第五章存储器和存储器子系统讲解.ppt

第五章 存储器及存储器子系统 本章内容提要 本章主要介绍： 存储器的分类、技术指标、组成及层次结构 静态存储器（SRAM） 只读存储器 （ROM，EPROM， E2PROM， FLASH） 动态存储器（DRAM 存储器的接口设计 高速缓冲存储器（Cache）简介 第一节 存储器概述 本节基本知识 由于CPU的速度不断提高，处理的信息量不断增 大，要求存储器提高存取速度，改进存取方式（如突 发存取，并行存取等方式）。 存储器技术指标 存储器分类与性能 内存的基本组成 存储系统的层次结构 简介 一、存储器的主要技术指标 1、存储容量 指它可存储的信息的字节数或比特数，通常用存 储字数（单元数）? 存储字长（每单元的比特数） 表示。 例如： 1Mb 1M ? 1bit 128k ? 8bit 256k ? 4bit 1M位 1MB 1M ? 8bit 1M字节 一、存储器的主要技术指标（续） 2、存取速度（可用多项指标比表示） （1）存取时间（访问时间）TA 从存储器接收到读/写命令到信息被读出或写入完成 所需的时间（决定于存储介质的物理特性和寻址部件的 结构）。 例如： ROM存取时间通常为几百 ns； RAM存取时间通常为几十 ns 到一百多 ns； 双极性RAM存取时间通常为10~20 ns。 一、存储器的主要技术指标（续） （2）存取周期 TM 指在存储器连续读/写过程中一次完整的存取操作 所需的时间或者说是CPU连续两次访问存储器的最小 时间间隔。 （有些存储器在完成读/写操作后还有一些附加动作 时间或恢复时间，例如刷新或重写时。） TM略大于TA。 一、存储器的主要技术指标（续） （3）数据传送速率（频宽）BM 单位时间内能够传送的信息量。若系统的总线宽度为W，则BM W/TM（b/s） 例如：若W 32位，TM 100ns，则 BM 32bit /100×10-9s 320×10+6 320Mbit/s 40MB/s 若TM 40ns，则BM 100MB/s（PCI的TM 30ns） 早期的PC机：总线为8位，TM 250ns BM 8bit/250×10-9 4MB/s 一、存储器的主要技术指标（续） 3、体积与功耗 （嵌入式系统或便携式微机中尤为重要） 4、可靠性 平均故障间隔时间（MTBF），即两次故障之间的 平均时间间隔。 EPROM重写次数在数千到10万次之间； ROM数据保存时限是20年到100多年。 二、存储器的分类与性能 1、内存储器 也称主存储器，但有了Cache后，内存包括主存与 Cache。其速度快，价格贵，容量有限。它包括： （1）磁性存储器 磁泡存储器和磁芯存储器，信息不易丢失，但容量小，体积大。 （2）半导体存储器 ? 双极性存储器：速度快，功耗大，价格贵，容量小。适宜作Cache、队列等； 二、存储器的分类与性能（续） ? MOS存储器：速度稍慢，集成度高，功耗小，价格便宜。 a、只读存储器 ROM：掩膜ROM，厂家制造时已编程，用户不可编程， 不易挥发。 PROM：用户可一次编程（OTP）。不可擦除。 EPROM：UV-EPROM，紫外线擦除可编程ROM。 E2PROM：电可擦除可编程ROM。 b、RAM存储器（随机存取存储器，又称随机读/写存储器， 易挥发） SRAM：静态存储器，掉电后，信息丢失----挥发。 DRAM：动态存储器，即使不掉电，信息也会丢失，需要 定时刷新。 二、存储器的分类与性能（续） 2、外存储器 外存储器又称海存，容量大，价格低，不易挥发，但存取速度慢。外存有： ? 磁表面存储器：磁鼓，磁盘（硬盘、软盘） ? 光存储器：CD-ROM, DVD-ROM, CD-R, WR-CD ? 半导体存储器：Flash存储器（闪存盘，闪存条， U盘。 二、存储器的分类与性能（续） 三、内存的基本组成 各种内存的内部结构各异，但从宏观上看，通常 都有以下几个部分：存储体，地址译码，读/写电路。 1、存储体 存储二进制信息的矩阵，由多个基本存储单元组 成，每个存储单元可有0与1两种状态，即存储1bit信 息。 2、地址译码部件 地址线通过译码器选中相应的存储单元中的所有 基本单元。地址线条数n log2N（N为存储单元数）。 即：N 2n ，若n 16，N 2n 65536 三、内存的基本组成（续） 3、读/写电路 读/写电路由读出放大器、 写入电路和读/写控制电路构 成，通过数据线与CPU内的 数据寄存器相连。 内存的基本组成框图如右图： 四、存储系统的层次结构 为了解决存储器速度与价格之间的矛盾，出现了 存储器的层次结构。 1、程序的局部性原理 在