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纳米加工平台工艺申请表 （2010版）
批号:
申请人 申请人电话 申请人邮箱 申请人签字 付费人 课题编号 付费人邮箱 付费人签字 申请日期 所属单位 试验目的及说明 样品材料 样品尺寸 样品数量与编号 序号 工艺名称 工艺要求及说明 日期 工艺记录和检测结果 工艺员 计价和确认 备注 匀胶
KS-L150
ST22＋
KW-4A 加工数量：3片；
衬底：材料：硅片，尺寸：4英寸、6英寸；
光刻胶类型：AZ1500；厚度：1.2±0.4微米
HDMS预处理：需要；
使用匀胶机类型：SSE、国产小匀胶机、Track 匀胶机类型：
开始时间：
完成时间：
衬底尺寸：
匀胶次数：
检测结果：
本步工艺计价：
￥
工艺负责人确认：
工艺申请人确认：
光刻
MA6/BA6
URE-2000/35 加工数量：3片；
衬底材料/尺寸/厚度：硅片/4英寸/525微米；
光刻胶类型/厚度：AZ1500/1-1.6微米；
光刻最小线宽：2微米；
套刻要求：正反面对准，对准精度：±5微米；
使用光刻机类型：Suss MA6/BA6,国产光刻机 光刻机类型：
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
检测结果： 本步工艺计价：
￥
工艺负责人确认：
工艺申请人确认：
步进式光刻机
NSR1755i7B 加工数量：3片；
衬底材料/尺寸/厚度：硅片/4英寸/525微米；
光刻胶类型/厚度：EPL/1-1.6微米；
光刻最小线宽：2微米；
套刻精度：±1微米； 开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
检测结果： 本步工艺计价：
￥
工艺负责人确认：
工艺申请人确认：
电子束光刻
JBX-5500ZA 加工数量：1片；
衬底材料/尺寸/厚度：硅片/4英寸/525微米；
光刻胶类型/厚度：AZ1500/1-1.6微米；
光刻最小线宽：30nm；
套刻要求：套刻误差小于40nm；
拼接要求：误差小于40nm 开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
检测结果： 本步工艺计价：
￥
工艺负责人确认：
工艺申请人确认：
显影
OPTIspin ST22 加工数量：3片；
衬底：材料：硅片，尺寸：4英寸；
显影液类型：标配TMAH；
使用显影机类型：SSE,Track 显影机类型：
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
检测结果： 本步工艺计价：
￥
工艺负责人确认：
工艺申请人确认：
干法去胶
M4L 加工数量：3片；批次：1批
材料：硅片，尺寸：4英寸或碎片；
需去除光刻胶类型：AZ1500
需去除胶厚： 50nm；
去胶功率：300W 开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
检测结果： 本步工艺计价：
￥
工艺负责人确认：
工艺申请人确认：
喷胶
ST20i 加工数量：3片；
衬底材料：硅片，尺寸：4英寸；
光刻胶类型：AZ4620； 目标胶厚：30微米
图形深宽比：1：2 开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
检测结果： 本步工艺计价：
￥
工艺负责人确认：
工艺申请人确认：
晶片键合
CB6L 加工数量：3对；
材料：硅片和玻璃 尺寸：4英寸；
键合类型：阳极键合；
是否需要套刻：是 （套刻精度： 5微米） 键合对数： 单次键合用时：
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
检测结果： 本步工艺计价：
￥
工艺负责人确认：
工艺申请人确认：
磁控溅射
LAB 18 加工数量：3片；批次：1批
衬底材料：硅片，尺寸：2英寸
膜层材料/厚度：
Ti/Al/Ti/Au, 50nm/200nm/50nm/100nm
厚度均匀性要求：±5%
衬底加热温度：200℃
工艺气体：Ar或N2 溅射批数：
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
溅射各层材料/厚度：
检测结果： 本步工艺计价：
￥
工艺负责人确认：
工艺申请人确认：
电子束蒸发
ei-5z
EBE-09 加工数量：3片；批次：1批
衬底材料：硅片，尺寸：6英寸
膜层材料和厚度：
Ti/Al/Ti/Au, 50nm/200nm/50nm/100nm
厚度均匀性要求：±5%
衬底温度：200℃
蒸发台类型：ei-5z, EBE-09 使用蒸发台： 蒸镀批数：
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
蒸镀各层材料/厚度：
检测结果： 本步工艺计价：
￥
工艺负责人确认：
工艺申请人确认：
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