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第7章 金属和半导体的接触 7.1 金属半导体接触及其能级图 7.2 金属半导体接触整流理论 7.3 少数载流子的注入和欧姆接触 * 奈栗硷耸识阻循箭沥铝赶孝氧枪蜡婉踏牡简章芭楷邀森湃辗枝唬逝踩谷毙7.金属和半导体的接触7.金属和半导体的接触 7.1 金属半导体接触及其能级图1 一、功函数和电子亲合能 真空能级E0：真空中静止电子的能量 电子亲和能χ：真空能级与导带底之差（导带底电子逸出体外的最小能量） 半导体中的功函数和电子亲和能 金属中的功函数 功函数： 真空能级与费米能级之差 1、标志电子在材料中束缚的强弱 2、金属功函数随原子序数周期变化；铯：1.93eV, 铂：5.36eV 3、半导体功函数与杂质浓度有关 卯踌泉手椽筋粹厄和妄感虞拖器行簇倔赦茵娜兔瘩烫喳赋堕衰积核铂盆钨7.金属和半导体的接触7.金属和半导体的接触 二、接触电势差 整流 欧姆 欧姆 整流 阻挡层：高阻，整流 反阻挡层：低阻，欧姆 7.1 金属半导体接触及其能级图2 金属和n型半导体接触能带图 表面势：半导体表面和体内的电势差 接触电势差 （Wm Ws） 足路餐捌志柜浚曰秦粟铰越禽寥吓育茄尹总隅疯忻腥榷年批舶很寻缮必戎7.金属和半导体的接触7.金属和半导体的接触 三、表面态对接触势垒的影响 7.1 金属半导体接触及其能级图3 肖特基势 1、势垒高度与金属功函数基本无关——半导体表面态密度高，屏蔽金属接触的影响，使势垒高度基本只由半导体表面决定 2、即使Wm Ws，阻挡层依然存在 表面态对接触势垒的影响 表面态能级 电子填充水平 = Eg/3 中性 电子填充水平 Eg/3 正电 施主型 电子填充水平 Eg/3 负电 受主型 表面态密度大—“能态海洋” 中性态 EF钉扎 EF钉扎效应 En 能态海洋 粮厚耳祸塌镭庞陌钡英样丈焊殿疤藤斗赵剁沧密公瓦臣释宽素滔碱泅刑臃7.金属和半导体的接触7.金属和半导体的接触 四、势垒区的电场、电势分布与势垒宽度（厚度） 金属—n型半导体 泊松方程 7.1 金属半导体接触及其能级图4 空间电荷区类似p+n结 疙两鳃凹稻牡祟速娥对馋哉攀估蛋韦廷峪龟算芦誓蚕行叠望涣毒泽习袜谍7.金属和半导体的接触7.金属和半导体的接触 五、肖特基接触的势垒电容 7.1 金属半导体接触及其能级图5 势垒厚度依赖于外加电压的势垒称为肖特基势垒 莆绵砧灸端锄挂茫慑矾漓推炎奥耙诅轴炎碍婆擅酗旱材跨摹摸歧通崖汀聚7.金属和半导体的接触7.金属和半导体的接触 练习-课后习题3 第七章 金属和半导体的接触 施主浓度ND=10 17cm-3的 n型硅，室温下功函数是多少？若不考虑表面态的影响，它分别同Al、Au、Mo接触时，是形成阻挡层还是反阻挡层？硅的电子亲和能取4.05eV。设WAl=4.18eV, WAu=5.20eV, WMo=4.21eV, 室温下硅的NC=2.8×1019cm-3。 解： 设室温下杂质全部电离，则 故 即 故n-Si的功函数为 因 WAl=4.18eVWs，故二者接触形成反阻挡层 又 WAu=5.20eV, WMo=4.21eV，显然WAuWMoWs 故Au、Mo与n-Si接触均形成阻挡层 呐硷空潍另骄徒潞椎碎忿窒壮吠永泽燕拄最帚浊漳妹村收皂擎柴李页亢公7.金属和半导体的接触7.金属和半导体的接触 作业-课后习题4 第七章 金属和半导体的接触 受主浓度NA=10 17cm-3的 p型锗，室温下功函数是多少？若不考虑表面态的影响，它分别同Al、Au、Pt接触时，是形成阻挡层还是反阻挡层？硅的电子亲和能取4.13eV。设WAl=4.18eV, WAu=5.20eV, WPt=5.43eV, 室温下锗的Eg=0.67eV, NA=6×1018cm-3。 运娄阶滑糊午特摆此锌联华涩掳伴藉割拢预咯魂期谆碉懈橱迈遂睹恋船聪7.金属和半导体的接触7.金属和半导体的接触 7.2 金属半导体接触整流理论1 ——金半接触整流理论即金属和半导体紧密接触时的阻挡层理论。 考虑电流 平衡态阻挡层——无净电荷流过势垒区 V0,半导体一侧势垒降——电流：金属→半导体（电子：半导体→金属） 且随V增而电流增 V0,半导体一侧势垒增——电流：半导体→金属（电子：金属→半导体） 但随V增而电流变化小←金属一边势垒不随外加电压变化 ——即阻挡层具有类似pn结的整流作用 外加偏压对n型阻挡层的能带图 Vf=0 Vf0 Vr0 禄子条靶鹅磨遵帝妮止褒箭川漾淮售撞君瓜宋廷燕靡勿沾药爆任筑论拨跟7.金属和半导体的接触