第三章 霍尔传感器..PPTVIP

第三章 霍尔传感器 7.1 霍尔元件工作原理 霍尔元件是霍尔传感器的敏感元件和转换元件，它是利用某些半导体材料的霍尔效应原理制成的。所谓霍尔效应是指置于磁场中的导体或半导体中通入电流时，若电流与磁场垂直，则在与磁场和电流都垂直的方向上出现一个电势差。 7.2 霍尔元件的基本结构和主要特性参数 7.2.1 基本结构 用于制造霍尔元件的材料主要有Ge（锗）、Si（硅）、InAs（砷化铟）和InSb（锑化铟）等。 7.2.2 主要特性参数 1．输入电阻Ri和输出电阻Ro 霍尔元件两激励电流端的直流电阻称为输入电阻Ri，两个霍尔电势输出端之间的电阻称为输出电阻Ro。 2．额定激励电流I和最大激励电流IM 霍尔元件在空气中产生10℃的温升时所施加的激励电流值称为额定电流I。每种型号的元件均规定了相应的最大激励电流，它的数值从几毫安到几十毫安。 3．乘积灵敏度KH KH反映了霍尔元件本身所具有的磁电转换能力，一般希望它越大越好。 4．不等位电势UM 在额定激励电流下，当外加磁场为零时，即当而B=0时，UH=0；但由于4个电极的几何尺寸不对称，引起了且B=0时，。为此引入UM来表征霍尔元件输出端之间的开路电压，即不等位电势。 5．霍尔电势温度系数a