的结构缺陷综述.ppt

2. 位错的攀移 Climbing 刃型位错 正攀移 负攀移 只适合于刃型位错 位错的攀移（非守恒运动）：刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动，主要是通过原子或空位的扩散来实现的（滑移过程基本不涉及原子的扩散）。 正攀移：多余原子面向上运动；反之称为负攀移。 螺型位错不发生攀移运动。 （a）正攀移（半原子面缩短） (b)未攀移 （c）负攀移（半原子面伸长） 由于攀移伴随着位错线附近原子的增加或减少，即有物质迁移，因此需要扩散才能进行。位错攀移需要热激活，比滑移所需的能量要大。 对大多数材料，在室温下很难进行攀移，高温下容易。 另外晶体中过饱和点缺陷的存在利于攀移的进行。 3. 运动位错的交割 Crossing of dislocations 位错在某一滑移面上运动时，对穿过滑移面的其它位错（林位错）的交割。包括扭折（kink）和割阶（jog）。 扭折：位错交割形成的曲折线段在位错的滑移面上时，称为扭折。 割阶：若该曲折线段垂直于位错的滑移面时，称为割阶。 b a c d d c b a 刃型位错 螺型位错 位错交割时，会发生相互作用，对材料的强化、点缺陷的产生有重要意义。 刃型位错的割阶部分仍为刃型位错（垂直于b），而扭折部分则为螺型位错（平行于b）；（由柏氏矢量与位错线取向关系确定） 螺型位错的割阶和扭折部分均为刃型位错；因为都垂直于b b a c d d c b a 刃型位错 螺型位错 柏氏矢量互相平行 例：两根互相垂直的刃型位错的交割 柏氏矢量互相垂直 割阶 刃型位错 扭折 螺型位错 位错交割的特点 1) 运动位错交割后，在位错线上可能产生一个扭折或割阶，具有原位错线的柏氏矢量 2) 所有的割阶都是刃型位错，而扭折可以是刃型也可是螺型的。 3) 扭折与原位错线在同一滑移面上，可随位错线一道运动，几乎不产生阻力，且在线张力的作用下易于消失； 4）割阶与原位错不在同一滑移面上，只能通过攀移运动，所以割阶是位错运动的障碍--- 割阶硬化 5) 带割阶位错的运动，按割阶高度的不同分为： 小割阶 （割阶高度为1-2个原子间距，遗留点缺陷） 中等割阶（遗留位错偶、符号相异） 大割阶 （割阶高度约为20nm，大于60个原子间距，位错环） 带割阶的螺型位错的滑移过程 4.5.3 位错的塞积 在分切应力的作用下，由同1个位错源放出的位错在障碍前受阻，这些位错就在障碍前排列起来，这一组位错组态称为塞积群。把塞积群中的位错从障碍物前按1、2、3…顺序编号，第1个位错到最后一个位错间的长度定义为为塞积群长度L，把坐标原点放在塞积群的中点。障碍物只对塞积群的领头位错有作用力，除了领头位错外，塞积群中每一个位错受到外加切应力的作用同时也受群中所有其它位错的交互作用。故平衡时，第j个位错受的总力 Fj为0 ： n个位错的塞积群有n-1个这样的方程，解这个n-1个联立方程就可以求得每一个位错的位置(xj )。塞积群的问题基本解决。 不锈钢中在晶界前的位错塞积群 用虚功原理估算塞积群对障碍物的作用力。设在外应力作用下领头位错向障碍物方向移动了?x，由于整个塞积群要保持平衡，所以每个位错也移动?x，这样，外力对塞积群作功为n ? b ?x；障碍物施加给领头位错的切应力为?h，当领头位错移动?x时，障碍物这一反作用力作功为?h b ?x。上述两种功应相等，故 塞积群在障碍物处产生了很大的应力集中，其应力为外加应力的n倍。这一应力集中对材料塑性变形行为有很大作用 。 4.5.4 位错的分解与合成 位错除相互作用外，还可能发生分解或合成，即位错反应。 位错反应有两个条件。 几何条件：∑b前=∑b后；反应前后位错的柏氏矢量之和相等。 能量条件：∑b2前∑b2后; 反应后位错的总能量小于反应前位错的总能量。 实际晶体结构中的位错 Dislocations in real crystals 以上位错结构是以简单立方晶体为研究对象，实际晶体中更为复杂，具有特殊性质和复杂组态 简单立方晶体中，b总是等于点阵矢量。 1 实际晶体中位错的柏氏矢量 单位位错 Unit dislocation：柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错 全位错 Perfect dislocation：柏氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错，全位错滑移后晶体原子排列不变 不全位错 Imperfect dislocation：柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错，不全位错滑移后晶体原子排列规律变化 部分位错 Partial dislocation：柏氏矢量小于点阵矢量的位错 但在实际晶体结构中，位错的b不能是任意的，它要符合晶体的结构条件和能量条件。 1）晶体的结构条件是指b必须连接一个原子平