单相全桥和半桥无源逆变电路.doc

中北大学 课 程 设 计 说 明 书学生姓名：学 号：学 院：信息与通信工程学院专 业：自动化题 目： MOSFET单相桥式无源逆变电路设计（纯电阻负载）指导教师：职称:2011年12月31日中北大学 课程设计任务书11/12 学年第 一 学期 学院：信息与通信工程学院专业：自动化学 生 姓 名：学 号：课程设计题目： MOSFET单相桥式无源逆变电路设计（纯电阻负载）起 迄 日 期：12月25日～ 12月31日课程设计地点：电气工程系实验中心指 导 教 师：系 主 任：下达任务书日期: 2011年 12月 25 日 课 程 设 计 任 务 书 1．设计目的： 1）培养学生文献检索的能力，特别是如何利用Internet检索需要的文献资料。 2）培养学生综合分析问题、发现问题和解决问题的能力。 3）培养学生运用知识的能力和工程设计的能力。 4）提高学生课程设计报告撰写水平。 2．设计内容和要求（包括原始数据、技术参数、条件、设计要求等）： 设计内容： 1、设计一个MOSFET单相桥式无源逆变电路（纯电阻负载） 设计要求：1）输入直流电压：Ud100V； 2）输出功率：300W； 3）输出电压波形：1KHz方波。 2、设计MOSFET单相半桥无源逆变电路（纯电阻负载） 设计要求： 1）输入直流电压：Ud100V； 2）输出功率：300W； 3）输出电压波形：1KHz方波。 3．设计工作任务及工作量的要求〔包括课程设计说明书、图纸、实物样品等〕： 设计工作任务及工作量的要求： 1）根据课程设计题目，收集相关资料、设计主电路和触发电路；2）用Multisim等软件制作主电路和控制电路原理图； 3）撰写课程设计报告——画出主电路、控制电路原理图，说明主电路的工作原理，完成元器件参数计算，元器件选型，说明控制电路的工作原理，用Multisim或EWB等软件绘出主电路典型的输出波形（比较实际波形与理论波形），绘出触发信号（驱动信号）波形，说明设计过程中遇到的问题和解决问题的方法，附参考资料。 课 程 设 计 任 务 书 4．主要参考文献： 1、樊立萍，王忠庆.电力电子技术.北京:北京大学出版社,2006 2、徐以荣，冷增祥.电力电子技术基础.南京：东南大学出版社，1999 3、王兆安,黄俊.电力电子技术.北京：机械工业出版社,2005 4、童诗白.模拟电子技术.北京:清华大学出版社, 2001 5、阎石.数字电子技术.北京:清华大学出版社, 1998 6、邱关源.电路.北京：高等教育出版社，1999 5．设计成果形式及要求： 1）撰写课程设计报告； 2）用PROTEL或其它软件画出主电路和触发电路原理图； 3）用EWB或其它软件绘出主电路典型波形，触发信号（驱动信号）波形。 6．工作计划及进度： 2011年 12月日月日月日 一、功率场效应晶体管MOSFET 1概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor--SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 2.功率MOSFET的结构和工作原理 功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。 2.1.功率MOSFET的结构 功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET,（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDM