第6章结型场效应晶体管分解.pptVIP

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第六章 结型场效应晶体管 6.1 pn结场效应晶体管(JFET) 6.2 金属-半导体场效应晶体管(MESFET) 参考书 1.集成电路器件电子学(第三版)Device Electronics for Integrated Circuit Richard S. Muller, Theodore I. Kamins, Mansun Chan 著王燕,张莉译 许军审效, 电子工业出版社p184--190页 2.晶体管原理,刘永 张福海编著,国防工业出版社,2002.1,p273-303 6.1 pn结场效应晶体管(JFET) 6.1.1 JFET器件基本工作原理 6.1.2 JFET器件器件类型和代表符号 6.1.3 JFET器件分析--源极接地,漏极上加小的偏压VD 6.1.4 JFET器件分析--源极接地,漏极上加大的偏压VD 6.1.5 JFET参数 6.1.1 JFET器件基本工作原理 源极向沟道提供多数载流子。 沟道:栅极的耗尽区和衬底pn结耗尽区之间的中性区。衬底通常接地。 n沟道JFET中漏极正偏,电流通过沟道从漏极流向源极。 如果将源极接地,同时在栅极上加负偏压,pn界的耗尽区将扩大,沟道变窄,沟道电阻增加,导致从沟道流向源端的电流减小,栅极上外加偏压可以控制沟道中的电流。 p 沟道JFET中电流从源端流向漏端。 因为只有少量的电流流向反偏pn结,所以控制电极上的功耗非常小,而更多的功率通过控制电流得以传递。这种结型场效应晶体管可用做功率放大器。 6.1.2 JFET器件器件类型和代表符号 耗尽型:栅压为零时已存在导电沟道的器件。(常开) 增强型:栅压为零时不存在导电沟道的器件。(常关) 例:高阻材料,当栅压为零时,栅结扩散电势已使沟道完全耗尽而夹断,因而栅压为零时不存在导电沟道,只有当施加一定的正向栅压才能形成导电沟道的器件,叫增强型器件。 应用:高速低功耗电路 6.1.3 JFET器件分析--源极接地,漏极上加小的偏压VD 公式推导 沟道电阻: (1) 式中沟道电阻率: (2) 漏极电流: (3) (4) (5) 把(4)、(5)代入(3)得 (6) n型区完全没有耗尽区时的电导: (7) 讨论 电流 (8) 在给定栅压下,并且外加漏极电压很小时,可得到ID和VD之间呈线性关系; 而根据栅—沟道结为突变结的条件,上式中漏极电流与栅极电压成平方根关系; 电流在外加栅极电压等于零时最大。 6.1.4 JFET器件分析--源极接地,漏极上加大的偏压VD 当漏端电压相对源端较高时,JFET沟道中耗尽区宽度沿沟道方向发生变化 沟道和栅之间的电压是y的函数,因此耗尽区宽度和沟道横截面积都随y变化。耗尽区靠近漏端的电压比源端高,因此耗尽区在漏端要宽一些。 采用缓变近似,即假设从源端到漏端,沟道和耗尽宽度变化缓慢。 电流电压关系推导 y处沟道长度dy上的电压增量为: (9) 耗尽区宽度 受到电压 的控制, 是y处的沟道电势 ,因此 (10) 把(10)代入(9)并对两端积分得: (11) 求出积分,并重新整理得: (12) JFET中耗尽区性质—漏极电压较小时 在漏极电压较小的情况下,(12)式变为(8)式,电流随漏极电压线性增加。然而,当漏极电压较大时,电流随漏加电压的增加缓慢。 JFET中耗尽区性质—漏极电压为饱和电压时 当漏极电压较大时,电流将达到极大值,然后开始随着漏极电压增加而减少,但这与实际情况不符。 原因:当漏极电压增加时,漏端导电沟道的宽度减少,直到该区域完全耗尽,如图上图所示。当这一现象发生时,等式(9)不再成立,所以这个等式仅在VD小于沟道夹断时的漏极电压时才有效。 当沟道被夹断时,仍然有电流流过,因为电子通过沟道向漏端运动时没有势垒阻挡,当他们到达夹断区边界(夹断点)时,被从漏端指向源端的电场直接拉到漏端。 JFET中耗尽区性质—漏极电压大于饱和电压时 如果漏端电压继续增加,更多的电压将会降落在漏端附近的这一耗尽的高场区,漏极电流将保持不变(饱和),这种现象称为饱和。 JFET的输出特性曲线 短沟道时,有效沟道长度缩短,饱和特性曲线与上述曲线有较大偏差。例:沟道掺杂浓度为1016cm-3时,比饱和电压高5V的电压将使沟道耗尽区增加1.0?m,当L 8?m时,L/Leff 8/7, 当L 2?m,则会发生较大偏差。 JFET的转移特性曲线 6.1.5 JFET参数 漏极饱和电压 漏极饱和电流 关断电压VT(Vp) 最小沟道电阻Rmin 栅极截止电流IGSS和栅极输入电阻RGS 漏源击穿电压BVDS 输出功率PO 跨导gm 漏极饱和电压 定义:漏端附近沟道完全耗尽时对应的漏极电压。 饱和时耗尽层宽度为t,由(10)式得: (13) 漏极饱和电流 定义:与饱和电压对应的漏极电

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