扬州市2015届对口高考班机电专业期中摸底考试试卷.docVIP

扬州市2015届对口高考班 机电专业期中摸底考试试卷 班级__________ 姓名___________ 成绩_____________ 本试卷分第Ⅰ卷（客观题）和第Ⅱ卷（主观题）两部分。第Ⅰ卷1页至4页，第Ⅱ卷5页至14页。两卷满分300分。考试时间150分钟。 第I卷 ( 共 85分) 注意事项： 1．答第Ⅰ卷前，考生务必按规定要求填涂答题卡上的姓名、考试证号等项目。 2．用2B铅笔把答题卡上相应题号中正确答案的标号涂黑。答案不涂写在答题卡上无效。 一、判断题（本大题共14小题，每小题2分，共28分。下列各小题表述正确的在答题卡上将A涂黑，错误的将B涂黑） 1.若电路中某元件的电压与电流有关联参考方向，则该元件一定呈负载性。 2．在电阻并联电路中，阻值小的电阻，消耗的功率大，单位时间内产生的热量也多。 3．用支路电流法解题时，应建立的节点电流方程数为电路的节点数减1，回路电压方程数等于电路的网孔数。 4．当一个电容器两端的电压降为原来的一半时，其储能也降为原来的一半。 5． 两线圈间是否存在互感，与两线圈的相对位置没有直接关系。 6．磁屏蔽罩都是用软磁物质做成，利用它们的高导磁性来实现磁屏蔽。 ．周期性交流电的最大值是有效值的倍。 谐振电路电源频率增大时，电路的性质变为性。． 题15图 题16图 题17图 16．题图所示电路，保持R1、R2、R4不变，当增大R3时，a、b两点的电位变化是 A．Va升高，Vb升高 B．Va升高，Vb下降 C．Va下降，Vb升高D．Va下降，Vb下降Ω。要使负载电阻RL获得最大功率，RP应选 。 A． B． Ω C． Ω D．Ω 18．两电容，C1=100μF，耐压63V，C2=200μF，耐压160V，串联后接在150V的电压上，则有_______。 A．C1先击穿，C2后击穿 B．C2先击穿，C1后击穿 C．C1被击穿，C2不被击穿 D．C2被击穿，C1不被击穿 19．题图，处于磁场中的通电线圈，线圈在时，电磁力矩最大。 A位置 B．图示位置转45° C．图示位置转90° D．图示位置转0° 题19图 题20图 20．如题20图所示，S闭合后，R滑动头向右滑动，则检流计指针_____。 A. 不动 B. 向右偏转 C. 来回摆动 D. 向左偏转 21．三同频率正弦电压u1、u2、u3，u1超前u2，u2超前u3，则u1和u3的相位关系 。 A． B． C． D．一只空心线圈，分别通过等量的直流电流和交流电流时，严格地说线圈发热情况的是____A．通过交流电流时发热快 B通过直流电流时发热快 C通过直流电流和交流时发热一样快 D通过交流电流时不发热A． B． C． D． 题23图 题24图 24. 在题24图所示电路中，L1、R1支路的功率因数是cosφ1，L2、R2支路的功率因数是cosφ2，cosφ1 cosφ2，则整个电路的功率因数cosφ _________ A．cosφ cosφ1 cosφ2 B．cosφ1 cosφ2 cosφ C．cosφ1 cosφ cosφ2 D．cosφ= cosφ2 25．如题图所示，各晶体管工作正常，无损坏。测得电路中四个三极管各极对地的电压如题图所示，则VT1、VT2、VT3、VT4分别工作在A．截止区、放大区、饱和区、放大区 B．区、放大区、放大区、截止区 C．截止区、放大区、饱和区、截止区 D．区、放大区、区、放大区 题25图 26．如图所示电路，能产生自激振荡的是（） 题27图 28．不具有置0和置1逻辑功能的触发器是： A、RS触发器 B、JK触发器 C、D触发器 D、T触发器 29．我国生产的V带分为帘布、线绳两种结构,二者传动性能的主要区别在( 　) A、抗拉体 B、顶胶层 C、底胶层 D、包布层 30．以下常用