镀膜技术PVD课题.pptVIP

镀膜技术 分为气相 、液相 、固相三种，以气相沉积为主。;PVD的概念：在真空度较高的环境下，通过加热或高能粒子轰击的方法使源材料逸出沉积物质粒子（可以是原子、分子或离子），这些粒子在基片上沉积形成薄膜的技术。其技术关键在于：如何将源材料转变为气相粒子（而非CVD的化学反应）！;真空蒸发：热蒸发(thermal evaporation) ;蒸发形式. 蒸发温度?melting point, 熔化; 否则, 升华;;钨W(Tm=3380℃) 钽Ta(Tm=2980℃) 钼Mo(Tm=2630℃)? ;蒸发温度1000-2000 ° C的材料可用电阻加热作蒸发源. 加热器 ? 电阻? 通电后产生热量 ?产生热量使蒸发材料的分子或原子获得足够大的动能而蒸发.;加热装置的分类和特点： （1）丝状（0.05-0.13cm)，蒸发物润湿电阻丝，通过表面 张力得到支撑。只能蒸发金属或合金；有限的蒸发材料被蒸发；蒸发材料必须润湿加热丝；加热丝容易变脆。 （2）凹箔：蒸发源为粉末。 （3）锥形丝筐蒸发小块电介质或金属。;主要问题： ? 支撑材料与蒸发物之间可能会发生反应；? 一般工作温度在1500~1900 ℃，难以实现更高蒸发温度， 所以可蒸发材料受到限制；? 蒸发率低； ? 加热速度不高，蒸发时待蒸发材料如为合金或化合物， 则有可能分解或蒸发速率不同，造成薄膜成分偏离蒸发物 材料成分。;电子束加热装置及特点;直式枪: 高能电子束轰击材料将发射二次电子,二次电子轰击薄膜会导致膜层结构粗糙, 吸收增加, 均匀性变差.;电子束蒸发的特点; ;* 与基板温度有关 *与基板表面性质有关 ??1 (金属蒸汽凝结在自身固体上);合金的热蒸发; 瞬时蒸发法; 双源或多源蒸发法;化合物蒸发过程中可能发生的各种物理化学变化 无分解蒸发、固态分解蒸发和气态分解蒸发 化合物蒸发中存在的问题： 蒸发出来的蒸气可能具有完全不同于其固态或液态的成分； （蒸气组分变化） 在气相状态下，可能发生化合物各组元间的化合与分解过程 后果是沉积后的薄膜成分可能偏离化合物正确的化学组成。;反应蒸发;反应蒸发适用于制备高温时易发生分解的化合物，如Al2O3、TiO2等；饱和蒸气压低的化合物；熔点很高的化合物；特别是适合制备过渡金属与易解吸的O2、N2等反应气体组成的化合物薄膜，例如SiO2、ZrN、AlN、SiC薄膜; 在反应蒸发中，蒸发原子或低价化合物分子与活性气体发生反应有三个可能的部位。;溅射(Sputtering);溅射镀膜的基本物理过程：;气体放电/等离子体的产生是溅射的基础 ;1、放电区域的划分： ? 随放电电流 ?，依次经历三阶段： 无光放电区 ? 辉光放电区 ? 弧光放电区 ！ 2、放电过程分析： 1）无光放电区：因放电中无可见光辐射而得名！ ? AB段：载流子加速阶段！ ■ 少量自发离化产生的带电粒子被电场加速； ■ ?电压 V ? 游离电离粒子速度? ? 电流 I ? ? BC段：加速饱和段 ■ 上述电离粒子速度达到饱和 ? 继续 ?V，I 却保持不变 (饱和)！ ? CD段：汤生放电区 (Townsend Regime)：碰撞电离阶段！ ■ 继续 ?V ? 带电离子和电子的动能 Ek? ? 能碰撞电离气体分子的电子数? ? 电离出大量 eII 和阳离子 ? 载流子数量?? ? I ??，但同时V 只是轻微? ? DE段：电晕放电区 (Corona Regime)： ■ 电极尖端出现跳跃的电晕光斑 (局部电场强度极高，导致电晕放电！) ;? EF段：气体击穿区，雪崩放电！ ■ VVB (击穿电压) ? 气体突然发生放电击穿 而形成雪崩放电； ■ 气体中荷电粒子浓度?? ? 开始形成等离子体； ■ 等离子体的 R 随电离度?而?? ? I ?，V 反而?? ■ 同时放电由尖端等不规则位置向整个表面扩展！ ? FG段：正常辉光放电区，辉光区域向整个电极之间空间扩展！ ■ 等离子体自持放电，并趋于饱和； ■ 辉光区域向整个电极间空间扩展； ■ 载流子数量不断? ? V=const，而 I ?； ■ 辉光亮度不断升高； ■ 到G点后，辉光区域充满两极之间空间。;2、放电过程分析： 2）辉光放电区： ? GH段：异常辉光放电区，溅射