模电场效应光.ppt

N沟道JFET，是在一根N型半导体棒两侧通过高浓度扩散制造两个重掺杂P++型区，形成两个PN结，将两个P++区接在一起引出一个电极，称为栅极(Gate)，在两个PN结之间的N型半导体构成导电沟道。在N型半导体的两端各制造为源极(Source)，接收端称为漏极(Drain)。在JFET中，源极和漏极是可以互换的。 LOGO 1.4 场效应管 图1-1 结型场效应管的结构示意图和符号 一. 结构 1.4.1 结型场效应管 + + + + 如果在栅极和源极之间加上负的电压UGS，而在漏极和源极之间加上正的电压UDS，那么，在UDS作用下，电子将源源不断地由源极向漏极运动，形成漏极电流ID。因为栅源电压UGS为负，PN结反偏，在栅源间仅存在微弱的反向饱和电流，所以栅极电流IG≈0，源极电流IS=ID。这就是结型场效应管输入阻抗很大的原因。 二. 工作原理 (a) UGS =0，沟道最宽，ID最大 1. UGS对导电沟道的影响 图1-2 UGS 对导电沟道影响示意图 (b) UGS负压增大，沟道变窄， ID减小； 图1-2 UGS 对导电沟道影响示意图 (c) UGS负压进一步增大，沟道夹断， ID =0 图1-2 UGS 对导电沟道影响示意图 UGS=夹断电压UP 为了使输入阻抗大(不允许出现栅流iG)，也为了使栅源电压对沟道宽度及漏极电流有效地进行控制，PN结一定要反偏，所以在N沟道JFET中，uGS必须为负值。 2. UGS =0时UDS对导电沟道的影响 图 1-3 UDS对导电沟道和ID的影响 1. 转移特性曲线 图1- 4 N沟道结型场效应管的转移特性曲线 三. 特性曲线 2. 输出特性曲线 图1--5 N沟道结型场效应管的输出特性 根据工作情况, 输出特性可划分为4个区域, 即: 可变电阻区、 恒流区、击穿区和截止区。 1. 可变电阻区 当uDS很小，|uDS-uGS||UP|时，即预夹断前(如图所示)，uDS的变化直接影响整个沟道的电场强度，从而影响iD的大小。所以在此区域，随着uDS的增大， iD增大很快。 与双极型晶体管不同，在JFET中，栅源电压uGS对iD上升的斜率影响较大，随着|uGS|增大，曲线斜率变小，说明JFET的输出电阻变大。如图1--5所示 。 2.恒流区 恒流区相当于双极型晶体管的放大区。其主要特征为： (1)当UPUGS0时，uGS变化，曲线平移，iD与uGS符合平方律关系， uGS对iD的控制能力很强。 (2)UGS固定，uDS增大，iD增大极小。说明在恒流区，uDS对iD的控制能力很弱。这是因为，当uDS较大时，UDG增大，靠近漏区的PN结局部变厚，当 |uDS-uGS||UP| ?时，沟道在漏极附近被局部夹断(称为预夹断)，如图所示。此后， uDS再增大，电压主要降到局部夹断区，而对整个沟道的导电能力影响不大。所以uDS的变化对iD影响很小。 3. 截止区 当|UGS||UP|时，沟道被全部夹断，iD=0，故此区为截止区。若利用JFET作为开关，则工作在截止区，即相当于开关打开。 4.击穿区 随着uDS增大，靠近漏区的PN结反偏电压uDG(=uDS-uGS)也随之增大 1.4.2 绝缘栅场效应管 一. N沟道增强型MOS场效应管 1. 结构 图 1-6 N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图 2. 工作原理 图 1-7 UGS＞UT时形成导电沟道 ID0是uGS=2UT时的iD 3. 特性曲线 图1-8 N沟道增强型MOS场效应管的特性曲线 二. N沟道耗尽型MOS场效应管 图 1-9 N沟道耗尽型MOS管的结构示意图 图 1-10 N沟道耗尽型MOS场效应管的特性曲线 图 3-11 MOS场效应管电路符号 表3-1 各种场效应管的符号和特性曲线 表1-1 续表 1.4.3 场效应管的主要参数 一. 直流参数 1. 饱和漏极电流IDSS （耗尽型和结型） 定义是当栅源之间的电压UGS等于零, 而漏、源之间的电压UDS大于夹断电压UP时对应的漏极电流。 2. 夹断电压UP （耗尽型和结型） 其定义为当UDS一定时,使ID减小到某一个微小电流(如50μA)时所需的UGS值。 3. 开启电压UT (增强型)