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《微电子技术综合实践》设计报告 题目： N阱CMOS芯片薄膜工艺设计 院系： 自动化学院电子工程系 专业班级： 电子112 学生学号： 座机电话号码43 学生姓名： 马秦 指导教师姓名： 刘静老师 起止时间： 2014年6月27日—7月8日 成绩： 题目一：n阱CMOS芯片制作工艺设计 一．设计指标要求 1. 特性指标要求： n沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTn 0.5V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS 35V, 栅源击穿电压BVGS≥20V, 跨导gm≥2mS, 截止频率fmax≥3GHz（迁移率μn取600cm2/V·s） p沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTp -1V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS 35V, 栅源击穿电压BVGS≥20V, 跨导gm≥0.5mS, 截止频率fmax≥1GHz（迁移率μp取220cm2/V·s） 2. 结构参数参考值： p型硅衬底的电阻率为50 cm； n阱CMOS芯片的n阱掺杂后的方块电阻为690 / ，结深为5~6 m； pMOS管的源、漏区掺杂后的表面浓度1 1020cm-3，结深为0.3~0.5 m； nMOS管的源、漏区掺杂后的表面浓度1 1020cm-3，结深为0.3~0.5 m； 场氧化层厚度为1 m；垫氧化层厚度约为600 ?；栅氧化层厚度为400 ?； 氮化硅膜厚约为1000 ?；多晶硅栅厚度为4000 ~5000 ?。 二．设计内容 MOS管的器件特性参数设计计算； n阱CMOS芯片制作的工艺实施方案（包括工艺流程、方法、条件、结果；分析光刻工艺，画出整套光刻版示意图）； 薄膜加工工艺参数计算：分析、设计实现场氧化、栅氧化、多晶硅栅层或掩蔽氧化膜等的工艺方法和工艺条件 给出具体温度、时间或流量、速度等 ，并进行结深或掩蔽有效性的验证。 二．MOS管的器件特性设计 1、NMOS管参数设计与计算： 由得? , 则 得， 即 再由，式中（VGS-VT）≥VDS sat ， 得 又 阈值电压 （取 q） 估 代入阈值电压公式计算： 取时 ， 0.3874V， 此时 0.146 ,， 发现符合要求,又得 因此便于计算取L 1. 则W 2、PMOS管参数设计与计算： 因为,其中，6×， 所以? 饱和电流：，式中（VGS-VT）≥VDS sat ， 则 故可得宽长比≥ 由可得宽长比： 取PMOS衬底浓度为查出功函数差与掺杂浓度的关系可知： 取发现当时； 0.404V, , ， ,且符合要求, 又可知,便于计算及工艺对称美观性， 故取 则根据得出 三 .工艺流程分析 1、衬底制备。 由于NMOS管是直接在衬底上形成，所以为防止表面反型，掺杂浓度一般高于阈值电压所要求的浓度值，其后还要通过磷离子注入来调节。CMOS器件对界面电荷特别敏感，衬底与二氧化硅的界面态应尽可能低，因此选择晶向为 的P型硅做衬底，电阻率约为50Ω?CM。 2、初始氧化。 为阱区的选择性刻蚀和随后的阱区深度注入做工艺准备。阱区掩蔽氧化介质层的厚度取决于注入和退火的掩蔽需要。这是N阱硅栅CMOS集成电路的制造工艺流程序列的第一次氧化。 ← ← 3、阱区光刻。 是该款N阱硅栅CMOS集成电路制造工艺流程序列的第一次光刻。若采用典型的常规湿法光刻工艺，应该包括：涂胶，前烘，压板，曝光，显影，定影，坚膜，腐蚀。去胶等诸工序。阱区光刻的工艺要求是刻出N阱区注入参杂，完成N型阱区注入的窗口 4、N阱注入。 是该N阱硅栅COMS集成电路制造工艺流程序列中的第一次注入参杂。N阱注入工艺环节的工艺要求是形成N阱区。 5、剥离阱区氧化层。 6、热生长二氧化硅缓冲层： 消除Si-Si3N4界面间的应力，第二次氧化。 7、LPCVD制备Si3N4介质。 综合5.6.7三个步骤如下图 8、有源区光刻：即第二次光刻 9、N沟MOS管场区光刻。 即第三次光刻，以光刻胶作为掩蔽层，刻蚀出N沟MOS管的场区注入窗口。 10、P沟MOS管场区B+注入： 第二次注入。P沟MOS管场区B+的注入首要目的是增强阱区上沿位置处的隔离效果。 同时，场区注入还具有以下附加作用： A 场区的重掺杂注入客观上阻断了场区寄生MOS管的工作 B 重掺杂场区是横向寄生期间失效而一直了闩锁效应： C 场区重掺杂将是局部的阱区电极接触表面的金—半接触特性有所改善。 综合9，10两个步骤如图 11、局部氧化： 第三次氧化，生长场区氧化层。 12、剥离Si3N4层及SiO2缓冲层。 综合11，,12两个步骤如图 13、热氧化生长栅氧化层：第四次氧化。 14、N沟MOS管沟道区光刻：第四次光刻,以光刻胶做掩蔽层。 15、N沟M