第2章半导体中的载流子及PN结概念.pptx

第2章 半导体中的载流子与P-N结 本章主要内容 一、半导体中的电子状态及能带 二、半导体中的杂质和缺陷能级 三、半导体中载流子的统计分布 四、半导体的导电性 五、非平衡载流子 六、P-N结 七、异质结 八、光和半导体的相互作用 一、半导体中的电子状态及能带 1、原子的能级和晶体的能带 制造半导体器件所用的材料大多是单晶体。单晶体是由靠得很紧密的原子周期性重复排列而成，相邻原子间距只有零点几nm的数量级，彼此之间存在相互作用。因此，半导体中的电子状态与单个原子的电子状态不同，特别是外层电子会有显著的变化。但是，晶体是由分立的原子凝聚而成，两者的电子状态又必定存在着某种联系。 以原子结合成晶体的过程定性说明半导体中的电子状态： 原子中的电子在原子核的势场和其他电子的作用下，分列在不同的能级上，形成所谓的电子壳层，不同支壳层的电子分别用1s；2s，2p；3s，3p，3d；4s???等符号表示，每一支壳层对应于确定的能量。当原子相互接近形成晶体时，不同原子的内外各电子壳层之间就有了一定程度的交叠。大量原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上，因而，电子将可以在整个晶体中运动，这种运动称为电子的共有化运动。 由于各原子中相似壳层上的电子才有相同能量，电子只能在相似壳层间转移。 晶体中电子作共有化运动时的能量如何变化？先以两个原子为例： 当两个原子相距很远时，如同两个孤立的电子，原子能级如图2.1（a）所示，每个能级都有两个态与之对应，是二度简并的。当两个原子相互靠近时，每个原子中的电子除受到本身原子的势场作用外，还要受到另一个原子势场的作用，其结果是每一个二度简并的能级都分裂为两个彼此相距很近的能级；两个原子靠得很近，分裂得越厉害。图2.1（b）是六个原子互相靠近时能级分裂的情况。可以看到，每个能级都分裂为六个相距很近的能级（不计原子本身的简并）。 图2.1（a）单个原子的能级图（部分） 图2.1（b）六个原子靠近后的能级图（部分） 两个原子互相靠近时，原来在某一能级上的电子就分别处在分裂的二个能级上，这时，电子不再属于某一个电子，而为两个原子所共有。 考虑由N个原子组成的晶体。晶体每立方厘米体积内约有1022─1023个原子。假设N个原子相距很远尚未结合成晶体时，每个原子的能级都和孤立原子一样，它们就是N度简并的（不计原子本身的简并）。当N个原子互相靠近结合成晶体后，每个电子都要受到周围原子势场的作用，其结果是每一个N度简并的能级都分裂成N个彼此相距很近的能级，这N个能级组成一个能带。这时电子不再属于某一个原子而是在晶体中作共有化运动。分裂的每一个能带（包含N个相距很近的能级）都称为允带，即允许电子能级存在的能量范围，允带之间没有能级存在（即不允许存在电子能级），称为禁带。 图2.2 原子能级分裂为能带的示意图 内壳层的电子原来处于低能级，共有化运动很弱，其能级分裂得很小，能带很窄，外壳层电子原来处于高能级，特别是价电子，共有化运动很显著，如同自由运动的电子，常称为“准自由电子”，其能级分裂最为明显，能带很宽。 每一个能带所包含的能级数（或者说共有化状态数），与孤立原子能级的简并度有关。例如s能级没有简并（不计自旋），N个原子结合成晶体后，s能级便分裂为N个十分靠近的能级，形成一个能带，这个能带中共有N个共有化状态。P能级是三度简并的，便分裂成3N个十分靠近的能级，形成的能带中共有3N个共有化状态。实际的晶体，由于N是一个非常大的数值，能级之间又靠得很近，所以每一个能带中的能级基本上可视为连续的，有时称为“准连续的”。如图2.3所示。 图2.3(a) 原子数与能级分裂 图2.3(b) N个能量为E0的原子结合成晶体，由于原子间相互作用，原有能级分裂为N个非常靠近，接近连续的小能级，这些能级组成了能带 2、半导体中电子的状态和能带 晶体中的电子与孤立原子中的电子不同，也和自由运动的电子不同。孤立原子中的电子是在该原子的核和其他电子的势场中运动，自由电子是在一恒定为零的势场中运动，而晶体中的电子是在严格周期性重复排列的原子间运动。单电子近似认为，晶体中的每一个电子是在周期性排列且固定不动的势场以及其他大量电子的平均势场中运动，这个势场也是周期性变化的，而且它的周期与晶格周期相同。 电子在周期性势场中运动的基本特点和自由电子的运动十分相似，先分析自由电子的运动：微观粒子具有波粒二象性，表征波动性的量与表征粒子性的量之间有一定联系。一个质量为m0，速度v自由运动的电子，其动量与