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薄膜生长技术——热壁外延生长（HWE） 热壁外延生长技术，从实质上看是一种真空蒸发淀积外延生长技术。它是在真空条件下加热源材料、生长室的壁和衬底。源的温度比衬底温度高，从源表面蒸发出来的化合物分子或其组分原子，有的直接运动到达衬底表面，有的则与生长室壁发生碰撞。由于生长室的热壁温度几乎等于源的温度，因此，与热壁发生碰撞的的分子或原子几乎不损失动能，与热壁碰撞之后仍然可以到达衬底表面，在衬底上淀积，进行外延生长。根据生长室壁加热的特点，人们把这一外延生长技术称之为热壁外延（Hot Wall Epitaxy, HWE） 1 热壁外延生长的分类和装置 1.蒸发材料的损失保持在最小；2.生长管中可以得到洁净的环境；3.管内可以保持相对较高的气压；4.源和基片间的温差可以大幅度降低。 生长过程： 1、 升华当CdTe源温度为Ts时，由于热起伏，CdTe源表面有部分分子获得足够高的能量，使得它克服其它分子对它的作用，从晶体表面逸出，成为CdTe气态分子并立即分解为Cd和Te2，这一升华过程，可表示为这一过程与CdTe源表面状况、温度Ts及源上方的蒸气压有关。考虑一升华表面，设vx为固态分子垂直于升华表面方向的速度，nx为单位体积内速度处于vx与Vx+dvx之间的CdTe分子数。显然，只有那些速度大于逸出速度Vg的CdTe分子才能克服周围分子对它的引力面升华。因此，单位时间内，单位面积上升华的CdTe分子数Ns，即升华速率为 2、输运若HWE是在CdTe源温800K下进行，组分的蒸气压最高为100Pa的数量级。所以把Cd和Te的蒸气都视为理想气体。在理想气体混合物中，任一组分气体的化学势，即为同温度时该气体在组态时的化学势Pi为混合气体中i组分的气体分压， 为Pi=1时的化学势。在源处Cd组分的化学势为式中 为对应于Ts的Cd的平衡分压。同理，在衬底处Cd组分的化学势为式中 为对应于Td的Cd的平衡分压。 因为  所以同样，对于组分Te也有类似的结果，即因此，在热壁外延中，Cd和Te的气态分子，是依靠上述化学势差的作用，从源输运到衬底表面的。 3、淀积生长气态物质在衬底上进行淀积，是在相变驱动力作用下，从亚稳态气相转变成稳定的面相的相变过程。相变驱动力的表达式为式中， 为单个分子由亚稳流体转变为固态所引起的自由能的变化； 为单个固态分子的体积。所以相变驱动力，实际上是生长单位体积晶体所引起的自由能的降低。与输运过程分析类似，衬底表面的化学势与衬底表面上气相化学势之差为式中，Pi为衬底表面气相的过饱和蒸气压（PCd或PTe2）。 为与Td对应的平衡蒸气压（ 或 ）. 单个分子由蒸气转变为晶体所引起的自由能变化由于气体常数与波尔兹曼常数之间有下列关系，R=N0k，所以得在CdTe淀积时，气相中的Cd和Te2被衬底吸附后，在相变驱动力作用下，由气态的CdTe变成固态的CdTe，这一过程是升华的逆过程，可用下式表示 4、成核考虑一种稳定生长的简单情况。即源材料没有损失，只在衬底上淀积。则单位时间内被衬底吸附的分子数等于单位时间内从源升华的分子数。在这种情况下，成核率，即单位时间，在单位衬底表面上的CdTe的晶核数可表示为式中，S0为源的升华表面的总面积，S为衬底面积， 为衬底和晶胚的界面与晶胚和气相的界面之间的夹角。 为表面张力。目前， 尚不能测定其值。因此还不能具体计算或成核率I。外延生长时，必须满足PiPi0的条件，而Pi和Pi0又分别决定于Ts和Td。所以外延生长时必须TsTd，否则不仅不能在衬底上进行外延生长，反而会进行反向生长，即衬底为源，源变成衬底。 二 HWE生长装置图示出一种比较简单的HWE装置。它由生长系统、加热及控温系统、真空系统三部分组成。生长系统由三段直径不同的石英管构成。石英管顶部放置有衬底的样品托，中部为源（CdTe），下部放补偿源（生长CdTe可以不放）。不锈钢制样品托固定在一个可旋转的连杆上。样品托上可同时旋转三个衬底，当衬底不对着源管时，样品托还能起挡板作用。 加热与控温系统包括三个炉子，上炉加热衬底，中部炉加热源和生长室壁，下炉是加热补偿源的。每个炉上都有两个铂电阻，一个铂电阻接入温度指示电路，用数字源度计显示炉温。另一个铂电阻接入控温系统，控制温度用0～600度的控温系统，使炉子温度有较好的稳定性。真空系统包括机械泵，两个扩散泵，液氮冷阱以及真空测量仪，使生长系统可达到10-4Pa的真空度。 MOCVD与其他外延生长相比有以下特点： 反应装置较为简单，生长温