模拟电路基础解析.ppt

制作： 路 勇(第一、二、三、四、七章) 李金平（第八章） 祁 英（第六章） 张玉慧（第五章） 1999年12月 绪 论 1.1904年发明了真空二极管—— ?第一代电子器件诞生。 2.1948年研制出晶体三极管—— ?第二代电子器件出现。 3.50年代末研制出集成电路—— ?第三代电子器件出现。 4.近几十年来集成电路?发展成小规模、中规模、大规模及超大规模（几十平方毫米的片子上，可集成上百万个元件） 5.电子技术学科可划分为两类： (1).模拟电子技术：可细分为高频、低频，主要研究对模拟信号的处理。 (2).数字电子技术：研究逻辑电路，对数字信号进行处理。 第一章 晶体二极管及其应用 半导体的基础知识 PN结与晶体二极管 光电二极管和发光二极光 二极管的应用 第一节 半导体基础知识 2.半导体的特性： (1).掺杂特性。(掺入杂质则导电率激增) (2).热敏特性。(温增则导电率显增) (3).光敏特性。(光照可增加导电率、产生电动势) 二、本征半导体： (一)硅和锗晶体的共价健结构 1.硅和锗均为4价元素。 2.晶体中晶格决定原子间按一定规律排列得紧密。（四面体结构） 3.外层电子成为共价键。 （二）两种载流子——电子和空穴 T=300K 时: 少数载流子获得能量,从价带导带——自由电子，(本正激发) 两种载流子——电子和空穴 2.自由电子——载流子： 在外电场作用下形成电子流（在导带内运动）， 方向与电场方向相反。 （三）载流子的浓度 　　ni=A0T3/2e- EG /2kT　　　　(1-1) A0—与材料有关的常数。 EG—禁带宽度。 T—绝对温度。 K—玻尔兹曼常数。 ni 与温度T和禁带宽度EG有关。 (四)载流子的产生与复合 ni（电子浓度）：是动态平衡值。 g(载流子的产生率):每秒成对产生的电子空穴的浓度。 R(载流子的复合率)：每秒复合的载流子的浓度。 当g=R时： R=rnipi (1-2) 其中r是和材料有关的系数 三、杂质半导体 3.在N型半导体中： 自由电子——为多数载流子 空穴——为少数载流子 杂质半导体 3.在P型半导体中： 空穴——为多数载流子 自由电子——为少数载流子 在杂质半导体中，尽管杂质含量很少，但提供的载流子以数量计算仍远大于本征半导体中载流子的数量。 例如：T=300k时，锗本征半导ni=2.5*1013/cm3,锗原子密度为4.4*1022/cm3,若掺入砷原子是锗原子密度的万分之一。 则施主杂质浓度为： ND=10-4*4.4*1022=4.4*1018/cm3 （比ni大十万倍） 第二节 PN 结与晶体二极管 (1).两种半导体结合后，由于浓度差产生载流子的扩散运动? 结果产生空间电荷区?耗尽层（多子运动）。 (2).接触电位 V?决定于材料及掺杂浓度： 硅： V?=0.7 锗： V?=0.2 (1).U↑?q(V?-U)位垒高度↓ ?耗尽层变薄?扩散运动(多子)↑ ?扩散电流↑ 1.PN结加正向电压时： ?( 内电场)与U方向相反 (1).U↑?q(V?-U)位垒高度↑ ?耗尽层变薄?扩散运动(多子) ↓ ?扩散电流↓ 2.PN结加反向电压时： ?( 内电场)与U方向相同 二.PN结的电流方程： Is ?饱和电流; UT=kT/q ?为温度电压当量。 k ?波尔兹曼常数； (T=300k;时 UT=26mv) 结构 当加正向电压时：I随U↑，呈指数规率↑。 (三).实测伏安特性： 1.正向起始部分有门限电压： 硅：Ur=0.5-0.6v; 锗：Ur=0.1-0.2v 2.加反向电压时，相同温度下： Is硅(nA,10-9)Is锗(?A,10-6) 硅管比锗管稳定：(EG(si)EG(Ge) 3.当反压大时，反向击穿，击穿电压为UB 四.晶体二极管的电阻： 正向电压时： (1).OQ斜率的倒数是正向电阻R。 (2).R与Q有关，Q不同