浅谈固态蓝绿光雷射之发展.docVIP

淺談固態藍/綠光雷射之發展 黃升龍 中山大學光電工程研究所 e-mail：shuang@.tw 固態藍/綠光雷射由於應用廣泛，近年來發展的相當快速，利用半導體雷射直接產生藍/綠光雷射，或以半導體雷射經各式頻率轉換技術產生藍/綠光雷射的相關技術是本文的重點。 一、前言 在可見光的三原色（紅、綠、藍）中，目前只有在紅光波段可以半導體雷射提供體積小、生命期長且價格低廉之商業化產品，藍、綠光波段則以氣體雷射為市場上之主流，因此，如何能開發出較低廉且維持小體積及長生命期之藍、綠光雷射是光電領域相當重要之課題，因為藍/綠光波段之雷射，應用領域相當廣，如：資料儲存、雷射顯示器（如：大螢幕電視、投影機、雷射劇院）、微細加工、精密定位、高解析度印刷等[1],[2]。 目前在固態藍/綠光雷射技術的發展上相當多元化，雖尚未有最佳之解決方案，但各項技術均有其長處，本文將介紹其中進展較快的幾個方向，包含：寬能隙半導體雷射、半導體雷射做準相位匹配（quasi-phase-matching）直接倍頻之雷射、半導體雷射激發之腔內倍頻雷射及半導體雷射激發之上轉換雷射之近況。 二、寬能隙半導體雷射 以半導體雷射直接產生藍/綠光雷射，長久以來，一直是被熱切期待的，不論學術界或產業界，均投入大量人力，直到1990年美國3M公司成功製作出摻氮原子之p型ZnSe，因而首度展示了以II-VI族硒化鋅（ZnSe）為基底之半導體綠光雷射，不過當時的工作條件為液態氮之溫度77°K且為脈衝式的驅動，到了1993年SONY公司成功的在室溫下產生490 及523 奈米之藍/綠光雷射，其結構如圖一所示，可說是ZnSe材料之高峰期，之後由於生命期較短的問題，使得此材料逐漸退燒，至1998年時亦只有約400小時之生命期，比起商業化產品所至少需要之10,000小時生命期尚有一段距離。 圖一: ZnSe-based 藍/綠光半導體雷射結構圖。 與此同時，III-V族氮化鎵（GaN）為基底之半導體發光二極體，由於p型摻雜的困難在1988年由Akasaki教授得到初步的解決，使得氮化鎵材料快速發展，1991年首先由日本日亞公司（Nichia Chemical Industries）的Shuji Nakamura生長出低電阻高品質之p型摻雜GaN展示了雙極性之發光二極體 【註：單極性之GaN發光二極體在1968年就已由RCA公司研製出，但效率非常低。】，並於1996年成功的在室溫下展示了藍紫光半導體雷射[3]，並在1998年成功的達到上萬小時生命期，可做商業化生產。目前日亞公司（網址：wwwla.mesh.ne.jp/nichia/index-e.htm）已可提供30 毫瓦，410 奈米的藍紫光雷射，不過尚無法突破至藍/綠光雷射波段，這主要是由於較長波長的GaN半導體基材，需與銦形成三元化合物，較高之銦比例雖可使能隙減少，波長朝長波長偏移，但較高之銦比例由於原子大小之不匹配等因素又使得晶體品質劣化，只能作為發光二極體這種非同調光源，卻不能產生雷射，此項難題，尚有待克服。最近美國的Cree公司亦宣布能在碳化矽（SiC）基板上生長氮化鎵基材，並產生室溫工作之連續光輸出，在3毫瓦的功率下，可有大於100小時之生命期，後續發展值得注意[4]。 三、準相位匹配倍頻之藍/綠光雷射 相位匹配是一般雷射要產生倍頻，所需滿足之條件，以使得基頻光與倍頻光能以相同之速度前進，建設性地產生倍頻光，以提昇效率。利用非線性晶體的雙折射效應達到相位匹配是一般常用之方法，但缺點是非線性晶體的最大非線性係數無法被利用到，且無法使用較長之晶體而且維持最高之基頻光功率密度及方向一致性，而準相位匹配可避免以上缺點。 準相位匹配的觀念中，早在1962年就由N. Bloembergen 教授提出，用以克服材料的色散問題，利用週期性區域反轉的方式，達成準相位匹配，但是直到1991年才由Myer教授在矽玻璃材質達到1 pm/V之非線性係數，之後此領域便進展快速，1993年Sony公司成功的以脈衝式電壓導致區域反轉技術應用在鈮酸鋰基板達成高達600%/W-cm2之轉換效率，到了1995年，Byer教授以液態電極取代金屬電極，以避免介電崩潰效應，如圖二所示為液態電極所做之週期性換極鈮酸鋰(periodically poled lithium niobate, PPLN)晶片。之後鈮酸鉭(LiTaO3)，磷酸鈦化鉀(KTP)等材料陸續被成功的做出週期性區域反轉。此技術的缺點，則是對基頻光的要求相當高，不但要單橫模（single transverse mode）亦需單縱模（single longitudinal mode）才能有效的倍頻，一般的F-P半導體雷射達不到要求，需以DBR半導體雷射才可有效倍頻，因而價格較高。 圖二: 週期