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半导体所2004年各室奖励奖励情况及列表.doc
2004年半导体所成果、论文、专利及著作奖励通告
所属各单位：
科技开发处对2004年我所科技人员（所属单位为半导体所）在国际学术期刊上发表的论文，专利申请和授权情况进行了统计。并根据半发科技字[2004]9号《半导体所科研成果获奖、专利、论文及专著的奖励办法》对以下成果进行奖励。 2004年我所在获奖、论文、专利及著作等方面取得了较好的成绩，获国家奖一项；在国际学术期刊上共发表论文 125 篇；申请专利 146 项，版图设计8项，授权专利 20 项；编著一本、译著一本，希望全所科技人员在新的一年中作出更多更优秀的科研成果，取得更高水平的论文和申请更多的专利。
附件：1、半导体所2004年国际期刊发表论文统计表
2、半导体所2004年各室奖励奖励情况及列表
3、2004年国际期刊影响因子附表
4、半发科技字[2004]9号《半导体所科研成果获奖、专利、论文及专著的奖励办法》
中国科学院半导体研究所
2005年4月28日
附件一：
半导体所2004年国际期刊发表论文统计表
1、超晶格室 33 篇，共奖励 元
其中：
Chinese Physics Letters 6
J. Appl Phys. 4
JOURNAL OF PHYSICS: CONDENSED MATTER 2
Applied Physics Letters 2
?Solid state Comm 2
?Journal of Crystal Growth? 3
Superlattices and Microstructures 1
Physical Review B 4
Physical Review A 3
Optics Communications 1
J.Phys.A：Math.Gen. 1
J. Phys. D: Appl. Phys 1
Phil.Trans.R.Soc.Lond.A 1
JPN J APPL PHYS 1
J.Phy.:Condens.Matter 1
2、材料开放室 33篇，共奖励 元
其中：
1）J. Appl. Phys. 3
2） Journal of Crystal Growth 19
3） Appl. Phys. Lett. 3
4） Physica E 1
5）IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS 1
6） Journal of Physics: Condensed Matter 1
7） Nanotechnology 1
8） Chinese Journal of Chemistry 1
9）J. Vac. Sci. Technol.B,
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