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* * * * * * Home Next Back VMOS管与 普通MOS管只是制造工艺上的差别，原理上并没什么不同。但其性能与 普通MOS管相比，VMOS管的漏区散热面积大，耗散功率可达kW以上；其漏-源击穿电压高，上限工作频率高，线性好。 13 （四）VMOS管 4. 场效应管的主要参数 （一）直流参数 ①开启电压VGS(th)：对增强型MOS管，当VDS为定值时，使iD刚好大于0时对应的VGS值。 ②夹断电压VGS(off) （或VP）：对耗尽型MOS管或JFET ，当VDS为定值时，使iD刚好大于0时对应的VGS值。 ③ 饱和漏极电流IDSS：对耗尽型MOS管或JFET ，VGS=0时对应的漏极电流。 Home Next Back 14 ④ 直流输入电阻RGS：对于结型场效应三极管，RGS大于107Ω， MOS管的RGS大于109Ω， 。 （二）交流参数 ① 低频跨导gm：低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得。 Home Next Back 极间电容： Cgs和Cgd约为1~3pF，和 Cds约为0.1~1pF。高频应用时，应考虑极间电容的影响。 （三）极限参数 ① 最大漏极电流IDM：管子正常工作时漏极电流的上限值。 击穿电压V(BR) DS、 V(BR) GS：管子漏-源、栅-源击穿电压。 ③ 最大耗散功率 PDM ：决定于管子允许的温升。 注意 ：对于MOS管，栅-衬之间的电容容量很小，RGS很大，感生电荷的高压容易使很薄的绝缘层击穿，造成管子的损坏。因此，无论是工作中还是存放的MOS管，都应为栅-源之间提供直流通路，避免栅极悬空；同时，在焊接时，要将烙铁良好接地。 15 ③ 输出电阻rd： Home Next Back 16 5. 场效应管与晶体管的比较 ① 场效应管的漏极d 、栅极g和源极s分别对应晶体管的集电极c、基极b和发射极e，其作用类似。 ② 场效应管以栅-源电压控制漏极电流，是电压控制型器件，且只有多子参与导电，是单极性晶体管；三极管以基极电流控制集电极电流，是电流控制型器件，晶体管内既有多子又有少子参与导电，是双极性晶体管。 ? 场效应管的输入电阻远大于晶体管的输入电阻，其温度稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数小。 ? 场效应管的漏极和源极可以互换，而互换后特性变化不大；晶体管的集电极和发射极互换后特性相差很大，只有在特殊情况下才互换使用。但要注意的是，场效应管的某些产品在出厂时，已将衬底和源极连接在一起，此时，漏极和源极不可以互换使用。 Home Next Back 16 场效应管的种类多，栅-源电压可正、可负，使用更灵活。 场效应管集成工艺更简单、功耗小、工作电源电压范围宽，使之更多地应用于大规模和超大规模集成电路中。 一般情况下，由晶体管构成的放大电路具有更高的电压放大倍数和输出功率。 思考题 场效应管符号中的箭头方向表示什么？ 为什么FET的输入电阻比BJT的高得多？为什么MOSFET比JFET的输入电阻高？ 场效应管正常放大时，导电沟道处于什么状态？ 使用MOS管应注意些什么？ Home Next Back 17 例 题 例1.4.1 已知各场效应管的输出特性曲线如图1.4.10 所示。试分析各管子的类型。 图1.4.10 例1.4.1图 Home Next Back 18 解: (a) iD0（或vDS0），则该管为N沟道； vGS?0，故为JFET。 (b) iD0（或vDS0），则该管为P沟道； vGS0，故为增强型MOS管。 (c) iD0（或vDS0），则该管为N沟道； vGS可正、可负，故为耗尽型MOS管。 提示： 场效应管工作于恒流区：（1） N沟道增强型MOS管：VDS0, VGSVGS(th) 0；P沟道反之。 （2） N沟道耗尽型MOS管： VDS0, VGS可正、可负，也可为0；P沟道反之。 （3） N沟道JFET： VDS0, V GS0 ；P沟道反之。 Home Next Back 19 图1.4.11 例1.4.2图 例1.4.2 电路如图1.4.11(a) 所示，场效应管的输出特性如图1.4.11(b) 所示 。试分析当uI=2V、8V、10V三种情况下，场效应管分别工作于什么区域。 Home Next Back 20 (c)当uI=10V 时，假设管子工作于恒流区，此时iD=2mA，故uO =uDS =VDD - iD Rd= 18-2?8=2V， uDS - VGS(th) =2