课后习题三(第四章).docVIP

课后习题二（第四章） 1、存储器是计算机系统的记忆设备，它主要用来（ D ） A. 存放程序 B. 存放微程序 C. 存放特殊的数据 D. 存放数据和指令 2、存储字是（ A ） A. 存放在一个存储单元的二进制代码组合 B. 存放在一个存储单元的二进制代码个数 C. 存储单元的集合 D. 与存储器无关 3、存储字长是指（ B ） A. 存放在一个存储单元的二进制代码组合 B. 存放在一个存储单元的二进制代码个数 C. 存储单元的集合 D. 以上均不对 4、存储周期是指（ C ） A. 存储器的写入时间 B. 存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔 C. 存储器进行连续读或写操作所允许的最短时间间隔 D. 与存储器的具体实现技术无关 5、和外存储器相比，内存的特点是（ A ） A. 容量小、速度快、成本高 B. 容量小、速度快、成本低 C. 容量大、速度快、成本高 D. 容量大、速度慢、成本低 6、一个16K×32位的存储器，其地址线和数据线的总和是（ B ） A. 48 B. 46 C. 36 D. 32 7、一个512KB的存储器（按字节编址），其地址线根数是（ D ） A. 64 B. 32 C. 20 D. 19 8、某计算机字长为16位，它的存储容量是64KB，按字编址，则它的寻址范围是（ C ） A. 64K B. 32KB C. 32K D. 无法确定 9、某一RAM芯片，其容量为512×8位，如果考虑电源和接地引脚，则该芯片引出的引脚数最少是（ A ） A. 21 B. 19 C. 17 D. 15 10、若主存每个存储单元为16位，则（ B ） A. 其地址线也为16位 B. 其地址线与16无关 C. 其地址线最少为16位 D. 其地址线与16有关 11、通常计算机的内存可采用（ A ） A. RAM和ROM B. RAM C. ROM D. 磁盘 12、EPROM是指（ C ） A. 只读存储器 B. 可编程的只读存储器 C. 可擦除的可编程的只读存储器 D. 电可擦除的可编程的只读存储器 13、可编程的只读存储器（ A ） A. 不一定是可改写的 B. 一定是可改写的 C. 一定是不可改写的 D. 以上均不对 14、下列说法中（ D ）是正确的 A. 半导体RAM信息可读可写，且断电后仍能保持记忆 B. 半导体RAM是易失性RAM，而静态RAM中的存储信息是不易失的 C. 半导体RAM是易失性RAM，而动态RAM中的存储信息是不易失的 D. 半导体RAM是易失性RAM，而静态RAM只有在电源不掉时，所存信息是不易失的 15、下列说法中（ B ）是正确的 A. EPROM是可改写的，但改写一次后不能再次改写 B. EPROM是可改写的，且可多次改写 C. EPROM是可改写的，是用电信号直接改写 D. EPROM是可改写的，是用磁信号直接改写 16、和动态MOS存储器相比，双极性半导体存储器的性能是（ C ） A. 集成度高、存取周期快、位平均功耗少 B. 集成度高、存取周期快、位平均功耗大 C. 集成度低、存取周期快、位平均功耗大 D. 集成度低、存取周期快、位平均功耗少 17、在磁盘和磁带两种磁表面存储器中，存取时间与存储单元的物理位置有关，按存储方式分（ B ） A. 二者都是顺序存取 B. 磁盘是随机半顺序存取，磁带是顺序存取 C. 磁带是随机半顺序存取，磁盘是顺序存取 D. 二者都是随机半顺序存取 18、磁盘的记录方式一般采用（ A ） A. 调频制 B. 调相制 C. NRZ D. NRZ-1 19、在磁表面存储器的记录方式中（ D ） A. 不归零制和归零制的记录密度是一样的 B. 不归零制的记录方式中不需要同步信号，故记录密度比归零制高 C. 归零制的记录方式中需要同步信号，故记录密度高 D. 不归零制记录方式由于磁头线圈中始终有电流，因此抗干扰性能好 20、磁盘存储器的平均等待时间通常是指（ B ） A. 磁盘旋转一周所需的时间 B. 磁盘旋转半周所需的时间 C. 磁盘旋转2/3周所需的时间 D. 磁盘旋转1/3周所需的时间 21、一个四体并行交叉存储器，每个模块的容量是64K×32位，单体的存储周期为200ns，在下述说法中（ B ）是正确的 A. 在200ns内，存储器能向CPU提供256位二进制信息 B. 在200ns内，存储器能向CPU提供128位二进制信息 C. 在50ns内，存储器能向CPU提供32位二进制信息 D