第1章+X射线物理学基础程序.pptVIP

第一节 X射线的性质 第二节 X射线的产生与X射线谱 二、实验规律 1、阳极靶材（Z）不同，产生的特征X射线的波长也不同。 由莫塞莱定律：特征X射线波长λ和阳极靶材原子序数Z关系 二、实验规律 4、激发电压：取决于阳极靶的原子序数Z。 不同阳极靶材：其临界激发电压是不同的。 * 质量吸收系数μm 物理意义 3. μm 物理意义：X射线通过单位面积上单位质量物质后强度相对衰减量。 μm与物质密度ρ和状态无关；而与物质原子序数Z和X射线波长λ有关。其经验公式为： 对一定吸收体，波长λ越短，穿透能力越强，吸收系数下降， 但随波长降低并非连续变化，而在某波长突然升高，出现吸收限。 * 4.多元素化合物、固溶体或混合物质量吸收系数计算： 混合物、化合物的质量吸收系数：为各组分的质量吸收系数（μmi ）与其质量分数（ Wi ）乘积的平均值。 5. 设含组分1、2的物质，质量分数：W1、W2；则混合物质量吸收系数： （W1＋W2）＝1 * （二）X射线的真吸收－光电效应 一、光电效应： 当入射X光子能量足够大，将内层电子击出，成为自由电子，原子则为激发态，外层电子向内层空位跃迁，并辐射出一定波长的特征X射线。 入射X射线 被击出的电子称光电子， 所辐射出的次级特征X射线，称为荧光X射线或二次特征X射线。 这种以入射X射线激发原子所发生的激发和辐射的过程称为“光电效应”。 * 2. 光电效应：使入射X射线消耗大量的能量，表现为物质对入射X射线的强烈吸收。 在质量吸收系数曲线（μm-λ）上，表现为吸收系数的突变，此对应波长称吸收限λK 。 （如图） 图1-10 X光量子能量及质量吸收系数随波长的关系 * 3.产生K系荧光辐射条件：入射光子能量hν须大于或等于K层电子的逸出功WK，即： VK－把原子中K层电子击出所需的最小激发电压。 λK－把K层电子击出所需的入射光最长波长。 表明：只当入射X光波长λ≤λK＝1.24／VK 时，才能产生K系荧光辐射。 * 激发限和吸收限 4. 讨论光电效应产生的条件时，λK 称K系激发限； 讨论X射线被物质吸收时，λK 称为吸收限。 a. 当入射线波长λ↓→光子能量↑ ，易穿过吸收体，则质量吸收系数μm ↓ ； b. 当λ＝λK时，入射光子能量刚好击出吸收体的电子，形成大量光电子及二次荧光，光电效应最强烈，使μm／ρ突然上升； c. 当λ进一步↓ ，λ λK，光电效应饱和，多余能量穿透过吸收体；λ↓→穿透↑，μ／ρ↓。 * 5. 注意：吸收限：λK＝1.24／VK nm ； 连续X射线谱中短波限：λ0 1.24／V nm 两者形式完全相同，但意义决然不同。 * 二、俄歇（Auger）效应（一） 1、俄歇效应: 当K层电子被击出，原子处K激发态，能量为EK。若LⅠ层电子跃入K层填补空位。能量由EK→ELⅠ，且释放出多余能量。若能量被另一LⅠ电子或较外层电子所吸收，该电子受激发而逸出，即为俄歇电子。 ?光电子 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ° ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ° ° 俄歇电子? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ° ° 俄歇电子? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ° ° 俄歇电子? KL1L1 LM1M1 L2,3VV * 二、俄歇 Auger 效应（二） 2、俄歇电子能量有固定值，按上例近似为 光电子、俄歇电子和荧光X射线三种过程示意图 此具有特征能量的电子是俄歇（M. P .Auger）于1925年发现的，称为俄歇电子。 从L层逃出的叫 KLL 俄歇电子；也可存在 KMM 俄歇电子。 * 二、俄歇（Auger）效应（三） 1. 俄歇电子能量：只取决于该物质的原子能级结构，是一种元素的固有特征。 2. 俄歇电子能量很低：只有几百eV，深处信号测量不到。 俄歇电子能谱仪：最合适对固体表面2～3层原子层的成分分析，并还可进行逐层分析。 3. 试验表明：轻元素俄歇电子的发射几率比荧光X射线发射几率大。所以，俄歇谱仪适合于对轻元素的成分分析。 * 三、X射线光管的分类 a. 按制造材料可分：玻璃光管和金属陶瓷光管。 b. 按阳极靶可动与否：固定靶 X 光管；自转靶 X 光管。 日本理学公司 自转铜靶阳极 * 四、X射线焦点 （1） 1. 焦点：阳极靶面被电子束轰击并发出X射线的区域。 尺寸和形状：取决于灯丝，螺线形灯丝产生长方形焦点。 靶的焦点形状及接收方向 2. 衍射工作，希望X光有： 较小焦点（分辨本领高） 较高强度（曝光时间短） X射线出射角： 常与靶面成 3o～8o（常为6o） * 四、X射线焦点 （2） 3. 焦点形状：1×l0mm长方形。表观焦点：在出射方向上X射线束的截面积，缩小。 靶的焦点形状及接