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第二章 凝固动力学
* 1. 连续长大 这种长大在其界面上的所有位置都是等效的,界面的向前推进主要是原子随机地、连续不断地在界面上附着。只要沉积原子的供应不成问题,其长大可以连续不断地进行。 根据古典的速度理论推导出其晶体的长大速度为: 长大速度R与过冷度△Tk 的关系 由式可见:长大速度与过冷度成直线关系,一般金属多属于这种情况。当DL随温度改变较大时,R在一定过冷度下增加到极大值,然后随过冷度增加而减小,非金属粘性液体如氧化物、有机物等多属这种情况。 * 二维晶核长大速度与过冷度的关系如图所示,在过冷度很小时,其长大速度几乎等于0,当过冷度增加到一定数值后,长大速度突然增加很大,继续提高过冷度时,则将完全按粗糙界面长大方式进行。这是由于在大的过冷度下,二维晶核的形核速度很大,以至在晶面上同时形成很多晶核,此时的界面结构事实上已成为粗糙界面,在这种情况下,长大速度将与粗糙界面的相同,其长大方式也与粗糙界面一样。 2. 二维晶核台阶长大 连续长大和二维晶核长大速度R与△Tk 的关系 二维晶核台阶长大示意 * 3. 螺形位错长大 这种长大方式由于台阶永远不会消失,所以长大可以连续不断地进行。但在界面上,毕竟不会到处都有原子附着的有利位置,原子附着的有利位置仅在台阶的边缘,所以其长大速度要比连续长大慢。 连续长大和螺形位错长大速度R与△Tk 的关系 螺形位错长大方式示意 * 螺形位错形成的台阶 旋转晶界形成的台阶 孪晶形成的沟槽台阶 * 右图示意画出了上述三种生长方式下,生长速度与动力学过冷度之间的关系。可以看出,在小的过冷度下,具有光滑界面结构的物质,其长大按螺旋位错方式进行,但在大的过冷度下,其长大将变为按粗糙界面的连续长大方式进行;而以形成二维晶核方式进行的长大,在任何情况下其可能性都是很小的。这是因为在过冷度很小时,二维晶核不可能形成;当过冷度增大时,又易于按连续长大方式进行。 此外,对于熔化熵值较大的物质,其固—液界面属于光滑界面,在小的过冷度下,长大出来的晶体形态呈多角形或板条状的特定形态,这种晶态一般来说易于恶化材料的机械性能。为此,我们可以人为地增加过冷度,使其按粗糙界面的连续长大方式进行,这样就可以获得球状或粒状结构,从而有利于机械性能的改善。 不同生长方式下生长速度与过冷度的关系 材料科学与工程 金属凝固学 金属凝固学 材料科学与工程 * 第二章 凝固动力学 自发形核 非自发形核 固液界面结构 晶体生长方式 * 纯铁结晶过程示意图 长大 形核 材料的凝固过程可分为两类: 没有固定的凝固温度—高分子、非晶; 有固定的凝固温度且放出凝固潜热—金属晶体。 * 一、自发形核 1、经典相变动力学理论 根据经典相变动力学理论,液相原子在凝固驱动力△Gm作用下,从高自由能GL的液态结构转变为低自由能GS的固态晶体结构过程中,必须越过一个能垒△Gd才能使凝固过程得以实现。 形核分为两类,一类为自发形核,它是指:在没有任何外来界面的均匀熔体中的形核过程。 第一节 自发形核 * 一、经典相变动力学理论 整个液相的凝固过程,就是原子在相变驱动力 △Gm 驱使下,不断借助能量起伏以克服能垒△Gd,并通过形核和长大的方式而实现的转变过程。 原子位置 凝固过程的吉布斯自由能的变化 △Gd ?? * 二、临界形核功与临界晶核半径 体积自由能变化 表面能变化 * T Tm T = Tm T Tm 不同温度下晶核尺寸与自由能的关系 * 临界形核功相当于表面能的1/3,这意味着固、液之间体积自由能差只能供给形成临界晶核所需表面能的2/3,其余1/3的能量靠能量起伏来补足。 ; * 原子位置 凝固过程的吉布斯自由能的变化 * 三、形核速率 形核速率是指单位体积中单位时间内形成的晶核数目。它取决于由n个原子组成的临界尺寸的晶胚数 ,但同时也取决于液相原子通过固—液界面向晶胚上吸附并使晶胚尺寸继续长大的吸附速度dn/dt。 形核速率 I 包含有两个指数项。一项与晶胚数有关,另一项与原子扩散有关,它们均随温度变化而改变。 ——临界尺寸晶胚的自由能 ——扩散激活能 * 固—液转变TTT曲线 右上图为 I 与温度T 的关系,图中Im为最大的形核速率 。在过冷度较小时,形核速率很小,需要的形核功较高,当过冷度增加时,形核速率随之增大,但当过冷度太大时,由于原子扩散困难,而使形核速率减小。 由于I 的倒数是时间 t,如果将横坐标由lgI 变为lgt,可以建立类似奥氏体连续冷却转变曲线的液—固转变TTT曲线(即时间、温度转变曲线),如右下图所示。图中tm
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