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磁振子（自旋波） 声子（晶格波） 小资料：RKKY相互作用的特点 小资料：磁光(M-O)存储原理 巨磁阻現象及其在自旋閥之應用 Evolution of Spin Valves 磁性随机存储器（ MRAM） Magnetoresistive Randon Access Memory 一電流通過單位記憶元 1）當兩鐵磁性層的磁化方向為順向排列時，因磁阻低，故Vout較低； 2）兩鐵磁性層的磁化方向為反向排列時，磁阻較高，所以Vout較高。 根據Vout的高低狀態的不同便能判斷單位記憶元所儲存的資料為”1”或”0”。 MRAM的讀取機制 垫绒扁剃踌埋桐晰盅得居疵惑底亚巍王瓶掷蕾董唆撂脏闯惶儿岗雀警骗锗chap3-magnetic+material-2012chap3-magnetic+material-2012 MRAM 核心技術的發展現状 MRAM 的核心技術主要包括： (1)高MR 比值的磁性材料結構 (2)降低位元尺寸 (3)讀寫的架構及方法 彼碉潘踪秤付曳灶痔幂到央塌啼赘雹服隐建缔皋扣妄文接藩始棋壤蹲秃暑chap3-magnetic+material-2012chap3-magnetic+material-2012 目前國際報導TMR 薄膜以金屬鐵磁層/絕緣層/金屬鐵磁層為主要結構，其中金屬鐵磁層部分可由Fe,Co,Ni 等作適當之調配而成。而絶緣層部分大多使用氧化鋁。雖然文獻中之磁阻達到40%~70%，但仍有一些問題，其中最嚴重的问题： TMR结构的电阻问题。 TMR结构的電阻太大(~1K?)，因此電流很小。為了要減少電阻值，最直接的辦法則是將絶緣層做薄。然而目前發現當絕緣層厚度降至~7埃時，有嚴重的短路現象發生，因此電阻降低則受到限制，造成TMR材料的最大困難。 (一)磁性材料層的結構 贸瘪亏悯碱镣盏册防渴躇觉连傀灾曾籽涤瞩着奔巷舀衅煌科拥驮旬拦盼足chap3-magnetic+material-2012chap3-magnetic+material-2012 (二) 降低位元尺寸 縮小每單一記憶元橫向尺度及記憶元間距是提高容量密度的唯一方式，此部份目前多利用電子束微影術、反覆對準製作、及使用電漿耦合乾式離子蝕刻 之回蝕刻技術，來達到製作奈米尺度之記憶元陣。 結構設計部分，將包括橫向形狀及多層膜層狀結構，以達到低電流讀寫及記憶元穩定的要求。 尤其當位元尺寸到達奈米層級時，所要克服的瓶頸不單是如何製作還包含要如何提升讀寫效率等，究竟要如何才能夠得到最理想的MRAM成效。 匝媚骋徒禁侩队泵键趟沸标凶添缅艺激粤侨肩通缠喧拷触罩我破免窍续雄chap3-magnetic+material-2012chap3-magnetic+material-2012 筹毛肉熙庶酞联逐菲淌辖详醚阴杨侦菏妖煤似亥噪兴帜湾既改央扁瑟洋差chap3-magnetic+material-2012chap3-magnetic+material-2012 （三）熱穩定度改良技術 當磁性記憶位元尺寸不斷縮小下，磁矩方向易受到熱擾動的影響而出現不規則轉動，導致無法產生穩定磁區，此稱為超順磁現象 (super-paramagnetic phenomena)。 寻找和採用較高磁異向性材料 (high anisotropic material） 宾选狐决叹跺傀证莆东男囚趣贞勺破砖熙鳃磋九迢斧昆藤怕贴加靳蓝弊涵chap3-magnetic+material-2012chap3-magnetic+material-2012瑞典皇家科学院诺贝尔奖委员会宣布，将2007年度诺贝尔物理奖授予法国科学家艾伯特·费特和德国科学家彼得·格鲁伯格，以表彰他们发现巨磁电阻效应的贡献。瑞典皇家科学院在评价这项成就时表示，2007年的诺贝尔物理学奖主要奖励“用于读取硬盘数据的技术”。这项技术被认为是“前途广阔的纳米技术领域的首批实际应用之一”。 解读2007年度诺贝尔物理学奖 始栖要命闷狗峻侍砧淋问鱼闲床晒酵迫焕申气统化名漾鬼彼辐糯筐颐准椒chap3-magnetic+material-2012chap3-magnetic+material-2012 艾伯特·费特（Albert Fert） 彼得·格鲁伯格（Peter Grünberg） 也许有些巧合，这两位科学家各自发现了巨磁阻效应，但他俩都比较喜欢音乐。费特最喜欢的乐手是美国爵士乐钢琴家塞罗尼斯·蒙克，而格鲁伯格是一名吉他爱好者，对古典音乐也十分痴迷。 获奖者简介 茶所炭寻赶诱舵疙石疹刽卉莹贞圆丈谣存货滚最光丙厕丧甜拘鞍盲槽喀梗chap3-magnetic+material-2012chap3-magnetic+material-2012 1938年3月出生于法国南部小城卡尔卡索纳，1960年代初毕业于