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无机半导体LED高被引论文
第 1 条,共 10 条
标题: Characteristics of InGaN-based UV/blue/green/amber/red light-emitting diodes
来源出版物: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES REVIEW PAP卷:?38 期:?7A 页:?3976-3981出版年:?JUL 1999439
被引频次合计: 445
入藏号:?WOS:0000座机电话号码003
ISSN:?0021-4922
IDS 号:?248MDWhite-light emission from near UV InGaN-GaN LED chip precoated with blue/green/red phosphors
来源出版物: IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS 卷:?15期:?1页:?18-20出版年:?JAN 2003入藏号:?WOS:0001座机电话号码006
ISSN:?1041-1135
IDS 号:?634ZEBlue light-emitting diode based on ZnO
来源出版物:JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS EXPRESS LETTERS 卷:?44 期:?20-23 页:?L643-L645出版年:?2005入藏号:?WOS:000座机电话号码0009
ISSN:?0021-4922
IDS 号:?937SYBlue-emitting InGaN-GaN double-heterostructure light-emitting diodes reaching maximum quantum efficiency above 200 A/cm 2
来源出版物:APPLIED PHYSICS LETTERS 卷:?91? 期:?24 文献号:?243506出版年:?DEC 10 2007入藏号:?WOS:000座机电话号码0078
ISSN:?0003-6951
IDS 号:?241TMInGaN-based near-ultraviolet and blue-light-emitting diodes with high external quantum efficiency using a patterned sapphire substrate and a mesh electrode
来源出版物: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTER 卷:?41 期:?12B
页:?L1431-L1433出版年:?DEC 15 2002入藏号:?WOS:0001座机电话号码005
ISSN:?0021-4922
IDS 号:?677UQFabrication of a High-Brightness Blue-Light-Emitting Diode Using a ZnO-Nanowire Array Grown on p-GaN Thin Film
来源出版物: ADVANCED MATERIALS 卷:?21 期:?27 页:?2767-+出版年:?JUL 20 2009
入藏号:?WOS:000座机电话号码0004
ISSN:?0935-9648
IDS 号:?478SFBlue, green, and amber InGaN/GaN light-emitting diodes on semipolar 1122 GaN bulk substrates
来源出版物: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS EXPRESS LETTERS 卷:?45 期:?24-28 页:?L659-L662出版年:?JUL 2006入藏号:?WOS:000座机电话号码0016
ISSN:?0021-4922
IDS 号:?071YV InGaN-GaN multiquantum-well blue and green light-emitting diodes
来源出版物: IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS
卷:?8 期:?2 页:?278-283出版年:?MAR-APR 2002入藏号:?WOS:0001座机电话号码011
ISSN:?1077-260X
IDS 号:?548QF On the efficiency droop in InGaN
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