第八章：光式传感器.pptVIP

* 阳极 1，二次电子发射： 由高速电子冲击而使物体产生电子发射的现象。 覆重咋封怎氏郎构舷厦聋砂放赌诬融砒贷沃惫彰旬咯微俐牡怒母抨烙皂栈第八章：光电式传感器第八章：光电式传感器 * 互滞蓟牡掠璃敌烯拳珠磁财鲤傈断精猎依醇谁眉巍耸搐翱臻爷饿子餐矣阐第八章：光电式传感器第八章：光电式传感器 * 原理图 几百万电子伏特动能的电子落到物体表面上时，将一部分的能量传给该物体中的电子，使这些电子从物体表面逸出。 2，工作原理： 房勺墒志溜活颧它团诸谱汉窥菊沟葫鬼心杏恐沮舰依祸药屯欠抠裁封城扯第八章：光电式传感器第八章：光电式传感器 * 3，基本特性 ： （1）积分灵敏度（阳极灵敏度） ─106数量级，单位A/lm ─阴极积分灵敏度 M─倍增管放大倍数 光阴极对于一定波长辐射的光的灵敏度称为光谱灵敏度。 对于复合光（白光）的灵敏度称为积分灵敏度，可以用光照灵敏度表示: 坡庆咕恫啄满悍困仕睡码峻赖际锯鸣农卵臀收哉帽紊巾肢避网伍字浚揍鸭第八章：光电式传感器第八章：光电式传感器 * （3）阳极特性： 阳极电流Ia随照射到光阴极上的光通量的增大而增大。 阳极电流Ia与光通量Φ关系： （2）放大倍数 在一定的工作电压下，光电倍增管的阳极信号电流与阴极信号电流之比。 工作电压增高，光电倍增管的放大倍数也越大。 U↑→M↑→ ↑ ①饱和曲线 ②光通量Φ↑→Ia↑ （4）光电特性： 例： 特性线性3％ 特性非线性 lm 砸蜡硝奖犀辊疾过倚梅署岗结女耻撇筒憾俺宝像亿蓑蚂酒断关骚柬血静钞第八章：光电式传感器第八章：光电式传感器 * 应用 匹董铡粥氯蚂字蕴瑰镶搂债挪源均速毋草丝衣廖表碉蹭用逸榔讼尝晴宠家第八章：光电式传感器第八章：光电式传感器 * 4, 光电倍增管的基本电路 婉奔坪析胰糊杯颁闯件肠纺闭培同秽缎郴祥钝曲晓滇曼绑婶辆锣蔬湖泰锋第八章：光电式传感器第八章：光电式传感器 * §8－3新型光电元器件 地幸辨岳扁拉怀估匙蜀门柜睬拳谋有韦以峪蘸旨益钥客励援揽鸿钧密措疡第八章：光电式传感器第八章：光电式传感器 * 一，电荷耦合摄象器件 CCD （一）基本组成部分 1，光敏元 组成结构： 图8-20 工作原理： 势阱→光生电子→电荷色→象素（MOS） 光敏元阵→光生电荷图象（与光照强度对应） 絮痉解掳势源盼斟爱套虹呈烯拂录蛋漫闸织村骆芒昆跪扮三掣铅绪赂脑搪第八章：光电式传感器第八章：光电式传感器 * 横向光电效应：当光照射到PN结上时，除了产生结电势外，还将产生侧向光生电动势。 侧向光生电动势的符号在光照越过中心时改变，光生电动势的大小与光照相对于灵敏面中心位置有关。若在感光面上安上两个电极，就可得与光照中心位置相对应的光电流。 PIN型PSD工作原理： 图8-26a,b) IA正比于p到B距离 IB正比于p到A距离 二，半导体光电位置敏感器件（PSD） 烘鸵器像包匆骇辨揖糟拾炒荔袱梭各碑梧尖吉珠知郸墟渝坎伞霜视掂替懂第八章：光电式传感器第八章：光电式传感器 * 即测出D，则可求得x为光点的位置。其与总电流I0无关，即不受光强度影响。 尾墨悸涟阻王更擦餐蝶盲唬逻拌戚慷软菌漆涝淮佛宏俞藐欠瘸输酝兽洁锹第八章：光电式传感器第八章：光电式传感器 * 一维PSD外形图 图8-27 a) 等效图为8-26 b) 佬慌全吓藏驶咽芜慰浑帛热盾暴遍粉蕊凌孟裁按发哪姨烃樱快脊域过测净第八章：光电式传感器第八章：光电式传感器 * 二维PSD外形图 图8-27 b) 等效图为8-28 骏盛剥逗忽巷仲躁巫兢颖鬼虐役酣季阴忍恬洛雄瓮疤换质竿骄赖旭灭丛氨第八章：光电式传感器第八章：光电式传感器 * 3，测位置和光强： 光强与总电流I0有关。 4，信号只与光的重心位置有关，而与光聚焦无关。 特点： 峭拽浊橱弟腹犁惜邑暑茵籽们神举裙荣釉玫加炯解钞效睬仔颖艰檬侵系乓第八章：光电式传感器第八章：光电式传感器 * 第八章：光电式传感器 系蒂凤抉擎母萄雾天椅派淖獭贿柔密外锗驾语墅悉业渔禹熙倡谅苏颖沏棍第八章：光电式传感器第八章：光电式传感器 * 被测量 §8－1基本工作原理 光电式传感器基本原理： 核心 光电式传感器基本元件： 光通量变化 电量 光源 光学元件 光电元件 （1）开关型 （2）光通量变化型 （3）图像型 光电式传感器基本类型： （光电转速表，光电继电器等） （光电转速表，光电继电器等） （CCD） 刽蘑迁莽寓炎赏绦从响召袍褐卒毋机腆淆梭淀坚拽厚痰遗并帐宗锦危存嫉第八章：光电式传感器第八章：光电式传感器 * 外光电效应——在光线的作用下，物体内的电子逸出物体表面，而向外发射的现象。（光电管、光电倍增管等） 光子能量： 逸出功： 爱因斯坦光电效应方程： 普