晶体管原理-0405讲义.ppt

第二章 pn结和晶体二极管 第四节 pn结击穿 第二章 pn结和晶体二极管 雪崩倍增因子 第二章 pn结和晶体二极管 影响雪崩击穿电压因素 第二章 pn结和晶体二极管 隧道击穿（齐纳击穿） 隧道效应：电子具有波动性，可以有一定的几率穿过位能比电子动能高的势垒区。 第二章 pn结和晶体二极管 雪崩击穿与隧道击穿的比较 第二章 pn结和晶体二极管 第二章 pn结和晶体二极管 PN结开关的瞬态特性 第二章 pn结和晶体二极管 电荷存储效应 第二章 pn结和晶体二极管 反向恢复时间 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.03.02 pn结击穿：pn结反向偏压增大到某一值VB时，反向电流突然迅速增 雪崩击穿 --由碰撞电离的雪崩倍增效应引起 碰撞电离率 ：每个自由电子（空穴）在单位距离内通过碰撞电离而产生的新的电子-空穴对的数目。 大的现象。 基本原因：载流子数目的突然增加 --IV.pn结击穿 雪崩击穿条件 电离率积分的大小主要取决于最大电场强度Emax附近的一个极窄的区域。粗略认为， Emax小于某值Ec（雪崩击穿临界电场强度