薄膜物理表面与界面.pptVIP

* * 积累层中的电场强度与该层中的空间电荷密度的关系服从泊松方程 式中ε和ε。分别为介质常数和真空的电容率。 在外加电压下，积累层中的电子将沿介质运动，从而形成电流。在注入接触的情况下，即使是近于理想的介质、其本征载流子浓度几乎为零，也会有注入电流。在界面上没有积累电荷时，称为中性接触。这表示φm φi，介质的导带直到界面都是水平的，不发生弯曲，如图所示。 中性接触的能带图（a）接触前（b）接触后 * * 从加电压开始，阴极都可以供给足够的电流，以平衡在介质中流动的电流，所以称这种接触为欧姆接触。从理论上来说，假设能以加上足够高的电压，介质本身可以携带的电流并没有上限。但是，实际上由于焦尔热和介质击穿，能加的电压有限。除此以外，阴极能供给的电流有限，其上限值是跃过位垒的热电子发射 理查森发射 电流的饱和值。达到这个限度以后，电导过程不再是欧姆性的，在阴极供给的电流达到饱和以前，可以加到介质上的最大场强可由下列条件得出:热电子电流的饱和值等于介质中的电流，即是： 因而得出： 式中no是阴极中能量高于界面位垒的电子密度，υ和μ分别是电子的热速度和迁移率。实际上，由于在阴极-介质界面镜象力与外加电场的相互作用，饱和电流随外加场强而增大 理查森一肖特基发射 。 * * 当φm φi时，产生阻挡接触 肖特基接触 ；电子从介质流向金属，以建立热平衡状态。这时在介质中产生耗尽层，该层是正空间电荷层，同时在金属电极上聚积等量的负电荷。由于这两个电荷层的相互静电吸引，在介质的界面层中产生局部电场。导致介质的导带底随着离开界面的距离而向下弯，直到离费米能级为φi-χ。 若介质含有的施主密度很大，则其能带图如图所示。定量计算其耗尽层的方法与掺杂的金属-半导体接触相同.假设在介质的空间电荷区中施主完全电离、并且均匀分布，其密度为Nd，则泊松方程为： 缺图 对于电子电导，在金属与介质中产生各种接触的条件，完全与金属和n型半导体接触的相同。不同点是介质中的载流子密度很小，因而在界面处介质中的积累层或耗尽层远厚于半导体中的相应层。这样，当费米能级相差较大或者介质太薄时，在空间电荷层中产生的电荷会不足以屏蔽掉金属电极的面电荷，从而在介质内部的各点都有电场，导带底在整个介质厚度中都发生弯曲，它距费米能级的高度一直达不到φi-χ。 * * 在欧姆接触的情况下，积累层太厚会严重地影响到介质本身的电导，甚至会受到电极的控制。这是因为在积累层中由电极供给的大量电子会显著地增加介质的电导。因此，这时的接触是不完美的欧姆接触。. 在阻挡接触的情况下，若介质太薄_金属和介质的费米能级相差较大；或者介质中掺杂浓度太低，以致造成耗尽层厚度很大；在这些情况下，系统的电导都受到整个介质层控制，而不只是阻挡层。因而是不好的阻挡接触。另一种接触是中性接触或者是本征介质 或掺杂很少 的阻挡接触。由于介质不能从其内部向电极转移多少电荷，所以能级不弯。在两边是相同的电极时，介质内的导带通过整个介质，都是水平的。. 介质两边各有一个金属电极时的能带图（a）和（b）分别为不好和良好欧姆接触（c）和（d）分别为不好和良好阻挡接触 （e）和（f）分别为相同和不同的中性接触 * * 当两边电极的逸出功不同时，两界面的位垒差为： 这表示介质导带从电极1到电极2必须上斜，其斜率为 φm2-φm1 /d。这里d为介质厚度。因而其均匀的本征内电场为： 这个电场是由于在两电极间转移电荷的结果。逸出功小的电极表面带正电，逸出功大的带负电，其电荷量为： 式中A为电极面积。当介质很薄时，这个内电场可能很大。由于这个内电场的存在，该系统的正反两个方向的击穿电压和通过的电流不同，当电极1接正时，电流较大，耐压较低，反之，则电流较小，耐压较高。因此，这个系统具有一定的整流特性。 * * 与金属-半导体接触相类似，在金属-介质接触中也有表面态的影响。因此，上面所说的，金属-介质的界面位垒为φm-χ，是在未计入表面态的情况下得出的。显然，计入表面态以后，界面位垒会有明显的不同。这时，和半导体的情况相类似，界面位垒约为φ′0，即等于表面态为电中性时，表面态的费米能级到导带的能量。介质的表面态密度Ns 单位面积和单位能量的 越大，界面位垒越接近φ′0值。当表面态的密度很小时，表面态的影响显著减小，界面位垒就接近φm-χ。 在热平衡状态下，金属、表面态和介质三者的费米能级要在同一水平上，因而在这三者之间发生电子转移，介质导带发生弯曲。但是，当介质是本征介质时，可转移的电子很少，所以要达到平衡状态，可能所需的时间很长。 总结 我们研究了表面双电层和表面势和电接触。 双电层和表面势： （1）金属表面的双电层和表面势 （2）半导体表面的双电层和表面势 （3）介质表面的双电层和表面势 （4）表面态的分布 电接触： （1）逸