半导体器件物理教学课件作者徐振邦半导体器件物理(第5章)课件.ppt

5.3 MOS型晶体管的输出伏安特性与直流参数 导电因子k、VGS 导电因子k、(W/L) PN结漏电 栅介质厚度tox 栅介质厚度tox、衬底电阻率ρ 衬底电阻率ρ 影 响 因 素 Ω A或mA μA V V V 单位 RON IDM IOFF BVGS BVDG BVDS 符号 开态导通电阻 漏极最大电流 漏源截止电流 栅源击穿电压 漏栅击穿电压 漏源击穿电压 参 数 名 称 ⑥ ⑤ ④ ③ ② ① 序 号 MOS型晶体管常用电学参数 5.3 MOS型晶体管的输出伏安特性与直流参数 5.3.5 MOS型晶体管的温度特性与栅保护 1. 表面载流子迁移率μ随温度T的变化 随着温度T的上升，迁移率μ呈现下降趋势。实验发现，迁移率μ与温度T之间存在如下变化趋势关系，μ∝T-3/2。迁移率下降尽管不利于漏极电流容量，但却有利于MOS晶体管的温度稳定性。 2. 阈值电压VT随温度T的变化 以nMOS管为例 综合结果，当T↑→VT↓。 5.3 MOS型晶体管的输出伏安特性与直流参数 MOS晶体管输入二极管保护 3. MOS型晶体管的栅保护 在MOS型晶体管中，栅电极与沟道之间仅隔着一层很薄的栅氧化层，厚度tox通常从几十埃至几百埃不等，这种结构与一个普通电容器的结构类似。当MOS管的栅压VGS超过一定值时，就会引起栅氧化层的击穿，从而造成器件的永久失效。由于通常MOS管的栅输入电容很小，因此，只需感应极小的电荷量QM，就可能产生很高的栅压，从而使栅介质击穿。例如一支MOS晶体管的栅电容仅为2pF，那么只需感应1.5×10-10库仑的电荷，就可产生75V的高压，这对MOS管来讲是很危险的，这就是所谓的ESD（ESD——Electro-Static discharge，即静电释放）问题。图示就是输入二极管保护 。 5.4 MOS型晶体管频率特性与交流小信号参数 5.4.1 MOS型晶体管的交流小信号等效电路 (a) 实测 nMOS 管输出伏安特性曲线 (b) 对非饱和区抛物线用直线作近似 (c) 忽略非饱和区的输出特性曲线 以上三图对所测得的nMOS管的输出特性曲线作了适当的演变与简化，目的是使得对所获得的MOS管的交流小信号等效电路更易于理解。很明显，当MOS管处于小信号放大状态时，工作点处在饱和区，故作这样的近似处理是合理的。 5.4 MOS型晶体管频率特性与交流小信号参数 (d) nMOS管简化输出伏安特性曲线 (e) nMOS管的直流等效电路 考虑到沟道长度调制效应，MOS管的输出曲线表现为一定的上翘，即输出电阻不是理想的无穷大，这时，饱和区方程为： λ为调制因子，取值0.005～0.03V-1。 图(e)中： Ri：为直流输入电阻，近似为∞； k(VGS-VT)2：直流恒流源； rds：输出电阻。 5.4 MOS型晶体管频率特性与交流小信号参数 (f) nMOS管高频交流小信号等效电路 因为 根据全微分表达式 有 一般地 故有 取 则有 令 则 等效电路见图(f)。 5.4 MOS型晶体管频率特性与交流小信号参数 5.4.2 MOS型晶体管的交流小信号参数 Ω S、mS 或Ω-1 单位 表达式 定义式 rds gm 符号 漏极输出 电阻 跨导 参数 名称 ② ① 序号 MOS管的跨导和漏极输出电阻 5.4 MOS型晶体管频率特性与交流小信号参数 5.4.3 MOS型晶体管的最高工作频率fm 定义：当放大器的输入信号频率f升高，并使得MOS晶体管的输出漏极信号电流ids下降至等于输入信号电流ii时，这时的输入信号频率f就称为MOS晶体管的最高工作频率，用fm表示。 (g) MOS型晶体管共源放大器交流小信号等效电路 利用该定义，结合图(g)电路，可得到fm表达式如下： fm反比与L2，正比与载流子迁移率μ。 微电子技术专业 第5章 MOS型场效应晶体管 本章要点 MOS型晶体管的结构与分类 MOS型晶体管的阈值电压 MOS型晶体管的伏安特性与直流参数 MOS型晶体管的频率特性、交流小信号参数 小尺寸MOS型晶体管的版图特点 小尺寸MOS型晶体管的几个效应 MOS晶体管全称是MOS场效应晶体管，简称MOS管。 MOSFET——Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 英文称呼为： 它是几种类型场效应晶体管中的一种，另有两种分别是结型场效应管与肖特基势垒型场效应管，但是它们没有MOS晶体管用得更为普遍。顾名思义，这种晶体管依靠半导体表面的电场效应来进行工作，这是它名字的由来。 主要特点： 这种晶体管结构简单，几何尺寸可以做得很小，输入阻抗高，功耗低，性能稳定，易于大规模集成。 第5章 MOS型场效应晶体管 栅SiO2 栅 SiO2 Al 或 多晶硅 5.1