薄膜制备与表面分析08精选.pptVIP

LEED ?? 引言 1921年 Davisson 和Germer就研究了电子束在单晶表面的散射现象。并发现了电子的散射不是各向同性的。 30年代后，人们开始了低能电子衍射方面的研究。 50年代，随着超高真空技术的发展，人们识别到获得清洁表面对观察低能电子衍射图象的重要性，用LEED研究了Ti, Ge, Si, Ni, SiC等的表面原子排列，并开始研究气体在单晶表面的吸附现象。 LEED ?? 引言 从七十年代开始，开展了 LEED 强度特性的理论研究，并结合计算机模拟计算，对表面结构进行研究。 目前，人们已对一百多种表面结构进行了研究，得到许多表面吸附结构方面的新知识。 LEED ??低能电子衍射 入射电子的能量通常为20~ 500 eV，对应的波长为0.3~0.05 nm。 LEED ??低能电子衍射 LEED ??低能电子衍射 晶体中的原子对能量在0~500 eV范围内的电子有很大的散射截面，入射电子在经受弹性或非弹性散射之前是不能进入晶体很深的。因此，背散射电子中绝大部分是被表面或近表面的原子散射回来的，这就使低能电子衍射成为研究表面结构的一个理想的手段。 LEED ??低能电子衍射 正是由于晶体原子对低能电子散射的截面很大，使得电子在离开晶体前经受多次散射的几率很大，这种现象称为多重散射。 由于多重散射的存在，使低能电子衍射结果的分析变得极为复杂。至今，