哈工大微电子02工艺氧化摘要.ppt

第一章 内容总结 硅晶胞：金刚石结构的立方晶胞 基本参数 {111}晶面解理性 硅晶体缺陷 结团作用；缺陷的去除 硅中杂质；固溶体；固溶度 相图 硅单晶片制备 多晶硅制备；直拉法原理；提拉速度；分凝； CZ法熔料中环流形成； 硅片制备流程；主要晶向、晶型的定位方式 微电子工艺（2）--氧化 田丽 第2章 氧化 2.1 SiO2的结构及性质 2.2 SiO2的掩蔽作用 2.3 氧化机理 2.4 氧化系统、工艺 2.5 影响氧化速率的各种因素 2.6 杂质再分布 2.7 SiO2/Si界面特性 2.8 氧化层的检测 2.1 SiO2结构及性质 二氧化硅是微电子工艺中采用最多的介质薄膜。 二氧化硅薄膜的制备方法有：热氧化、化学气相淀积、物理法淀积，阳极氧化等多种方法。 热氧化是最常用的氧化方法，需要消耗硅衬底，是一种本征氧化法。 用途 作为掩蔽膜 在单晶硅定域掺杂时作为掩蔽膜 作为钝化和保护膜 在器件或电路的表面，淀积一层SiO2可以保护器件或电路使之免于沾污；避免化学腐蚀。 作为电隔离膜 SiO2介电性质良好，集成电路元件之间的介质隔离或者多层布线的电隔离膜。 元器件的组成部分 做MOS器件中栅极电极等。 在DROM中的应用 SiO2结构模型 结构 理化性质 密度 是SiO2致密程度的标志。密度大表示致密程度高，约2-2.2g/cm3； 熔点 石英晶体1732℃,而非晶态的SiO2无熔点，软化点1500℃ 电阻率 与制备方法及所含杂质有关,高温干氧可达1016Ω·cm,一般在107-1015 Ω·cm； 介电性 介电常数3.9； 介电强度 100-1000V/μm； 折射率 在1.33-1.37之间； 腐蚀性 只和HF酸反应，与强碱反应缓慢。 SiO2的主要物理性质 2.2 SiO2的掩蔽作用 杂质在SiO2中的扩散 利用相同情况下，硼、磷等常用杂质在SiO2中的扩散速度远小于在硅中扩散速度，SiO2层对这些杂质起到“掩蔽”作用。 镓和钠等碱金属扩散在SiO2扩散速度快， SiO2层对这些杂质起不到“掩蔽”作用。 杂质SiO2中在扩散系数： DSiO2=D0exp(-ΔE/kT) SiO2掩蔽层厚度的确定 掩蔽条件: DSiDSiO2 SiO2表面杂质浓度/SiO2-Si界面杂质浓度103 SiO2作为掩蔽膜的P扩散 当P2O5与SiO2接触时，SiO2 就转变为含磷玻璃体 2.3 热氧化机理 热氧化是在Si/SiO2界面进行，通过扩散和化学反应实现。O2或H2O，在生成的二氧化硅内扩散，到达Si/SiO2界面后再与Si反应， O2+Si → SiO2；H2O+Si → SiO2+H2 ，硅被消耗，所以硅片变薄，氧化层增厚。 生长1μm厚SiO2 约消耗0.44μm 厚的硅 热氧化动力学（迪尔-格罗夫模型） 气体质量输运: F1=hg(Cg-Cs) 溶解：由亨利定理--固体内的杂质浓度正比与固体表面上气相中该杂质的分压。 Co=HPs ; C*=HPg 由气体状态方程 Cg=Pg/kT; Cs=Ps/kT D-G模型 F1=h (C*-Co)；h=hg / HkT 固相扩散： 化学反应： 热氧化是在氧化剂气氛下进行：O2流密度不变，即准平衡态稳定生长： F1=F2=F3 两种极限形式 热氧化生长速率 实测值 在两种极限情况下：长时间氧化或氧化时间很短，实测值和计算值吻合。 2.4 热氧化系统、工艺 氧化系统由四部分组成： 气源柜 炉体柜 装片台 计算机控制系统 氧化扩散原理图 工艺 干氧 O2+Si SiO2 湿氧 H2O（O2）+Si SiO2+H2 水汽 （H2+O2）+Si SiO2+H2 掩膜氧化（厚氧化层） 干氧-湿氧-干氧 薄层氧化（MOS栅） 干氧 掺氯氧化 热氧化方法比较 干氧氧化：氧化膜致密性最好，针孔密度小，薄膜表面干燥，适合光刻，但是生长速率最慢； 湿氧氧化：氧化膜较干氧氧化膜疏松，针孔密度大，表面含水汽，光刻性能不如干氧，容易浮胶。湿氧与干氧比，水温越高，水汽就越多，二氧化硅生长速率也就越快； 水蒸汽氧化：在三种热氧化方法中氧化膜致密性最差，针孔密度最大，薄膜表面潮湿，光刻难，浮胶。但是，生长速率最快。 薄层氧化 D-G模型对30nm以下的干氧氧化不准。 自然氧化物不是连续生长而是阶段的生长。轻掺杂0.8nm;重掺杂1.3nm。 初始氧化阶段的氧化机制仍是日前研究热点。 掺氯氧化 钝化可动离子，尤其