MOS基本原理驱动分析.pptVIP

MOS结构以及驱动技术;N型半导体; 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。;MOS场效应管;绝缘栅场效应三极管; 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。; 2.N沟道耗尽型MOSFET;3 .场效应管的主要参数;等效电路;小信号模型分析法 ;二、基本数学方程;二阶电路中有二个动态元件,描述电路的方程是二阶线性微分方程。一般LC电路就可以使用该方程求解。;三、R、L、C暂态过程;2.RC电路的零状态响应;3. RL电路的零输入响应;4. RL电路的零状态响应;5. 二阶电路的响应;初始：uC(0+)=U0 i(0+)=0;零状态响应的三种情况;;uc 的解答形式：;δ;零状态响应：初始状态电容上无电压，充电过程。;四、MOS数学模型;L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。 Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号为12V峰值的方波。 Cgs为MOSFET栅源极电容，不同的管子及不同的驱动电压时会不一样，这儿取1nF。 VL+VRg+VCgs=12V;不同实根时是个过阻尼震荡，有两个相同实根时是临界阻尼震荡，当有虚根时是欠阻尼震荡，此时会在MOSFET栅极产生上下震荡的波形，这是我们不希望看到的，因此栅极电阻Rg阻值的选择要使其工作在临界阻尼和过阻尼状态，考虑到参数误差实际上都是工作在过阻尼状态。;动态工作的时候MOS等效驱动电路模型：依然可以用二阶响应电路来分析。; 栅极电荷QG是使栅极电压从0升到10V所需的栅极电荷，它可以表示为驱动电流值与开通时间之积或栅极电容值与栅极电压之积。现在大部分MOS管的栅极电荷QG值从几十纳库仑到一、两百纳库仑。 栅极电荷QG包含了两个部分：栅极到源极电荷QGS；栅极到漏极电荷QGD—即“Miller”电荷。QGS是使栅极电压从0升到门限值（约3V）所需电荷；QGD是漏极电压下降时克服“Miller”效应所需电荷，这存在于UGS曲线比较平坦的第二段，此时栅极电压不变、栅极电荷积聚而漏极电压急聚下降，也就是在这时候需要驱动尖峰电流限。实际的QG还可以略大，以减小等效RON，但是太大也无益，所以10V到12V的驱动电压是比较合理的。 在尾部需要一个高的尖峰电流以减小MOS管损耗和???换时间。;栅极尖峰电流Id的计算：电荷必须完全满足开关时期的寄生电容所需。;综合前面分析：可以看到当Rg比较小时驱动电压上冲会比较高，震荡比较多，L越大越明显，此时会对MOSFET及其他器件性能产生影响。但是阻值过大时驱动波形上升比较慢，当MOSFET有较大电流通过时会有不利影响。 当L比较小时，驱动电流的峰值比较大，而一般IC的驱动电流输出能力都是有一定限制的，当实际驱动电流达到IC输出的最大值时，此时IC输出相当于一个恒流源，对Cgs线性充电，驱动电压波形的上升率会变慢。此时由于电流不变，电感不起作用。这样可能会对IC的可靠性产生影响，电压波形上升段可能会产生一个小的台阶或毛刺。 在选择驱动芯片的时候，需要计算驱动的电流、电压，以及内阻。特别是用图腾柱来作为MOS的推导级的时候，还需要考虑导通的时候电源内阻，三极管导通内阻，会不会在瞬间MOS电流充电的时候发生压降。总之在MOS驱动设计的时候需要全面进行考虑，Rg的选择也要寻求一个平衡点。