复旦大学集成电路工艺原理8.pptVIP

* 高斯函数分布 推进(drive-in)退火扩散 扩散时间越长，扩散越深，表面浓度越低。 扩散时间相同时，扩散温度越高，表面浓度下降越多。 用于制作低表面浓度的结和较深的p-n结。 t1 t2 t3 t1t2t3 CB * 多步退火（推进）过程（Multiple drive-in process） 当扩散系数相同时， 当扩散系数不同时， (Dt)eff 用来衡量扩散过程的热过程（thermal budget） 由于扩散系数成指数随温度增加，因此热过程主要由最高温度下的扩散来决定，别的一些步骤在决定扩散总量时可以忽略。 预淀积控制剂量 恒定剂量推进退火 * 二步扩散 第一步 为恒定表面浓度的扩散（Pre-deposition） （称为预沉积或预扩散） 控制掺入的杂质总量 第二步 为有限源的扩散（Drive-in），往往同时氧化 （称为主扩散或再分布） 控制扩散深度和表面浓度 * 因为 当 时，最后的杂质浓度分布为 二步扩散的两种极端情况 * 余误差函数分布（erfc） 表面浓度恒定 杂质总量增加 扩散深度增加 高斯函数分布（Gaussian） 表面浓度下降(1/?t ) 杂质总量恒定 结深增加 关键参数 Cs（表面浓度） xj （结深） Rs（薄层电阻） * 本节课主要内容 1、掺杂工艺一般分为哪两步？结深？薄层电阻？固溶度？ 2、两种特殊条件下的费克第二定律的解及其特点？特征扩散长度？ 预淀积＋退火。预淀积：气固相预淀积扩散或离子注入。Rs：表面为正方形的半导体薄层（结深），在电流方向所呈现的电阻。单位为 ?/?。反映扩散入硅内部的净杂质总量。固溶度：在平衡条件下，杂质能溶解在硅中而不发生反应形成分凝相的最大浓度。 表面浓度恒定，余误差函数分布（erfc）: 表面浓度恒定，杂质总量增加，扩散深度增加 杂质总量恒定，高斯函数分布（Gaussian）：表面浓度下降，结深增加 * INFO130024.01 集成电路工艺原理 第六章 扩散原理 (上) * 集成电路工艺原理 * 大纲 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 * 掺杂（doping）：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状（doping profile）。 MOSFET：阱、栅、源/漏、沟道等 BJT：基极、发射极、集电极等 掺杂应用： B E C p p n+ n- p+ p+ n+ n+ BJT p well NMOS * 基本概念 结深 xj （Junction Depth） 薄层电阻 Rs （Sheet Resistance ） 杂质固溶度（Solubility) * 杂质分布形状（doping profile）举例 * 1、结深的定义 xj : 当 x = xj 处 Cx（扩散杂质浓度）= CB（本体浓度） 器件等比例缩小k倍，等电场要求xj 同时缩小k倍 同时 要求xj 增大 在现代COMS技术中，采用浅结和高掺杂来同时满足两方面的要求 * 2、薄层电阻 RS（sheet resistance） 方块电阻 t l w 薄层电阻定义为 * 方块时，l＝w，R＝RS。所以，只要知道了某个掺杂区域的方块电阻，就知道了整个掺杂区域的电阻值。 RS：表面为正方形的半导体薄层，在电流方向呈现的电阻。单位为 ?/?（既?） RS：正方形边长无关 其重要性： 薄层电阻的大小直接反映了扩散 入硅内部的净杂质总量 * 物理意义： 薄层电阻的大小直接反映了扩散入硅内部的净杂质总量 q 电荷，? 载流子迁移率，n 载流子浓度 假定杂质全部电离 载流子浓度 n = 杂质浓度 N 则： Q：从表面到结边界这一方块薄层中单位面积上杂质总量 * 3、杂质固溶度（dopant solid solubility） 固溶度（solid solubility）：在平衡条件下，杂质能溶解在硅中而不发生反应形成分凝相的最大浓度。 电固溶度 超过电固溶度的杂质可能形成电中性的聚合物，对掺杂区的自由载流子不贡献 * A