第四章离子注入综述.pptVIP

第四章 离子注入 第四章 离子注入(Ion Implantation) § 4.1 前言 § 4.2 离子注入系统 § 4.3 离子注入原理 § 4.4 离子注入损伤及其退火处理 § 4.5 离子注入在集成电路中的应用 § 4.1 前言 ? 什么是离子注入 将某种元素的原子经离化变成带电的离子 在强电场中加速，获得较高的动能后，射入材料表层（靶） 以改变这种材料表层的物理或化学性质 离子注入优点 各种杂质浓度分布与注入浓度可通过控制掺杂 剂量(1011-1016cm-2)和能量(10-200KeV)来达到 掺杂均匀(1% variation across 8’’ wafer) 横向分布大大小于扩散方法 表面浓度不受固溶度限制，可做到浅结低浓度 或深结高浓度 注入元素可以非常纯，杂质单一性 可用多种材料作掩膜(如金属、光刻胶、介质.)，可防止沾污，自由度大。 低温过程（因此可以用光刻胶作为掩膜），避免了高温过程引起的热扩散。 离子注入的局限 会产生缺陷，甚至非晶层，必须经高温退火加以改进 产量较小 设备复杂 有不安全因素(如高压、有毒气体) 会引入沾污 第四章 离子注入(Ion Implantation) § 4.1 前言 § 4.2 离子注入系统 离子注入系统的组成 剂量测量原理 § 4.3 离子注入原理 § 4.4 离子注入损伤及其退火处理 § 4.5 离子注入在集成电路中的应用 § 5.2 离子注入系统 离子注入系统的组成 离子源 （Ion Source) 磁分析器 (Magnetic analyzer) 加速管 （Accelerator) 聚焦和扫描系统 (Focus and Scan system) 靶室和后台处理系统(Target Assembly) 离子注入系统的组成 源(Source)：在半导体应用中，为了操作方便， 一般采用气体源，如 BF3, BCl3, PH3, ASH3等,如用固体或液体做源材料，一般先加热，得到它们的蒸汽，再导入放电区。 b) 离子源（Ion Source) 灯丝(filament)发出的自由电子在电磁场作用下，获得足够的能量后撞击分子或原子，使它们电离成离子，再经吸极吸出，由初聚焦系统聚成离子束，射向磁分析器 离子源(Ion source) 离子束的剂量测量 设质量M，荷电zq(z是离子荷电数，q是电子电荷量)和能量E的离子束，通过扫描和光圈限定面积A，定义剂量D与积分电荷量Q(库仑)的关系： 典型离子注入参数 离子：P, As, Sb, B, In, O 剂量：1011cm-2~1016cm-2 能量：5KeV – 400KeV 可重复性和均匀性: ±1% 温度：室温 第四章 离子注入(Ion Implantation) § 4.1 前言 § 4.2 离子注入系统 § 4.3 离子注入原理 § 4.4 离子注入损伤及其退火处理 § 4.5 离子注入在集成电路中的应用 §4.3 注入离子在半导体中的射程分布 有关射程的概念 核碰撞，电子碰撞 入射离子的分布 沟道注入 离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，一部分不在晶格上，因而没有电活性 §4.3 注入离子在半导体中的射程分布 有关射程的概念 核碰撞，电子碰撞 入射离子的分布 沟道注入 有关射程的概念 射程 (range) 投影射程 (Projected range) 射程分布 平均投影射程Rp 标准偏差?Rp 横向标准偏差?R? §4.3 注入离子在半导体中的射程分布 有关射程的概念 核碰撞，电子碰撞 入射离子的分布 沟道注入 注入离子如何在体内静止？ 核阻挡本领与电子阻挡本领-LSS理论 阻止本领(stopping power)：材料对入射离子的阻止能量的大小用阻止本领来衡量。阻止本领表示离子在靶子中受到阻止的概率。 电子阻止本领：来自原子之间的电子阻止，属于非弹性碰撞； 核阻止本领：来自原子核之间的阻止，属于原子核之间的弹性碰撞； LSS理论 1963年，Lindhard, Scharff and Schiott首先确立了注入离子在靶内分布理论，简称 LSS理论。 LSS理论用于计算总射程R和总射程标准偏差?Rp 该理论认为，入射离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程 (1) 核碰撞(nuclear stopping) (2) 电子碰撞 (Electronic stopping) 总能量损失为两者的和 Nuclear Stopping and Electron Stopping Nucl