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五、光刻蝕技術(P166) 兩個重要概念 什麽叫積體電路? 用半導體晶體材料，經平面工藝加工製造，將電路的元件、器件和互連線集成在基片內部、表面或基片之上的微小型化電路或系統。英文簡稱IC。 1958年美國開始研製混合積體電路，即將微型電阻、電容、晶體二極管和晶體三極管等裝配到一個絕緣基片上，用基片上的金屬化線互連實現某種功能的電路元件?。 什麽叫光刻技術? 積體電路製造中利用光學- 化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成有效圖形視窗或功能圖形的工藝技術。 利用照相複製與化學腐蝕相結合的技術，在工件表面制取精密、微細和複雜薄層圖形的化學加工方法。 利用光致抗蝕劑(或稱光刻膠)感光後因光化學反應而形成耐蝕性的特點，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。 1.光刻原理 光刻蝕————就使用電磁波頻譜中的光束或電子、X射線和離子等射線，將光致抗蝕劑(光刻膠)形成規定圖形的微細加工方法。 （1）積體電路光刻工藝過程： a）矽片製備和氧化 b）塗敷感光膠 c) 嚗光 d) 顯影 e) 腐蝕氧化膜 f) 除去感光膠 見下圖 2.積體電路光刻工藝的一般過程 光刻工藝過程兩大工序:掩膜製造和光刻蝕加工 (1)掩膜製造 ①繪製比原件實際尺寸大100—500倍的放大圖。 ②用精縮照像機把該圖縮小到元件尺寸的十倍左右， ③再利用分步重復照像機進一步縮到和元件尺寸相同的掩膜(稱之爲母掩膜)， ④母掩膜經翻拍複印成工作(光刻)掩膜，製作電路時只用工作掩膜。 (2)光刻蝕加工 光刻工藝過程包括以下幾個步驟： 1)塗膠 把光致抗蝕劑(光刻膠)塗敷在氧化膜(Si02)上的過程。 正性膠經曝光後，被光照射過的部分難於被顯影液溶解，故顯影圖形中未被光照射過的部分形成視窗。負性膠則相反?￡ 2)曝光 由光源發出的光束(或光化射線，如電子束、X射線等)經掩膜在光刻膠上成像，使聚焦成細小的束斑直接照射在光刻膠上的過程。 曝光光源 發展了---電子束、離子束、 X射線。解析度可達0.001～0.006μm。 3)顯影與烘片 顯影----利用曝光區與未曝光區光刻膠溶解度不同，在特定溶劑中把曝光圖呈現出來的處理過程。 烘乾----爲提高抗蝕劑的強度,對顯影後的片子的清洗過程。 4)腐(刻)蝕 獲得氧化膜(Si02膜等，又稱保護膜)圖形的最終工序是圖形刻蝕。 它是利用化學或物理的刻蝕方法，將沒有抗蝕劑(感光膠)保護部分的氧化膜(SiO2)去除的一種微細加工方法。 刻蝕方法分爲 濕刻(或稱腐蝕)法---(化學) 把矽片浸泡在一定的化學試劑或試劑溶液中，使沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜表面與試劑發生化學反應而被除去,是傳統的刻蝕方法。 幹刻蝕法---(物理) 如等離子刻蝕：利用氣壓爲10～1000帕的特定氣體（或混合氣體）的輝光放電，産生能與薄膜發生離子化學反應的分子或分子基團，生成的反應産物是揮發性的。它在低氣壓的真空室中被抽走，從而實現刻蝕。 圖形的最小特徵尺寸比極限解析度大得多時，用濕刻； 圖形的最小特徵尺寸接近極限解析度時，採用幹刻蝕。 5)剝膜與檢查 剝膜---清除殘留腐蝕液後用剝膜液去除光刻膠的處理。 檢查---剝膜後要對刻蝕圖形進行的外觀、線條尺寸和斷面形狀及物理和電子特性的檢查。 六、電子束加工與光刻技術(P168) 1.電子束的熱效應 電子束的熱效應----- 電子槍(見下圖)産生的電子在真空室內經電磁透鏡聚焦成小的束斑(一般束流橫截面直徑爲φ2.5一lOμm)，同時在高電壓正電極作用下形成高能量密度的高速電子束流。 當它衝擊到工件材料上時，在幾分之一微秒的瞬間，入射電子與工件原子相互碰撞，使原子振動加快而産生熱，電子束傳遞給工件的能量大部分都轉換成熱能。由於電子束的能量密度高，作用時間短，所産生的熱量在未來得及傳導擴散前已使工件材料局部熔化、氣化，甚至蒸發。這種物理現象稱電子束的熱效應。 2.電子束加工 鐵的溶化溫度爲1536C°，其單位表面氣化所需能量爲63kW／cm2， 鎢的熔化溫度高達3410℃，其單位表面氣化所需能量也只有100kW/cm2； 在一定條件下電子束照射在工件表面的功率密度爲氣化所需功率的50倍(爲50×100kW/cm2) ，足以使熔點很高的鎢暫態氣化和蒸發。 利用電子束熱效應進行電子束加工時，可通過調整功率密度實現不同的加工: 1）在低功率密度電子束照射時，工件可達到材料熔化溫度，材料的氣化與蒸發很小，故用在電子束熔煉工藝中。見下圖： 2）在中等功率密度電子