1单晶材料的制备资料解读.ppt

§1 单晶材料的制备 1．前言 多晶体含有晶粒晶界，人们利用多晶来研究材料性能时在很多情况下得到的不是材料本身的性能而是晶界的性能，有的性能必须用单晶来研究。 晶体生长可以在固体、液体、气体中发生。在某一系统内，现存的唯一组分就是要结晶的材料，只含少量杂质或有意加入的低浓度掺杂元素，这种条件下生长单晶称为单组分结晶； 2．晶体生长热力学： 晶体生长热力学是在生长非常接近于平衡态下，预测生长量、以及成分随温度、压力和实验中其它变数而改变的情况。 3．晶体生长动力学： 主要是阐明在不同生长条件下的晶体生长机制以及晶体生长速率与生长驱动力间的规律。包括： 4．晶体生长技术分类 下面分别介绍上述方法 ①．提拉法：熔体固化技术中有一种称为提拉法或乔克拉斯法（Gockralski J. 1917）。（从熔体中生长晶体）。 整个生长装置安放在一个可以封闭的外罩里，以便使生长环境中有所需要的气氛和压强。 提拉法是熔体生长最常用的方法之一，能顺利地生长某些易挥发的化合物和特殊形态的晶体（如八边形、长4.5m的硅管、漏斗形等各种复杂形状的蓝宝石晶体、带状硅和氧化物晶体）。 晶体提拉法生长要点 （1）温度控制 （2）提拉速率 　????提拉的速率决定晶体生长速度和质量。适当的转速，可对熔体产生良好的搅拌，达到减少径向温度梯度，阻止组分过冷的目的。一般提拉速率为每小时6-15mm。 Ⅱ．提拉法的主要优点： c． 可以方便的使用定向籽晶和“缩颈”工艺。缩颈后配籽，其位错可大大减小，这样可使放大后生长出来的晶体，其位错密度降低。 III．实现成功的提拉必须满足的准则是： c．炉子及加热元件要保证能加热到熔点，该熔点要低于坩埚的熔点。 坩埚熔点比工作温度必须高出200℃左右。 坩埚材料：铂、铱、钼、石墨、二氧化硅、其他高熔点氧化物。 Ⅳ．提拉法的一般工艺。 a．加热方式 电阻加热和高频感应加热，只有无坩埚生长技术才使用激光束加热、电子束加热、等离子体加热、弧光聚焦加热等。 高频加热——提供比较干净的生长环境，并能用很短的时间进行精密控温，成本和运转费用较高。坩埚本身是加热器，＞1500℃用铱坩埚，＜1500℃用铂埚。 b．晶体直径的自动控制技术。 这种技术不仅使生长过程的控制实现了自动化，而且提高了晶体的质量和成品率。 晶体成象法——直接测量晶体直径 称重法：称量晶体的重量或坩埚的重量 c．液相封盖技术和高压单晶炉，即LEC技术 用这种技术可以生长那些具有较高蒸气压或高离解压的材料。 用一层液相的物质覆盖着熔体，同时，炉膛内的压力高于熔体的挥发组分的离解压。 d．晶体形状的控制——导模法即EFG技术 能不能按照实际的需要直接生长出预定形状的晶体？ 为了满足上述需求，人们发展了异形晶体的生长技术，导模技术就是较优秀的一种方法，实质上它是提拉法的一种变形。 e．温场的选择和控制 生长高质量晶体的一个很重要的条件就是要有合适的温度场，对于掺杂晶体需要有大的温度梯度。 不掺杂的晶体或易开裂的晶体采用较小的温度梯度。 f．晶体转动对生长的影响 晶转搅拌熔体，产生强制对流，对生长过程的影响是多方面的。 g．生长率：提拉速率不能超过一定的临界值，该临界值决定与材料的性质和成长参数。 h．掺杂：目的得到有特殊性能的晶体，或改变晶体的某种性能。如许多氧化物掺入Nd3+后就产生了光致发光的特性。 ②．半导体晶体生长的气相外延法 半导体晶体是当今纯度最高的和最完整的晶体材料，因此它在晶体生长学中占有重要的一席。 可从熔体中生长出来半导体晶体， 可从高温溶液中生长出半导体晶体， 气相外延法、升华法、离子束离子团束外延生长。 其中气相外延生长是在单晶衬底上气相生长半导体外延层，是20世纪60年代以来发展起来的重要技术。 若单晶是通过气源在衬底区发生的反应，产生的固相在衬底上形成外延层，气态副产物排出反应室，这就归属于化学气相沉积技术（CVD）。 Ⅱ．歧化反应（自身氧化—还原反应） a．反应剂（源）从主气流区输送到沉积区； d．成膜前体通过表面扩散到生长点 习惯上气相外延方法常以起始源化合物来命名，如卤化物气相外延、金属有机物气相外延。 作为源的物质在常温下或是气态的或是具有较高蒸气压的凝聚态，其蒸气可以用载带气体输运到反应区中。 ③．焰熔法生长刚玉型彩色宝石简介 目前市场上大量出现的，可以规模生产的，成本低廉的有以下几个系列： 刚玉系列(焰熔法)：价格在几元至几十元人民币一粒戒面。 水晶系列：价格在30-40元一串项链。 立方氧化锆(CZ)系列:锆石的, 价格