半导体器件物理教学课件作者徐振邦半导体器件物理(第六章）课件.ppt

微电子技术专业 1. 达林顿管电路连接 将两个电力晶体管以适当的方式集成在一起，就形成了具有达林顿结构的达林顿晶体管,采用达林顿结构组成的复合晶体管有很大的放大倍数，解决了电力晶体管放大倍数小的问题。 6.1 达林顿晶体管 2.达林顿管工作原理 6.1 达林顿晶体管 由上式可以看出，达林顿晶体管的电流放大倍数是T1和T2晶体管电流放大倍数的乘积加上T1和T2电流放大倍数之和。所以，采用达林顿结构可以得到很大的电流放大倍数。 6.1 达林顿晶体管 3.达林顿管电路结构与剖面图 6.2 功率MOS型晶体管 6.2.1 功率MOS型晶体管的种类 1. VMOSFET和UMOSFET 6.2 功率MOS型晶体管 2.LDMOSFET LDMOSFET结构是用平面工艺双扩散法或双离子注入法制作的MOSFET器件，如图所示。首先是在N-硅片或N-外延片上进行P型硼扩散或注入硼离子形成沟道区，然后用磷扩散或磷注入形成N+的漏区和源区。沟道长度是通过沟道区和N+源区的结深差形成的，由于通过扩散工艺可以精确控制两个扩散结的结深差，从而可以不需要昂贵的精确光刻，也可以获得精确的沟道长度。 6.2 功率MOS型晶体管 3.VDMOSFET VDMOSFET的单元剖面结构图，它是采用平面工艺制作的，用多晶硅做掩膜，采用自对准工艺，形成N+源极。它的沟道同样是采用双扩散工艺形成，P-Well和N+结深差形成了沟道，这是DMOS最显著地特征之一。电流在沟道内沿表面流动，然后垂直的被漏极收集。 6.2 功率MOS型晶体管 6.2.2 功率MOS型晶体管的版图结构与制造工艺 终端保护区的作用是使有源区周围的耗尽层尽量延展，降低有源区周围的电场强度，提高击穿电压 1.终端保护区 6.2 功率MOS型晶体管 2.功率MOS管的原胞结构图 6.3 绝缘栅双极晶体管 6.3.1 IGBT的结构与伏安特性 1.IGBT的结构与符号 IGBT的基本结构截面图，与VDMOS相比，除了背面多了一层P型层外，其他结构均与VDMOS相同。但正是因为增加了这层P型层，使得IGBT具有许多不同于VDMOS的器件特性。 6.3 绝缘栅双极晶体管 2.IGBT的伏安特性曲线 6.3.1 IGBT的工作原理 6.3 绝缘栅双极晶体管 1.IGBT的等效电路 IGBT可等效为N-MOSFET、NPN三极管和PNP三极管的复合电路。也可以等效为一个N-MOSFET和一个PIN二极管的串联结构。此等效结构通常应用于IGBT的正向导通状态。 6.3 绝缘栅双极晶体管 2.正向阻断状态 其中，BUCES为IGBT的最大正向阻断电压，Lp为空穴扩散长度。此时IGBT器件发生的是由于耗尽层扩展到背面的P型层导致的穿通击穿。 另一个影响IGBT正向阻断能力的参数是漂移区的掺杂浓度ND 3.正向导通状态 6.3 绝缘栅双极晶体管 考量IGBT正向导通能力的电参数是UCE（sat）（正向导通压降）。UCE(sat)越小，IGBT的导通损耗就小。正向导通时，IGBT器件可以等效为一个N-MOSFET和一个PIN二极管。所以，IGBT的正向饱和导通压降可用下式计算： 6.4 发光二极管 6.4.1 LED的发光原理 PN结正偏时，注入的电子和空穴复合，以光子的形式放出能量，称为辐射复合。 通常做晶体管材料的硅晶体并不是做可见光发光二极管的合适材料，常用的是砷化镓、磷化镓等化合物半导体材料。 6.4 发光二极管 6.4.2 LED的结构与种类 环氧树脂 镓磷砷红光二极管的管芯与封装结构 6.4 发光二极管 1.GaP LED 2.GaAs1-xPx LED 发射光子 反射接触 发射光子 吸收光子 3.GaN LED P-电极 透明电极 N-电极 P-GaN：Mg 5×InGaN/GaN N-GaN：Si 成核层 蓝宝石 6.4 发光二极管 6.4.3 LED的量子效应 6.4 发光二极管 （1）ηz为正向PN结的注入效率 （2）ηF为辐射效率 （3）ηC为出光效率 6.5 太阳电池 6.5.1 PN结的光生伏特效应 抗反射涂层 正面指状条形电极 背面电极 由于PN结内存在内建电场，使势垒区内产生的光生空穴和N区扩散进势垒区的光生空穴都向P区做漂移运动，从而带动N区约一个少子扩散长度范围内的光生空穴向势垒区边界做扩散运动。同理，内建电场使光生电子做反方向的漂移运动和扩散运动。也就是说，势垒区分离了两种不同电荷的非平衡载流子，结果就在P区内积累了非平衡空穴，N区内积累了非平衡电子，产生了一个与平衡PN结内建电场方向相反的光生电场。于是，在P区和N区之间