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MOS管 CSD19535KCS mos管是金属 metal —氧化物 oxid —半导体 semiconductor 场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体 insulator —半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 Qg和Qgd 低热阻 额定重复性雪崩击穿 Pb-Free端子电镀 符合ROHS认证 无卤素 封装名TO-220 适应范围 铺面同步整流器 电动机控制 产品描述 这个100 V,3.1 mΩ- 220 NexFET?功率MOSFET在能量变换应用程序旨在最大限度地减少损失。漏源电压Drain-to-Source导通电阻 VGS 6V 3.4 MΩ VGS 10V 3.1 MΩ VGS th 栅源电压 2.7 V 额定参数 温度：25度 值 单位 ＶＤＳ 漏源电压±20 V ID 连续漏极电流（包装有限） 150 A 连续漏极电流（硅有限）25度 187 连续漏极电流（硅有限）100度 133 IDM 脉冲漏极电流 400 A PD 功率消耗 300 W TJ ,Tstg 操作结和存储温度范围–55 to 175 °C EAS 雪崩能量,单脉冲mJ 电气特性 参数