微电子工艺课件第六章.pptVIP

反应系统的工作气压决定着气体的平均自由 程，而被吸附原子的迁移和再发射能力受衬底温 度和能量传输机制的影响。大量的保形覆盖薄膜中，一般认为再发射机 制是决定保形覆盖的关键因素。 二、反应气体分子到衬底表面的输运机制三种机制影响反应气体分子到衬底表面的特殊位置：入射、再发射以及表面迁移，如下图所示： 入射是淀积过程在低于133.3Pa的气压下进行时， 气体分子平均自由程比器件尺寸大得多，可以与 表面不发生任何碰撞的情况下直接进入沟槽内部。 再发射是在粘滞系数小于1时出现的传输过程。 气体分子经常与侧壁发生多次碰撞，而后才 固定在表面的某个位置。 表面迁移指的是反应物分子在被吸附之前在表 面发生的迁移。 6.4.3 CVD掺杂二氧化硅在淀积二氧化硅的气体中同时掺入PH3，就可形成磷硅玻璃(PSG)。PSG包含P2O5和SiO2两种成分，是一种二元玻璃网络体。 1. 磷硅玻璃为了达到对衬底上陡峭的台阶的良好覆盖，采用玻璃体进行平坦化是一步重要工艺。PSG在高温下可以流动，从而可以形成更为平坦的表面，使随后淀积的薄膜有更好的台阶覆盖。PSG玻璃软化可使尖角变得圆滑。提高温度，增加高温处理时间或磷的浓度，都会增加薄膜的流动，如下图所示。磷的浓度低于6wt%时，流动性变得很差。在高磷情况下，PSG有很强的吸潮性，氧化层中的磷最好限制在6-8wt％，以减少磷酸的形成，从而减少对其下方铝的腐蚀。以Ar气作为携带气体，在PECVD系统中淀积的PSG薄膜比APCVD淀积的薄膜有更好的台阶覆盖。在LPCVD系统中，因为表面反应速度控制淀积速率，而表面反应速度又正比于表面上的反应剂浓度，要想在各个硅片表面上淀积厚度相同的薄膜，就应该保证各个硅片表面上的反应剂浓度是相同的。然而对于只有一个入气口的反应室来说，沿气流方向因反应剂不断消耗，靠近入气口处淀积的膜较厚，远离入气口处淀积的膜较薄 ，称这种现象为气缺现象。 1. 气缺现象 (1)由于反应速度随着温度的升高而加快，可通过在水平方向上逐渐提高温度来加快反应速度，从而提高淀积速率，补偿气缺效应的影响，减小各处淀积厚度的差别。 (2)采用分布式的气体入口，就是反应剂气体通过一系列气体口注入到反应室中。需要特殊设计的淀积室来限制气流交叉效应。 (3)增加反应室中的气流速度。当气流速度增加的时候，在单位时间内，靠近气体入口处的淀积速率不变，薄膜淀积所消耗的反应剂绝对数量也就没有改变，但所消耗的比例降低，更多的反应剂气体能够输运到下游，在各个硅片上所淀积的薄膜厚度也变得更均匀一些。LPCVD系统的两个主要缺点是相对低的淀积速率和相对高的工作温度。增加反应剂分压来提高淀积速率则容易产生气相反应；降低淀积温度则将导致不可接受的淀积速率。 2. 减轻气缺现象影响的方法 三、 PECVD系统等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统。APCVD和LPCVD都是利用热能来激活和维持化学反应，而PECVD是通过射频(RF)等离子体来激活和维持化学反应，受激发的分子可以在低温下发生化学反应，所以淀积温度比APCVD和LPCVD低，淀积速率也更高。如下图所示。低温淀积是PECVD的一个突出优点，因此，可以在铝上淀积二氧化硅或者氮化硅。淀积的薄膜具有良好的附着性、低针孔密度、良好的阶梯覆盖及电学特性。等离子体中的电子与反应气体的分子碰撞时，这些分子将分解成多种成份：离子、原子以及活性基团(激发态)，这些活性基团不断吸附在基片表面上，吸附在表面上的活性基团之间发生化学反应生成薄膜元素，并在基片表面上形成薄膜层。活性基团吸附在表面时，不断的受到离子和电子轰击，很容易迁移，发生重新排列。这两个特性保证了所淀积薄膜有良好的均匀性，以及填充小尺寸结构的能力。值得注意的是，在PECVD的操作过程中，还需要对另外一些淀积参数进行控制和优化，除了气流速度．温度和气压等参数之外，淀积过程还依赖于射频功率密度、频率等参数。PECVD是典型的表面反应速率控制型，要想保证薄膜的均匀性，就需要准确控制衬底温度。 6.3 CVD多晶硅的特性和沉积方法多晶硅薄膜在集成电路制造中有许多重要的应用。实验证明，多晶硅与随后的高温热处理工艺有很好的兼容性，而且与Al栅相比，多晶硅与热生长二氧化硅的接触性能更好，此外在陡峭的台阶上淀积多晶硅时能够获得很好的保形性，因而高掺杂的多晶硅薄膜作为栅电极和互联引线在MOS集成电路中得到广泛地应用。 6.3.1 多晶硅薄膜的特性多晶硅薄膜是由小单晶的晶粒组成，存在大量的晶粒间界，晶粒内部的性质非常相似于单晶硅，晶粒间界是一个具有高密度缺陷和悬挂键的区域，这是因为晶粒间界的不完整性和晶粒表面原子周期性排列受到破坏所引起的。1. 物理结构特性晶粒间界的高密度缺陷和悬挂键使多晶硅具有两个重要特性，这