《光电材料与器件教学课件》第二章.pptVIP

课堂练习 光通讯采用的激光波长为1064nm，应该选用禁带宽度怎样的半导体材料方能进行探测？ 思考题 本征吸收和杂质吸收各有什么特点？ 什么是直接跃迁，什么是间接跃迁，各有什么特点？ 为什么光电器件必须要注意表面的影响？ 为什么利用杂质吸收的红外探测器件都需要在低温下工作？ 中远红外探测常采用掺杂半导体，为什么？ 要探测He-Ne激光（波长0.633um），对半导体材料的禁带宽度有何要求？ 第二章 半导体的光吸收 一、光电材料中光的传播与衰减 光子的能量 真空中光的波长 光子的运动质量 光子的动量 光子与其他微观粒子 如电子 相作用时 能量守恒 动量守恒 1. 光的属性——波粒二象性 2. 光吸收系数 表征材料吸收光的程度，即单位距离光强的减小速度 朗伯定律或吸收定律。 吸收深度：1/α 3. 吸收系数与光学常数间的关系 光在复折射率为 的均匀介质中传播 光的传播速度为： 振幅衰减规律： 光强度衰减规律 吸收系数与消光系数间的关系 4. 光电材料的透过率 1-R I0 I0 RI0 1-R I0e-ad 1-R 2I0e-ad R 1-R I0e-ad R 1-R I0e-2ad R 1-R 2I0e-2ad R2 1-R I0e-2ad R2 1-R I0e-3ad R2 1-R 2I0e-3ad R3 1-R I0e-3ad R3 1-R I0e-4ad R3 1-R 2I0e-4ad R4 1-R I0e-4ad R4 1-R I0e-5ad R4 1-R 2I0e-5ad R5 1-R I0e-5ad R5 1-R I0e-6ad R5 1-R 2I0e-6ad R6 1-R I0e-6ad R6 1-R I0e-7ad R6 1-R 2I0e-7ad R7 1-R I0e-7ad Id 当反射次数很多（即m很大时） 当 时 当 时 吸收系数的测量 二、光电材料的本征光吸收 光 吸 收 本征吸收 杂质吸收 激子吸收 自由载流子吸收 晶格振动吸收 电子由价带跃迁到导带 电子（空穴）由杂质能级跃迁到导带（价带） 希望光电材料尽可能多地吸收入射光功率 1、本征吸收 能量守恒 动量守恒 忽略光子的动量 光子的波数大约是105cm-1 电子的波数大约为108cm-1 直接跃迁吸收 间接跃迁吸收——需要声子参与 1）直接跃迁吸收与间接跃迁吸收 2）直接跃迁的临界波长 直接跃迁吸收 2）直接跃迁的特点 在距离Eg不大的范围内吸收系数突然增长 吸收很强，吸收系数可达105cm-1的数量级 吸收深度很小，10-5cm左右 表面状态的影响很大 允许的直接跃迁吸收系数 禁戒的直接跃迁吸收系数 禁戒直接跃迁所引起的吸收系数比允许直接跃迁的吸收系数要低得多 3）直接跃迁的吸收系数 4）间接跃迁吸收系数 吸收声子 发射声子 三、能带与杂质能级之间的吸收跃迁 杂质能级与能带之间的吸收跃迁 a．中性施主至导带 b．价带至中性受主 c．价带至电离施主 d．电离受主至导带 常用的是a和b 应避免热电离即应在足够低的温度下才能发生 硼掺杂硅单晶的红外吸收光谱 杂质吸收很弱——杂质原子浓度低 低温下才能发生 杂质跃迁吸收的特点 杂质跃迁吸收的长波限