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N型8寸单晶硅片试验报告2012-6-20
N型单晶棒实验报告
顺风光电研发部 2012-6-20
N型8寸单晶H-02-1206-29-1
实验日期:2012.5.30-2012.6.1 炉号:29# 石英坩埚:22寸 实投料量:120kg 晶体型号:H-02-1206-29-1 原料品种:瓦克PCL-NCS纯料 拉制型号:N100 直径要求:203-206mm 目标电阻率:0.5-3.5 参杂量:66.2g 过程数据分析
N型单晶生产参数变化趋势图
注:横坐标是时间,单位刻度是1min,其中参量包括:加热板温度及温度设定,加热板功率及功率设定,加热板电流及电压,晶升上、下实际速度,副室温度,等径长度及重量,晶升速度设定。
图表分析
硅棒检测数据:
头部 尾部 表面电阻率 3.5?.cm 0.6 ?.cm 少子寿命 2450.7us 2375us 氧含量 0.9*1018 0.68*1018 碳含量 2.17*1016 4.16*1016 从以上数据来看,少子寿命、电阻率及氧碳含量均合格
硅片检测:
硅片厚度检测数据:
硅片电阻率检测数据:
电阻率分档:0.5-1共有399片;1-3共有3746片。
硅片的各组数据显示硅片各方面参数合格。
N型8寸单晶H-02-1206-29-2
实验日期:2012.6.6-2012.6.8 炉号:29# 石英坩埚:22寸石英坩埚 实投料量:120kg 晶体型号:H-02C-1206-29-2 原料品种:瓦克PCL-NCS纯料 拉制型号:N100 直径要求:203-206mm 目标电阻率:1-6 ?.cm 参杂量:38g 运行记录
N型单晶生产参数变化趋势图
注:横坐标是时间,单位刻度是1min,其中参量包括:加热板温度及温度设定,加热板功率及功率设定,加热板电流及电压,晶升上、下实际速度,副室温度,等径长度及重量,晶升速度设定。
图表分析
硅棒检测数据:
头部 尾部 表面电阻率 5.3 1.1 少子寿命 1868 1780 氧含量 0.89*1018 0.64*1018 碳含量 1.83*E16 4.20*E16 从数据显示碳氧含量、少子寿命(要求大于1000)、电阻率(要求1-6)等都合格。
硅片检测数据:
硅片电阻率
硅片分档数据: 1-3 ??cm共1697片,3-6 ??cm共2374片。均在合格范围内。
硅片厚度检测:
硅片厚度均在合格范围内200±20um。
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