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自组装量子点激子的精细结构分裂下界摘要：激子精细结构分裂描述了活泼激子由于晶格原子对称性和电子-空穴对交换作用结果而分裂。正在努力用外部约束消除这种自然分裂以便在量子光学中应用量子点。我们通过百万个原子经验赝势计算实际结构中存在分裂的下界。我们通过精辟地分析来支撑我们的数值计算。因为纠缠光子在量子传输、量子密码学和量子计算中的应用潜力，所以纠缠光子近年一直是实验和理论研究的主题。半导体量子点（QD）的双激子级联已经被提出作为偏振纠缠光子对源。偏振纠缠光子在级联时产生，双激子(∣XX)→激子(∣X)→基态(∣0)，其中光子对的偏振由中间激子态的自旋确定。在一个理想的有简并的中间激子状态的量子点(QD)中第一个光子（(∣XX)→(∣X)）是偏振的第二个光子纠缠（(∣X)→(∣0)）。因此，理想情况下，这种两极分化的纠缠提案要求中间激子状态是简并的。然而对于沿着[001]方向生长实际自组装半导体量子点，中间激子状态由于闪锌矿结构中原子各向异性、自旋-轨道作用和电子-空穴对相互作用的结果是分裂的。两个活泼激子状态之间的能量差，E[110]-E[110],是精细结构分裂(FSS)In(Ga)As/GaAs量子点(QD)的FSS和辐射线宽(≈1μeV)相比通常是相当大的(≈10μeV)，激子衰减路径是不可区分的这有害于激子产生纠缠光子对。最近，我们已经证明[111]生长量子点有一个消散的FSS是产生纠缠光子对的理想选择。然而，在操纵和减少FFS的辐射线宽下使用“标准”自组装沿着[001]方向生长的量子点产生偏振纠缠光子对还需要持续的努力。正在努力操纵和减少FSS，包括电场，磁场，应变，局部退火技术方面，光谱过滤和低FSS的量子点选择。面内磁场已经成功用来调整FSS。但是，这种实验装置十分复杂。后生长的退火处理也显示能大大降低FSS。在这个过程中，然而，转移光子能量十分显著，接近最大值与浸润层发射的能量相近。操纵FSS的另一种方法就是应用单轴应力。应经证明了FSS可以通过这一过程基本上能被调谐。赛德尔等人在他们所施加的应力范围已经成功的将FSS从30eV降低到15eV。他们认为，一个大的应力或者从一个FSS大约为10eV预退火的QD开始，可以调谐FSS到0。但是，这里仍然有一个基本的问题那就是它是否能在原理上可以实现。在这篇文章中，我们报告In(Ga)As合金量子点的FSS可以通过单轴应力沿着[100]、[110]和[110]方向调谐到一定的程度，但不能低于一定值。这个效应是由于原子的结构和基础对称性反交叉作用所导致的。我们通过相关激子的大量经验赝算计算来量化这些效应的大小。我们考虑In(Ga)As/GaAs有圆形底座（直径25.2nm,高为3.5nm）的镜头形状的QD点些，沿[110]长轴方向有细长的椭圆形底座（长（短）轴为26.5nm（23.9nm）高为3.5nm），并且截取高度为3.5nm和7nm的锥形（基地直径24nm，顶部直径为18nm）的量子点。我们根据Milner等人讨论的模型5的分级配置文件和QD的体积确定不同的60%和80%的合金组合物。我们调查单轴应力沿[110]、[110]和[100]结晶方向的效应。单轴应力是由沿所施加应力的结晶方向变化的晶格参数产生的。应力值用这个关系来计算：,其中Y是杨氏模量，和分别是平衡和扭曲时的晶格参数。闪锌矿立方晶体的杨氏模量是各向异性的。GaAs中沿[100]和[110]结晶方向的杨氏模量分别是Y=85.2GPa和Y=121.3GPa。对于每个施加的应力的仿真小区的原子位置，以及沿[110]方向生长的模拟细胞，用原子价方法放宽最小应变能。量子点的单粒子轨道和精力都用原子论赝势的计算方法，取布里渊区的不同部分，以及自旋轨道耦合的应变，带耦合，偶合综合考虑，保留在原子的结构。库仑和交换积分是从原子波函数计算得到，在Ref等人的计算中显示为红色，而相关的激子状态由配置交互的方式计算得到。对于组态相互作用计算，我们用从最低能量电子和最低的空穴（包括旋转）构建的所有可能的决定因素，因此考虑了相关性。我们现在讨论取决于激子的最小跃迁的应力（不是它的FSS）。我们发现，单轴应力引起了InAs/GaAs QD中激子能量的红移，当它在合金In(Ga)As/GaAs应力引起蓝移。这相当令人惊讶的结果（几个效应作用于有应力作用趋势的激子上）可以追溯到InAs和InGaAs的电子产生的势能大小不同。这使得在合金In(Ga)As QDs中的单粒子电子态需要外加应力增加比InAs QDs中多，而空穴以相同的速率增加。在沿[110]方向的外部应力下，圆柱对称透镜形的InAs(In0.6Ga0.4As)QD的活泼激子能量以斜率为6.9μeV/MPa(8.9μeV/MPa)线性增加，这与实验结果吻合。对于细长透镜形In0.