第三章-光束的控制要点.ppt

第三章 光束的控制 光束的控制，就是用信息信号对激光辐射进行作用。 分类： 根据调制的参量：振幅调制；频率调制；相位调制；光偏转 根据位置：腔内调制；腔外调制 3.1 改变激励电流的内调制 电灯泡等热发光器件，热变化慢，调制频率低 激光器的调制频率与能级寿命有关 Ar+激光4GHz；He-Ne激光1MHz；CO2激光几KHz；Nd:YAG激光几KHz 半导体激光和发光二极管调制频率取决于载流子寿命。电流越高，寿命越短，频率越高 微波+直流46GHz 脉冲编码 脉冲位置调制PPM 脉冲宽度调制PWM 3.2 改变激光谐振腔参量的内调制 原理：1.改变光学介质的折射率 电光；声光；磁光 2.改变谐振腔的Q值：调Q技术 3.使各纵模相干叠加：锁模技术 3.2.1 激光的腔内电光调制 电光效应：某些晶体在外加电场的作用下，折射率发生变化的一种现象 介质在平行于外加电场方向上产生一附加主轴，使入射光产生o光和e光两分量，其折射率不同，传输速度不同，形成光程差Δn·l，感生相移2π/λ · Δn·l, 正比于V2，克尔效应； 正比于V，普克尔效应 克尔Kerr效应 光轴：光沿这个方向传播时，折射率与偏振无关 晶体的双折射： (平面偏振)光束入射到晶体内，分解为:(a)寻常光(o光，平行于光轴)； (b)非常光(e光，垂直于光轴) 正晶体none ，负晶体none no≠ne →vo ≠ ve→产生光程差Δn·l →相移δ →偏振态改变 克尔效应：外加电场→ 附加主轴→ o光和e光产生光程差ΔL =Δn·l=JlV2/d2 J:克尔系数。硝基苯的克尔系数大。 普克尔Pokels效应 普克尔效应是线性电光效应: δ ∝V 横向普克尔效应E⊥ k 纵向普克尔效应E ∥k 普克尔电光效应 用折射率椭球可以描述各向异性晶体的光的传播特性 单轴晶体中 OP传输光，作一垂直于OP的面，截得一椭圆，其长短轴大小分别表示两个偏振向的折射率 对晶体加电压后，折射率椭球的形状、大小、方位均发生变化。 普克尔电光效应 KDP(KH2PO4)晶体外加电压 Z向加电压，E=Ez≠0,Ex=Ey=0 变换后 新的椭球在x-y平面内旋转45 °，电感应主轴x ′，y ′ 普克尔电光效应 z轴方向射到晶体上的光是x(或y) 线偏振光 未加电压时，晶体对各个方向振动沿z轴传输的光的折射率都相同（为no），因而光通过晶体后不改变偏振态 z轴方向加电压后，折射率椭球变形，感应主轴方向x′和y′方向转了45°，且感应主折射率变为nx′和ny′，x（或y）偏振光就分解为x′和y′方向二个偏振分量，射出晶体时两者就有位相差 （3.2.3）式。偏振方向发生改变。横向加电压类似 激光的腔内电光调制 具有一定位相差的互相垂直的两个线偏振光，合成后偏振态取决于δ。一般为椭圆偏振光。δ=π/2时，变为圆偏振光。δ=π时，仍是线偏振光，但偏振方向旋转了90°。所加的电压称为半波电压，用Vπ或Vλ/2 表示 激光腔内放置普克耳盒，外加电压使偏振发生偏转，调制光通过布氏窗反射出去 3.2.2 Q调制 调Q原理 Q值定义：P34 泵浦时：Q值很低，振荡阈值很高，粒子数反转，但没有激光振荡输出 粒子数反转达到峰值，Q值突然增加，振荡阈值急降，振荡场迅速增长，输出巨脉冲(ns)。 脉冲泵浦下的调Q过程 Q调制 Q开关：快门 实现Q开关作用两个重要条件 泵浦速率快于上能级的自发跃迁速率 Q开关动作快。10ns 调Q技术 电光调Q：克尔效应，普克尔效应 染料调Q 可饱和吸收 声光调Q 转镜调Q 电光Q调制 电光Q开关：克尔盒或普克尔盒加电场 晶体上加电压，偏振片产生的线偏振光入射，后变成圆偏振，经反射镜后再经过晶体，再旋转成为线偏振，但偏振方向差90 °，不能通过偏振片，这时是低Q状态，高阈值，激光不能振荡。电压为0时，高Q低损低阈值 3.2.2 锁模 多纵模运转时，各纵模振幅和相位相差很大 锁模(锁相)：锁定各纵模相位。可获得一系列脉冲输出(ps,fs)。 超短脉冲可研究基本物理问题 1. 锁模原理 假设(2N+1)个纵模，振幅E0相同，位相锁定如下： 光波总电场 其中 锁模原理 2N+1个模式经过锁定以后，总的光波场变为频率为v0 的单色调幅波，振幅A(t)－即总光波场受到振幅调制 振幅A(t) 是随时间变化的周期函数，光强A(t)2 ，也是时间的函数,光强受到调制。分母为0时，振幅得到极大值。两个相继脉冲时间间隔 此时振幅(2N+1) E0，峰值功率较高，正比于(2N+1)2 E0 2 ，一般非均匀加宽激光器，各模式相位随机，功率正比于(2N+1) E0 2 Δτ=1 /Δν，非均匀加宽带宽越大，谱线越窄 2.锁模方法 锁模激光器可理解为