大学材料科学基础 第四章晶体缺陷2.pptVIP

2.1 实际晶体中的全位错（单位位错） 2.2 不全位错 位错反应：位错的合并或分解称为位错反应。位错反应的结果是降低位错的能量，这是位错反应的驱动力。 1．位错反应的条件（1）几何条件 ∑ b前 = ∑ b后（2）能量条件∑│b│2 前 ∑│b│2后 2．实际晶体中位错的柏氏矢量 前面都是结合简单立方晶体结构来讨论位错的各种性质，位错的柏氏矢量都是以晶格点阵常数为单位，如a[100]，因为这时柏氏矢量的模最短，使位错的能量最低。 实际晶体结构远比简单立方要复杂，其位错也更复杂，分成全位错和不全位错两种，和简单立方点阵类似，其柏氏矢量也是取能使位错能量最低的最短晶格点阵矢量。 全位错（perfect dislocation） 柏氏矢量等于晶格点阵中点阵矢量最短的位错，也叫单位位错。 不全位错（partial dislocation） 柏氏矢量小于点阵矢量的位错。不全位错是实际晶体中特有的位错。 fcc晶体结构中，原子密排方向110原子间距最短，全位错的柏氏矢量为a/2110。原子密排面｛111｝，当全位错位于｛111｝面，位错可以滑移。 fcc晶体中的全位错组态 和滑移 （111） 全位错滑移后，没有破坏原子的排列，后面留下的是完整的晶体。 不全位错的柏氏矢量小于最短点阵矢量，它是实际晶体中特有的位错。这种位错在晶体中滑移后，留下的是不完整的晶体，即是含缺陷的晶体，因此得名。 在fcc晶体中，不全位错是层错区和正常堆垛区（完整晶体）的交界线，层错有两种：堆垛层错和滑移层错，分别对应着Frank不全位错和Shockley不全位错。 层错：晶体堆垛顺序出现错误形成的面缺陷。 fcc中： (111)面正常堆垛顺序为ABCABC............，如果堆垛顺序变成ABCBCABC………，就会出现层错。层错可由滑移形成，也可由在正常堆垛中抽出或插入一层(111)面形成。 层错破坏了晶体的周期性，使晶体能量上升，但它不会产生点阵畸变，因而层错能较低。 滑移形成Shockly不全位错 抽出局部（111）面形成Frank不全位错 Frank不全位错不能滑动，b＝a/3111 插入局部（111）面形成Frank不全位错 思考题：课后总结两种不全位错的异同点。 3． 面心立方晶体中全位错的分解及扩展位错 面心立方晶体中位错的分解和合并经常发生，最常见的是一根全位错分解成两个不全位错，如： 这一分解符合位错反应条件，分解后的不全位错称为Schockley不全位错。为什么要发生这种分解？意义何在？ （1）降低了体系能量。 （2）使全位错滑动阻力减小。 fcc晶体中的刃型全位错组态 a/2 [110] (111) fcc晶体中的刃型全位错组态 fcc晶体中刃型全位错滑移和分解 （3） 扩展位错 全位错分解后形成两个Schockley不全位错后，两者彼此分开一段距离，中间夹着一堆垛层错区（Stacking Fault），这种位错组态称为扩展位错。 （4）扩展位错的宽度 扩展位错运动方式。 层错能：γ＝ G(b1b2)/2πd 扩展位错宽度：d ＝G(b1b2)/2πγ 第四节 多晶材料中的界面 一、界面的定义 晶体材料中结构、位向、点阵常数或化学成分不同的两个相邻晶粒间的交界区域。该区域的厚度很薄，只有几个A（原子层），长宽方向尺寸为微米级，区域内原子排列紊乱，是一种面缺陷 (planar defects)。 二、界面类型 1．晶界：晶体结构相同，但位向不同的晶粒间的界面。 2．相界：两个不同相晶粒之间的界面。 3．表面：晶体与气相或液相之间的界面。 三、晶界的结构与晶界能 根据相邻晶粒两侧的位向差把晶界分成小角度晶界（10°）和大角度晶界（10°）两种。 1．小角度晶界的结构 Low Angle Grain Boundary 小角度晶界通常是指亚晶界（2°），约占总晶界的10％，它们基本上是由位错组成，最简单的情况是对称倾侧晶界。由刃位错以位错墙的形式排列。 对称倾侧晶界的形成 扭转小角度晶界由螺位错组成，结构比对称倾侧小角度晶界复杂，实际晶体材料中的小角度晶界更复杂，无论是哪种小角度晶界，都是由位错组成，位错密度随位向差的增大而增加。 图30 扭转小角度晶界结构 2．大角度晶界 High Angle Boundaries 实际晶体材料中90％的晶界（相界）都属于大角度晶界，但对它的具体结构却不是十分清楚，提出的模型也较多，