第二章组合逻辑电路要点.ppt

数字电子技术（基础） 学习要点： 运用组合电路的分析方法对具体电路进行分析； 运用组合电路的设计方法设计出所需的电路； 组合逻辑电路中的竞争—冒险现象、产生的原因、判断方法及消除方法。 第二章 组合逻辑电路 ２.2 组合逻辑电路的分析与设计方法 2.2 组合逻辑电路的分析方法 2.3 组合逻辑电路的设计方法 2.4 组合逻辑电路中的竞争冒 险 退出 第二章 组合逻辑电路 2.1 集成门电 路 2.1 集成门电路 一、 TTL门电路 二、 CMOS门电路 三、 数字集成电路的品种类型 四、数字集成电路的性能参数和使用 参见阎石主编的＜数字电路技术基础＞第四版Ｐ45~123 集成电路的外部特性包含两个内容，一个是输入与输出之间的逻辑关系，即所谓的逻辑功能；另一个是外部的电气特性,包括电压传输特性、输入特性、输出特性和动态特性。电气特性是实际使用集成电路必要的基础。 将数字电路的元、器件和连线制作在同一硅片上的器件，称为集成电路Integrated Circuit，简称IC）。它于1961年在美国德克萨斯仪器公司诞生。 按集成度（即每一片硅片中所含元、器件数）的多少，集成电路可分成：小规模集成电路（Small Scale Integration ，简称SSI）、中规模集成电路（Medium Scale Integration ，简称MSI)、大规模集成电路（Large Scale Integration ，简称LSI)、超大规模集成电路（Very Large Scale Integration ，简称VLSI）。 根据制造工艺不同，集成电路可分成双极型和单极型两大类： 双极型有输入端和输出端均为三极管结构的逻辑电路（Transistor-Transistor Logic，简称TTL电路）、发射极耦合逻辑电路（Emitter Coupled Logic，简称ECL电路）、集成注入逻辑（Integrated Injaction Logic，简称I2L电路）。 单极型有互补型金属-氧化物-半导体场效应管电路（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，简称CMOS电路）、N沟道金属-氧化物-半导体场效应管电路（N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor，简称NMOS电路）、P沟道金属-氧化物-半导体场效应管电路（N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor，简称PMOS电路）和双极型CMOS电路（Bipolar- CMOS，简称Bi-CMOS电路）等等。 一、 TTL门电路 TTL门电路由双极型三极管构成,它的特点是速度快、抗静电能力强、集成度低、功耗大,目前广泛应用于中、小规模集成电路中。TTL门电路有74（商用）和54（军用）两大系列,每个系列中又有若干子系列,例如，74系列包含如下基本子系列： 与非门7400为例，说明74系列中各子系列的差别 74:标准TTL(Standard TTL)。 74H:高速TTL(Highspeed TTL)。输出级采用了达林顿（复合三极管）结构，将所有的电阻值降低将近一半，提高了平均传输速度近一倍(通常在10ns以下）。功耗大。 74S:肖特基TTL(Schottky TTL)。采用抗饱和三极管（或称肖特基三极管，是普通三极管和肖特基势垒二极管组合而成），避免三极管导通是深度饱和，从而缩短了传输时间；增加了一个有源泄放回路，缩短了门电路的传输时间，改善了门电路的电压传输特性。功耗大，输出低电平升高（最大值可达0.5V） 74:标准TTL(Standard TTL)。 74H:高速TTL(Highspeed TTL)。输出级采用了达林顿（复合三极管）结构，将所有的电阻值降低将近一半，提高了平均传输速度近一倍(通常在10ns以下）。功耗大。 74H系列与非门电路。 肖特基TTL(Schottky TTL)。采用抗饱和三极管（或称肖特基三极管，是普通三极管和肖特基势垒二极管组合而成），避免三极管导通是深度饱和，从而缩短了传输时间；增加了一个有源泄放回路，缩短了门电路的传输时间，改善了门电路的电压传输特性。功耗大，输出低电平升高（最大值可达0.5V） 74H系列与非门电路。 74S系列与非门电路。 74S系列与非门电路。 74LS系列与非门电路。 74LS:低功耗肖特基TTL(Lowpower Schottky TTL)。除同74S一样，采用抗饱和三极管、引入有源泄放回路以外，还采用了将输入端的多发射极三极管改用肖特基势垒二极管、在T4的基极和发射极各接入一个二极管以缩短了门电路的传输时间。采用提高电路中各个电阻的电阻值、将Ｔ３管的发射极接地电阻改接到输