钨金属栅AlGaNGaN_高电子迁移率晶体管的性能研究.docVIP

钨金属栅AlGaNGaN_高电子迁移率晶体管的性能研究 　　摘 要：目前，AlGaN/GaN HEMT因为其具有非常优良的电性能而使得它在微波大功率应用方面极受关注。但其性能一直受到一些因素的限制，之中最主要的便是电流崩塌和击穿电压。本文介绍了使用氮化硅来钝化器件表面以及利用场板结构是抑制这些因素的有效方法。由于钨金属有熔点高的特点，使用钨作为栅极材料，可以显著提高AlGaN/GaN HEMT器件的热稳定性。而肖特基接触又是高功率、高频器件的必要成分，器件的高温稳定性可以实现高品质的肖特基接触。自此来看，使用钨金属作为栅极材料是非常有研究意义的。 　　【关键词】钨金属栅 AlGaN/GaN HEMT器件 栅极材料 　　1 钨栅AlGaN/GaN HEMT 器件的制备 　　上图为AlGaN/GaN HEMT器件制备工艺流程：（a）RIE台面刻蚀 ；（b）源漏欧姆接触形成；（c）第一层SiN表面钝化；（d）槽栅刻蚀；（e）钨栅金属蒸发；（f） 互联开孔刻蚀。依此经过以上流程，完成对元器件的加工。 　　2 钨栅AlGaN/GaN HEMT的特性分析 　　2.1 直流特性分析 　　采用的测试设备为Agilent B1500半导体参数测试仪，下面根据测试结果来分析器件的直流特性。 　　材料参数：实验中所采用的样品Si3N4/AlGaN/GaN异质结构是以金属有机物化学气相外延（MOCVD）方式在C面蓝宝石衬底上制备得到的。制备过程中分别采用TMGa和TMAl作为Ga源和Al源，NH3和SiH4作为N源和Si源，H2作为载气。样品包含100nm的AlN成核层，1400nmS.I.-GaN缓冲层，1nmAlN插入层， Al组分为30%。实验室Hall测量的材料2DEG浓度、方阻和电子迁移率分别为1.3 1013cm-2、308.54 和1560.69cm2/V。 　　我们采用双场板结构来降低栅处电场峰值从而提高击穿特性以及降低电流崩塌。其中，栅长为0.5?m，器件栅宽为50?m，栅源间距为0.7?m，栅漏间距为2.6?m，LF1=LF2=0.3?m。 　　如图2所示，给出了钨栅器件的输出特性曲线。在输出特性测试中，先将栅压固定为-6 V，然后对漏压从0 V扫描到10 V，步阶为0.1 V。然后栅压变为-5 V，继续对漏压从0 V扫描到10 V，以此类推。从而看出漏极电流在不同栅压和漏压下的变化情况。采用这种方法，我们一共选取了9条输出曲线，并由此可以看出器件的饱和电流为当Vg=2V时，达到1042mA/mm。不同栅压下饱和电流的变化是由自热效应引起的。降低自热效应对于提高器件输出特性是必要的。 　　如图3所示，给出了器件在Vd=1 V、6V、10 V、20V时半对数坐标下的转移曲线。随着漏极电压的变化，很明显，在相同的栅极电压下，漏极电压越高，漏极电流也更高。 　　阈值电压分别为：当Vd=1V时-2.7V、当Vd=6V时-3V、当Vd=10V时-3V、当Vd=20V时-3.2V。漏至势垒降低（DIBL）效应就是在小尺寸器件中所出现的一种不良现象。沟道越短，DIBL效应越严重。DIBL系数定义为漏极电压的变化所引起的阈值电压的漂移量，即DIBL= 。由图中可得，DIBL=26mV/V。 　　2.2 击穿特性分析 　　由图4中可以看出漏极电流和栅极电流随着漏极电压的增大而增大，直到漏极电压达到86.4V，即器件的击穿电压为86.4V，此时漏极电流为1mA/mm，漏极电流开始激增，并最终饱和在10mA/mm。器件击穿时，漏极漏电为1mA/mm，栅极漏电为0.7mA/mm，因此可见漏电流主要由栅极漏电导致。因此，需要减小栅极漏电来提高器件的击穿特性。 　　2.3 脉冲特性分析 　　图5中所示，即为器件在直流测试下和脉冲测试下的输出特性的对比，其中脉冲测试的静态点是（VGQ=0V，VDQ=0V），栅压分别为-3V、-2V、-1V、0V、1V和2V，漏压从0V扫描到10V。我们以静态偏置为（0，0）时的交流输出为参考点，分析不同条件下器件的崩塌情况。从图中可以看出，在栅压为2V时，直流测试结果为991mA/mm，脉冲测试的最大输出电流为1224mA/mm， 比直流结果高出了23%。在栅压为-2V时，直流测试与脉冲测试得到的最大输出电流分别为138mA/mm和168mA/mm，交流测试量又比直流测试量高出了21.7%。 　　栅压为关态时，器件处于大电场应力下，电流崩塌的主要物理机制是栅隧穿电子填充表面态，漏端电压逐渐增加以满足大电场应力条件，因此能够反映出最严苛条件下器件的崩塌情况。图6给出了（0，0）、（-6，0）、（-6，10）偏置点下，器件的电流崩塌情况。可以看出随着栅极电压的静态偏置点由0V变为-6V，引起了饱和电