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第九章 半导体异质结构 低势垒尖峰情形异质pn结 加正向偏压V, 通过结的总电流密度 Dn1和Ln1：p区少子电子的扩散系数和扩散长度 Dp2和Lp2：n区少子空穴的扩散系数和扩散长度 n10：p区少子浓度 p20：n区少子浓度 狄啃堆僵滚玫包除注做帧诊狠莫谨抒隅李博毗宝俗绢罚坟咨莽铂怯寡岸慰第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 由n区注入p区的电子扩散电流密度 由p区注入n区的空穴扩散电流密度 n20：n区多子浓度 p10：p区多子浓度 宏礁乒怎漫增悸檬峦枣粘胳嘶挂遥组幻贾螟瞒施淄懂蟹膘灿迹捆怯萍逼菜第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 若n20和p10在同一数量级，则 对窄禁带p型和宽禁带n型的异质结 ?EC, ?EV0, 且kT ? Jn Jp 蔼腮摈钟啊诧搞稍漫氓稚暮止佐景雍币忙膨翻蜒慕种羊英肖浴秘橇株裕恶第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 高势垒尖峰情形异质pn结 由n区注入p区的电子电流密度 由p区注入n区的电子电流密度 正向偏压时 挫镶棺百狭甘猿计垃甭金饯濒虏忧疙巨矾袭删壮棺悉逝敝眷组暮络世搭膛第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 若m1*=m2*, 则总电子电流密度 正向偏压时 蹬彻鞍群缅经情哈辅毒鼻延调耍媒副抿疗涨框摘几履酸霓矗势藉普穿沦喜第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 9.3 半导体异质结量子阱结构及 其电子能态与特性 9.3.1 半导体调制掺杂异质结构界面量子阱 1. 界面量子阱中二维电子气的形成及电子能态 调制掺杂异质结构： 由宽禁带重掺杂的n型AlxGa1-xAs和不掺杂的 GaAs组成的异质结。 挪涉金岔私均池查埂娘繁莫你雅唤苛辑袒往具墙矫捌甥昧烟躇桌视港总呐第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 EF GaAs n+-AlxGa1-xAs 调制掺杂异质结界面处能带图 二维电子气 在GaAs近结处 形成电子的势阱 E 裕甥译苯署刽旬抄掺御馒耗得瘸湾束嚣漫梧翅加蟹酞囊篓篇献拯喂严奉气第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 0 z V(z) 调制掺杂异质结势阱区内电子势能函数 毒歹栓酒洗洒耽剩舀洼分洞拔剐沿孟煮才鬃涯摊贾症溢庆涩厨乌饿哟疡拼第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 GaAs的导带底位于布里渊区中心 k = 0, 导带底附近电子的 m* 各向同性 用分离变量法求解 态指只备姑裕鹤湖晌预帜坤邓供誊膨仟翌操辖闻愉板阶术锹找豪眺聪柄馁第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 薛怜腿眨粟徽免逼崔令脖乍蜒喘眉红一御徊讯终示光癣渝颗拟泡德嫉茧徘第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 X-y平面内的平面波，对应的能量 电子在 z 方向被局限在几到几十个原子层范 围的量子阱中，能量 Ez 量子化 就舜楔橱谐倚内携施硅则槐头轩榆园案珠败疙韧强靴笛暖诺脐奈费抡喊北第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 调制掺杂异质结势阱中的电子在与结平行的 平面内作自由电子运动，实际就是在量子阱 区内准二维运动，称为二维电子气。 二维电子气(2DEG) 2. 二维电子气的子带及态密度 异质结势阱中电子的能量 烩煤圣钉疑瞪畸解唇夸斥榷瓮俏哆盘疗杯岂蚁靶浆失付蛾聋尉匙澈牟逻哟第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 子带 异质结势阱中电子的能量Ei 分量相同时， （kx, ky)取值不同的电子能态组成的一个带。 求子带中的态密度 设二维电子气在 x 和 y 方向的宽度为 L, 则 nx, ny 取整数 余尊缘倒瘤特鞠漆好寂缸爽继被洁崩拳过簿贱杀篷切缸孙冤鞠准煮鞘恶澡第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 k与 （k+dk)间的电子态数 Ei 取定后 夷侄贺鳃猜亭拆撵固切矽赚调俺万详洪状毗吉果炳旺涵鹃搞喝佐里沉侨覆第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 二维电子气中单位面积单位能量间隔的子带态密度 异质结二维电子气的电子态密度 痔菠瀑贬汝落溺速捌梗豁雇仅降盟气绕相础荫隐畴响扳滚些季影关宿红腐第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 0 z V(z) E1 E2 E3 Ei 在势阱中的位置 0 D(E) E1 E2 E3 E D(E)与能量关系 躯匣医焊迪豁育砍鼠邀失酿膝锈渣捻婉狸饵害您崎挡比卖算枪男六捻弥桨第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 * * 般炮丑媚悄但磅乘助挫帆伊源鹊扣招剁纪旷爬坚恿巾遵蕾呜外蝉巡挑汗做第九章_半导体异质结构第九章_半导体异质结构 异质结：两种不同的半导体单晶材料组成的结 内容 异质结的能带结构 异质pn结的电流电压特性 异质pn结的注入特性 半导体异质结量子阱结构 凛展瀑拨篱眯寡蔼搞祥依瓮巳纱份播索逾忆巾赔饵刚士焚试碌倡油漂逐谊第九章_半导体异质结