半导体集成电路_04集成电路中的晶体管及其寄生效应概要.pptVIP

* * rB=rB1+ rB2+rB3 基区电阻rB 集成双极晶体管的无源寄生效应 E B rB3 rB2 rB1 发射区 扩散层下的 基区电阻 发射区扩散层 边缘到基极接触孔边缘的 外基区电阻 基极金属 和硅的接触电阻以及 基极接触孔下的基区电阻 * * §2.5 MOSFET的单管结构及工作原理 单极器件：只有一种载流子参与导电 n+ n+ p型硅基板 栅极 绝缘层（SiO2） 半 导 体 基 板 漏极 源极 * * VG=0 VS=0 VD=0 栅极电压为零时，存储在 源漏极中的电子互相隔离 * * VGS0时，沟道出现耗尽区， 至VGS VTH时，沟道反型，形成了连接源漏的通路。 + + + + + + + + VG VD 电流 S VDS较小时，沟道中任何一处电压的栅－沟道电压都大于阈值电压，随着VDS的增大，电场强度增大，电子漂移速度增大，因此电流随着VDS的增大而增大。（线性区，非饱和区） 随着VDS进一步增大至VDS=VGS-VTH(即VGDVTH)时，靠近漏端边缘的沟道出现夹断，晶体管进入饱和区。随着VDS的增大，夹断区向源区移动，电压的增加主要降落在夹断点至漏端边缘的高阻区，沟道电子被横向强电场拉至漏极，漏源电流基本上不随VDS的增大而变化。 * * VD ID 非饱和区 饱和区 VG N沟MOSFET的输出特性曲线 * * 场区寄生MOSFET 寄生双极