探针显微术於奈米尺度微影之应用.doc

掃描探針顯微術於奈米尺度微影之應用 文／蘇健穎、周曉宇、陳至信 摘 要 自從掃描探針顯微術（SPM）問世以來，探索原子尺度的微觀面貌不再需要經由繁瑣的程序而得。除此以外，SPM更進一步增加了對於奈米尺度之表面操縱與圖案成形的能力，其中以原子力顯微術（AFM）與掃描穿隧顯微術（STM）為主。這項技術會引起注意的原因，來自於SPM可相當準確地直接於樣品表面進行奈米刻痕或微影，並且對於探針的位移可得到良好的操控。這是除了電子束曝光與化學濕蝕刻以外，另一項有利的選擇工具。 一、前言 掃描探針顯微術（SPM, scanning probe microscopy），是各種以探針方式研究樣品表面性質（例如：表面形貌、電性、磁性、力學特性(((等）的顯微術總稱。其中被應用最廣泛的是STM（scanning tunneling microscopy）與AFM（atomic force microscopy），解析能力達到原子級。 STM於1981年由IBM公司Dr. Gerd Binning和Dr. Heinrich Rohrer 共同發明。1986年兩人與Dr. Ernst Ruska 共同獲得諾貝爾物理獎。STM是藉由量測探針針尖與樣品表面的穿隧電流變化，所產生微小區域表面形貌的影像。STM操作的條件必須在真空下，而且樣品需是導體。 AFM則是利用探針尖端與試片表面的作用力，即凡得瓦力相吸或相斥的作用力，使得探針懸 臂產生彎曲偏移。藉由掃描過程中即時量測懸臂偏移量，進而產生樣品微小區域表面形貌的影像。AFM不受成像環境的限制，不論是在大氣下、真空中或者是液面下皆能操作，並且可分析的樣品不限定是導體。AFM成為目前最方便、被使用最廣泛的SPM之一，且進行維護工作容易，在維護成本上不若其它儀器般昂貴。 第一個使用掃描探針技術改變樣品表面形貌的實驗，是由 J.A. Dagata 等人[1]所完成。其利用掃描探針進行局部區域的氧化程序，證實不論是在金屬或者是半導體材料表面皆可形成微小的氧化物線條或圖形。接續許多研究團隊進一步利用這種技術於光電微結構、微電子元件、微機電系統與化學、生醫樣品自組用模板的製造。此技術是一種藉由導電探針與試片表面之間，電化學反應所造成的效應。 其操作機制是在環境溼度控制在約50 % 時，樣品表面會附著一層水薄膜，當探針接觸這層水薄膜時，以探針為負電極，樣品表面為正電極，施予探針一負偏壓，水分子會開始解離，並與探針下方的樣品表面產生局部區域的氧化物。探針所產生的電場會隨著與試片表面的距離而衰減，當電場強度小於V/m時氧化作用隨即停止[3]。氧化物成長速率與施予探針偏壓大小有極大的關係。過程中經由程式設定，可精準操控掃描探針的位移，進行特定線條之氧化物成長，進而達成微區域圖案成形的目的，這是掃描探針顯微術應用於微影的初形。 除此以外，另外還有奈米刻痕與經由尖端放電等微影技術的發展。 二、基本原理與儀器架構說明 如圖一所示，掃描探針顯微術的基本原理是利用掃描探針與試片表面接觸的交互作用，使得具彈性的探針懸臂隨著試片表面形貌產生起伏彎曲，並藉由二極體雷射的偵測機制，即時地紀錄試片表面起伏的形貌。此訊號亦作為掃描裝置之回饋訊號，用以控制探針與試片表面之相對位置，避免探針直接撞擊試片表面的高低起伏結構。 所使用的儀器是Digital Instruments（di）之Nanoscope IIIa掃描探針顯微鏡進行研究，掃描裝置之最大掃描區域可達100 x 100 μm，並具備高解析CCD光學顯微鏡作為輔助以進行掃描探針下針定位的工作。 由於掃描探針為矽或氮化矽之材質，使用前必須先行鍍上一層金屬導電薄膜，而金屬膜厚愈厚導電性愈佳，相對的金屬膜愈厚探針針尖愈粗，因此必須取得一匹配膜厚值。在微影薄膜試片的製備方面，是使用已預先鍍上一層下電極之基板，以高速旋轉塗佈的方式塗佈一層高分子微影材料，經烘烤乾燥而成。旋轉塗佈的轉速、微影劑的黏滯係數與烘烤時間的長短決定塗佈的最終膜厚，所以這是一個不可忽略的控制變因。 所有前置作業準備完成之後，開始進行掃描探針顯微術之微影工作。所有欲進行微影之線條或圖形，探針動線的考量需事先規劃於程式中。由於所使用的機台具備非接觸式（non-contact）操作模式，探針與試片表面的相對距離可依需求進行調整與操控，一方面可避免探針直接刮傷試片表面，另一方面也可以避免探針針尖沾附試片表面的材料而使得微影效率突然降低。 進行下探針的步進動作，逐步接近試片表面之後，隨即進入程式操控模式並於探針針尖施加設定電壓，依需求將探針提高一個設定高度後，開始依照微影線條或圖形路徑依序移動探針位置以進行微影的工作。探針的位移速率攸關位移精確度的掌握，因此這是必須建立的關鍵性參數之一。完成微影的工作之後即可進行顯影，而顯影