒高度为：;§ 3.2 肖特基势垒二极管;（a）未加偏压 （b）加正向偏压 （c）加反向偏压;当金属一边加正电压，半导体一边加负电压（正向偏压）时，外加电场与自建电场方向相反，N 型半导体中的势垒高度由 降低为 ，而 基本保持不变。在半导体一边势垒的降低使得半导体中的电子更易于流向金属，这是正向偏压条件，能够流过大的电流。;2．肖特基二极管电流－电压特性;和 PN 结二极管相比，肖特基势垒二极管的特点主要有： ;② 肖特基势垒二极管具有较低的正向导通电压。;1．什么是欧姆接触;在欧姆接触中，由于接触处的附加电阻很小，正反方向有对称的电流－电压特性，如图所示。;金属和半导体接触时，如果半导体掺杂浓度很高，则势垒区宽度变得很薄，电子很容易通过隧道效应贯穿势垒产生相当大的隧道电流，甚至超过热电子发射电流而成为电流的主要成分。当隧道电流占主导地位时，它的接触电阻很小，可以用作欧姆接触。因此，半导体重掺杂时，它与金属的接触可以形成接近理想的欧姆接触。